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1、2022年9月21日星期三模擬電子技術122 晶體管伏安特性曲線及參數(shù)晶體管伏安特性曲線及參數(shù)221 晶體管共發(fā)射極特性曲線晶體管共發(fā)射極特性曲線一、共發(fā)射極輸出特性曲線一、共發(fā)射極輸出特性曲線1.放大區(qū)2.飽和區(qū)3.截止區(qū)二、共發(fā)射極輸入特性曲線二、共發(fā)射極輸入特性曲線三、溫度對晶體管特性曲線的影響三、溫度對晶體管特性曲線的影響2022年9月21日星期三模擬電子技術22-2-2 晶體管的主要參數(shù)晶體管的主要參數(shù) 一、電流放大系數(shù)一、電流放大系數(shù)二、極間反向電流二、極間反向電流三、三、結電容結電容四、晶體管的極限參數(shù)四、晶體管的極限參數(shù)23 晶體管直流工作狀態(tài)分析及偏置電路晶體管直流工作狀態(tài)分

2、析及偏置電路231晶體管的直流模型晶體管的直流模型232晶體管直流工作狀態(tài)分析晶體管直流工作狀態(tài)分析2022年9月21日星期三模擬電子技術3233 放大狀態(tài)下的偏置電路放大狀態(tài)下的偏置電路一、固定偏流電路一、固定偏流電路二、電流負反饋型偏置電路二、電流負反饋型偏置電路三、分壓式偏置電路三、分壓式偏置電路24放大器的組成及其性能指標放大器的組成及其性能指標241 基本放大器的組成原則基本放大器的組成原則242 直流通路和交流通路直流通路和交流通路2022年9月21日星期三模擬電子技術4243放大器的主要性能指標放大器的主要性能指標一、放大倍數(shù)一、放大倍數(shù)A二、輸入電阻二、輸入電阻 Ri三、輸出電

3、阻三、輸出電阻Ro四、非線性失真系數(shù)四、非線性失真系數(shù)THD五、線性失真五、線性失真25 放大器圖解分析法放大器圖解分析法251 直流圖解分析直流圖解分析252 交流圖解分析交流圖解分析253 直流工作點與放大器非線性失真的關系直流工作點與放大器非線性失真的關系2022年9月21日星期三模擬電子技術526 放大器的交流等效電路分析法放大器的交流等效電路分析法261 晶體管交流小信號電路模型晶體管交流小信號電路模型一、混合一、混合型電路模型型電路模型二、低頻二、低頻H參數(shù)電路模型參數(shù)電路模型262 共射極放大器的交流等效電路分析法共射極放大器的交流等效電路分析法27 共集電極放大器和共基極放大器

4、共集電極放大器和共基極放大器271共集電極放大器共集電極放大器272共基極放大器共基極放大器273 三種基本放大器性能比較三種基本放大器性能比較2022年9月21日星期三模擬電子技術628 放大器的級聯(lián)放大器的級聯(lián) 281級間耦合方式級間耦合方式282級聯(lián)放大器的性能指標計算級聯(lián)放大器的性能指標計算283 組合放大器組合放大器一、一、CCCE和和CECC組合放大器組合放大器二、二、CECB組合放大器組合放大器作業(yè)作業(yè)2022年9月21日星期三模擬電子技術7（1）掌握雙極型晶體管的工作原理、特性和參數(shù)。）掌握雙極型晶體管的工作原理、特性和參數(shù)。（2）掌握雙極型晶體管的大信號和小信號模型。了）掌握

5、雙極型晶體管的大信號和小信號模型。了解模型參數(shù)的含義。解模型參數(shù)的含義。（3）掌握晶體管基本放大器的組成、工作原理及性）掌握晶體管基本放大器的組成、工作原理及性能特點。能特點。（4）掌握靜態(tài)工作點的基本概念和偏置電路的估算。）掌握靜態(tài)工作點的基本概念和偏置電路的估算。（5）掌握圖解分析方法和小信號等效電路分析方法，）掌握圖解分析方法和小信號等效電路分析方法，掌握動態(tài)參數(shù)（掌握動態(tài)參數(shù)（）的分析方法。）的分析方法。（6）掌握多級放大電路動態(tài)參數(shù)的分析方法。）掌握多級放大電路動態(tài)參數(shù)的分析方法。omoiURRAu、第二章第二章 雙極型晶體管及其放大電路雙極型晶體管及其放大電路2022年9月21日星

