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1、第6章 放大電路的頻率響應(yīng),6.1 放大電路頻率響應(yīng)概述,6.3 晶體管和場(chǎng)效應(yīng)管的高頻等效模型,6.4 單管放大電路的頻率響應(yīng),6.2 RC電路的頻率響應(yīng),6.5 多級(jí)放大電路的頻率響應(yīng),作業(yè):6-1、6-4、6-5(1)、6-13,本章重點(diǎn),,1.頻率響應(yīng)產(chǎn)生的原因和表示方法: 低頻Au下降的主要因素取決于耦合電容C, 高頻Au下降的主要因素取決于管子的極間電容。,2.RC低通和高通電路的頻率響應(yīng): 幅頻特性和相頻特性、通頻帶和截止頻率,3.單管共射/多級(jí)放大電路的頻率響應(yīng)及相應(yīng)參數(shù)的計(jì)算 中頻響應(yīng)、低頻響應(yīng)、高頻響應(yīng)、完整波特圖,6.1 頻率響應(yīng)概述,6.1.1 頻率響應(yīng)產(chǎn)生的原因,原因
2、:晶體管的極間電容 放大電路的耦合電容、旁路電容和分布電容 電容的容抗均隨著信號(hào)頻率的變化而變化,因而使放大電路對(duì)不同頻率信號(hào)的放大效果將不完全相同。這說明放大電路的電壓放大倍數(shù)(增益)是頻率的函數(shù),這種函數(shù)關(guān)系叫做“頻率響應(yīng)”或者“頻率特性”。,,6.1 頻率響應(yīng)概述,中頻段:耦合電容、旁路電容容抗 小 短路 晶體管結(jié)電容的容抗 大 開路 不考慮放大電路的頻率特性。 低頻段:晶體管結(jié)電容 開路 但是,耦合電容和旁路電容的容抗增大,對(duì)信號(hào)傳輸?shù)淖饔貌豢珊雎浴?6.1 頻率響應(yīng)概述,高頻段:耦合電容,旁路電容 短路 晶體管結(jié)電容和線路分布電容的容抗很小,對(duì)電流的并聯(lián)分流作
3、用不可忽略,同樣會(huì)使增益的幅值減小,同時(shí)產(chǎn)生附加相位移。,6.1.2 頻率響應(yīng)的表示方法,電路的頻率特性包括:幅頻特性 相頻特性,,幅頻特性:指電壓增益的幅值和頻率的關(guān)系。,,相頻特性:指輸出電壓與輸入電壓之間的相位差 和頻率的關(guān)系。,,,,,,通常把中頻段的電壓增益用Aum表示。當(dāng)Aum 在高頻端和低頻段下降到0.707 Aum 時(shí)所對(duì)應(yīng)的兩個(gè)頻率點(diǎn)叫做放大電路的“截止頻率”。,6.1.2 頻率響應(yīng)的表示方法,圖61 放大電路的幅頻特性和相頻特性,,,,重要技術(shù)指標(biāo),不失真放大的頻率范圍,6.2 RC電路的頻率響應(yīng),1. 高通電路及頻率響應(yīng),2. 低通電路
4、及頻率響應(yīng),3. 波特圖(Bode plot),,用對(duì)數(shù)坐標(biāo)畫頻率特性曲線. 由對(duì)數(shù)幅頻特性和對(duì)數(shù)相頻特性組成.,略去 、 ,開路 ,得到簡(jiǎn)化的晶體管的高頻小信號(hào)等效模型。,考慮到晶體三極管發(fā)射結(jié)和集電結(jié)電容的作用,每個(gè)PN結(jié)均可用一個(gè)并聯(lián)的結(jié)電容和結(jié)電阻等效。,6.3 晶體管和場(chǎng)效應(yīng)管的高頻等效模型 6.3.1 晶體管的高頻等效模型,,1晶體管的混合參數(shù) 形模型,圖66 晶體管的高頻物理模型,表示受發(fā)射結(jié)電壓控制的集電結(jié)電流(壓控電流源)。,,晶體管混合參數(shù) 型等效電路,,,,,,,,,2晶體管的混合參數(shù) 形等效電路,,,,,,,,簡(jiǎn)化H參數(shù)等效電路 中低頻時(shí)混合形等效電路,,,當(dāng)頻率不
5、高時(shí),晶體管的結(jié)電容 和 的數(shù)值都很小,它們的影響可以忽略。這時(shí)混合參數(shù) 形等效電路就可以轉(zhuǎn)化為H參數(shù)等效電路。,比較兩個(gè)電路,可推導(dǎo)出,,,,,,,,,,,將混合形等效電路通過密勒定理進(jìn)行單向化轉(zhuǎn)換,將C等效在輸入回路和輸出回路中。,,,,3.混合參數(shù)形等效電路的簡(jiǎn)化,,,,,,,,,,,,,,,晶體管共射混合參數(shù) 型等效電路的簡(jiǎn)化圖:,通常的值很小,可以忽略。,把輸入端并聯(lián)電容合并,令,,6.3.2 場(chǎng)效應(yīng)管的高頻等效模型,,,,,,,,,,,,,共源接法場(chǎng)效應(yīng)管的混合參數(shù) 形等效電路如圖。(rgs、rds大,開路) 場(chǎng)效應(yīng)管等效電路中的輸入電容 較大,它的高頻特性要比雙極型晶體管
6、差些。,6.3 單管共射放大電路的頻率響應(yīng),,,,,,,,,,,,,,在中頻段,極間電容因?yàn)槿菘勾蠖暈殚_路,耦合電容和旁路電容因?yàn)槿菘剐《暈槎搪罚?在低頻段,主要考慮耦合和旁路電容的影響,將極間電容視為開路; 在高頻段,主要考慮極間電容的影響,而耦合和旁路電容可以視為短路。,,,,,,,,,,,,,1.基本放大電路的中頻響應(yīng),單管共射放大電路電路圖和中頻等效電路,,,,,,,,,,,,,中頻段電壓增益:,幅頻特性和相頻特性:,Ausm和 均為實(shí)數(shù),其波特圖的中頻段都是一條水平線。,2. 基本放大電路的低頻響應(yīng),,,,,,,,,,,,,,低頻段電壓增益為:,基本放大電路在低頻段是一個(gè)RC高通
7、特性。,其中,,,,低頻段波特圖,,,,,,,,,,,,,,,,,,,3. 基本放大電路的高頻響應(yīng),,,,,,,,,,,,,,應(yīng)用戴維南定理,,,,,,,,,,,,,高頻段電壓增益為:,基本放大電路在高頻段是一個(gè)RC低通特性。,,其中,,高頻段波特圖,,,,,,,,,,,,,,,,,4. 完整的單管共射放大電路的頻率響應(yīng),,,,,,,,,,,,,,,完整的電壓增益表達(dá)式:,完整波特圖,,,,,,,低頻段Au下降且產(chǎn)生相移,主要受耦合電容、旁路電容的影響。 高頻段Au下降且產(chǎn)生相移,主要受晶體管極間電容、電路中寄生電容的影響。,注意:,6.4.4 放大電路頻率響應(yīng)的改善和增益帶寬積,,,,,,,
8、,,,,,,,1對(duì)放大電路頻率響應(yīng)的要求 只有在放大電路的通頻帶內(nèi),對(duì)于不同頻率的信號(hào),放大電路電壓增益的幅值和相位才不會(huì)發(fā)生變化。 如果輸入信號(hào)包含很多頻率分量,輸出信號(hào)不可能完全復(fù)現(xiàn)輸入信號(hào)的波形而產(chǎn)生失真,這種失真叫做“頻率失真”。頻率失真包括“幅值失真”和“相位失真”。,6.4.4 放大電路頻率響應(yīng)的改善和增益帶寬積,,為了減小頻率失真,可以采取相應(yīng)的手段擴(kuò)大放大電路的通頻帶。通常采用的方法有:,(1)減小fL,改善低頻響應(yīng)。一方面使有關(guān)電容(耦合電容和旁路電容)的電容量增大,一方面使相應(yīng)回路的電阻增大。當(dāng)然,最好的辦法是去掉耦合電容而采取直接耦合的方式。,6.4.4 放大電路頻率響應(yīng)
9、的改善和增益帶寬積,,(3)引入負(fù)反饋。在電路中引入負(fù)反饋,可以擴(kuò)大放大電路的通頻帶。,(2)增大fH,改善高頻響應(yīng)。有 其中: 所以應(yīng)減小電阻和電容,選擇特征頻率高, 小的高頻管,還要減小gmRL。但是,減小gmRL 會(huì)時(shí)放大電路電壓增益下降??梢姅U(kuò)展頻帶和提高電壓增益是有矛盾的。,6.4.4 放大電路頻率響應(yīng)的改善和增益帶寬積,,,,,,,,,,,,,,“增益帶寬積”GBP,它是中頻電壓放大倍數(shù)Ausm 和通頻帶fBW的乘積。 是衡量放大電路性能的一項(xiàng)重要指標(biāo)。,由于,增益帶寬積為GBP:,可以看出,在一般情況下,當(dāng)晶體管和信號(hào)源選定后,增益帶寬積也就大體確定。如果要使放大電路的通
10、頻帶寬,同時(shí)又要使它的電壓增益高,則應(yīng)選用 和 都很小的高頻管。,6.5 多級(jí)放大電路的頻率響應(yīng) 6.5.1多級(jí)放大電路的頻率響應(yīng)表達(dá)式和波特圖,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,設(shè)多級(jí)放大電路每一級(jí)的電壓增益分別為 , , , ,則總的電壓增益為:,,由式(645)可寫出多級(jí)放大電路電壓增益的波特圖的表達(dá)式為:,,,,,,,,,,(645),因此,只要把各級(jí)電壓增益的波特圖進(jìn)行疊加,就可以得到多級(jí)放大電路總電壓增益波特圖。,1.放大器的增益與頻率有關(guān),稱幅頻特性; 放大器的相移也與頻率有關(guān),稱相頻特性, 兩者統(tǒng)稱為頻率響應(yīng)。 高頻響應(yīng)由晶體管的極間電容(結(jié)電容)引起的。 低頻響應(yīng)由
11、電路中耦合電容和旁路電容引起的。,3.衡量放大電路性能的一項(xiàng)重要指標(biāo)增益帶寬積。,4. CB組態(tài)放大電路由于輸入電容小(pF),所以CB組態(tài)放大電路的上限截止頻率fH比CE組態(tài)要高許多。,頻響分析,幾點(diǎn)結(jié)論,2.分析放大器頻響的重要指標(biāo):增益函數(shù)、帶寬和高低頻截頻。,,,,,,,,,,,,本章內(nèi)容,,1.頻率響應(yīng)產(chǎn)生的原因和表示方法 低頻Au下降的主要因素取決于耦合電容C, 高頻Au下降的主要因素取決于管子的極間電容。,2.RC低通和高通電路的頻率響應(yīng) 包括幅頻特性和相頻特性、通頻帶和截止頻率;,5.多級(jí)放大電路的頻率響應(yīng),包括幅頻特性和相頻特性、通頻帶和截止頻率的近似估算。,3.晶體管的高頻等效模型及相應(yīng)參數(shù)的計(jì)算;,4.單管共射放大電路的頻率響應(yīng)及相應(yīng)參數(shù)的計(jì)算;,作業(yè):6-1、6-4、6-5(1)、6-13,