6、期三模擬電子技術8ecb發(fā)射極發(fā)射極基極基極集電極集電極發(fā)射結發(fā)射結集電結集電結基區(qū)基區(qū)發(fā)射區(qū)發(fā)射區(qū)集電區(qū)集電區(qū)NPNcbeNPNPNPcbe(a)NPN管的管的原理結構原理結構示意圖示意圖(b)電路符號電路符號2-1 雙極型晶體管的工作原理雙極型晶體管的工作原理Base collector emitter BJT(Bipolar Junction Transistor)，簡稱晶體管晶體管或三極管。三極管。2022年9月21日星期三模擬電子技術9P集電極基極發(fā)射極集電結發(fā)射結發(fā)射區(qū)集電區(qū)(a)NPNcebPNPcebb基區(qū)ec(b)N襯底N型外延PNcebSiO2絕緣層集電結基區(qū)發(fā)射區(qū)發(fā)射結集

7、電區(qū)(c)NN(c)平面管結構剖面圖平面管結構剖面圖圖圖2-1 晶體管的結構與符號晶體管的結構與符號2022年9月21日星期三模擬電子技術10結構特點結構特點 1.三區(qū)二結三區(qū)二結2.基區(qū)很?。◣讉€微米至幾十個微米）基區(qū)很?。◣讉€微米至幾十個微米）3.e區(qū)重摻雜、區(qū)重摻雜、c區(qū)輕摻雜、區(qū)輕摻雜、b區(qū)摻雜最輕區(qū)摻雜最輕4.Sc結結Se結結2022年9月21日星期三模擬電子技術11 2-1-1放大狀態(tài)下晶體管中載流子的傳輸過程放大狀態(tài)下晶體管中載流子的傳輸過程一、發(fā)射區(qū)向基區(qū)一、發(fā)射區(qū)向基區(qū)注入注入電子電子二、電子在基區(qū)中邊二、電子在基區(qū)中邊擴散擴散邊復合邊復合三、擴散到集電結的電子被集電區(qū)三、擴

8、散到集電結的電子被集電區(qū)收集收集（發(fā)射結正偏，集電結反偏）（發(fā)射結正偏，集電結反偏）基區(qū)從厚變薄，兩個基區(qū)從厚變薄，兩個PN結演變?yōu)槿龢O管，這是量結演變?yōu)槿龢O管，這是量變引起質變的一個實例。變引起質變的一個實例。2022年9月21日星期三模擬電子技術12圖圖22 晶體管內載流子的運動和各極電流晶體管內載流子的運動和各極電流cICeIENPNIBRCUCCUBBRBICBO15VbIBNIEPIENICN雙極型三極管的電流傳輸關系雙極型三極管的電流傳輸關系.avi2022年9月21日星期三模擬電子技術132-1-2 電流分配關系電流分配關系CBOEPBNBIIIIENEPEIIICBOCNCII

9、ICBEIIIcICeIENPNIBRCUCCUBBRBICBObIBNIEPIENICNIBICIEENI跨越兩個跨越兩個PN節(jié)，體現(xiàn)了放大作用節(jié)，體現(xiàn)了放大作用2022年9月21日星期三模擬電子技術14 一、直流電流放大系數(shù)一、直流電流放大系數(shù)ECBOCEBEENENCNECNIIIIIIIII基區(qū)傳輸效率發(fā)射區(qū)發(fā)射效率一般99.097.0cICeIENPNIBRCUCCUBBRBICBObIBNIEPIENICN2022年9月21日星期三模擬電子技術15一般20020CBOBCBOCEPBNCNCNECNIIIIIIIIIIcICeIENPNIBRCUCCUBBRBICBObIBNIEP

10、IENICN2022年9月21日星期三模擬電子技術161EEECNECNIIIIII1)1(CNCNECNIIII共射、共基直流電流放大系數(shù) 、間關系112022年9月21日星期三模擬電子技術17 若忽略 ICBO,則,BCIIBEII)1(,ECIIEBII)1(二、二、IC、IE、IB、三者關系三者關系：CBOBCBOCIIIIECBOCIII 2022年9月21日星期三模擬電子技術1822 晶體管伏安特性曲線及參數(shù)晶體管伏安特性曲線及參數(shù)全面描述晶體管各極電流與極間電壓關系的曲線。圖23晶體管的三種基本接法（組態(tài)）cebiBiC輸出回路輸入回路(a)共發(fā)射極(Common Emitter

11、)(b)共集電極(Common Collecter)(c)共基極(Common Base)輸入回路輸入回路（接信號源，加入信號）；輸出回路輸出回路（接負載，取出信號）；ecbiBiEceiEiCb2022年9月21日星期三模擬電子技術19 221 晶體管共發(fā)射極特性曲線晶體管共發(fā)射極特性曲線一、共發(fā)射極輸出特性曲線一、共發(fā)射極輸出特性曲線圖24共發(fā)射極特性曲線測量電路 常數(shù)BiCECufi)(AmAVViBiCUCCUBBRCRBuBEuCE2022年9月21日星期三模擬電子技術20uCE/V5101501234飽和區(qū)截止區(qū)IB40A30A20A10A0AiBICBO放大區(qū)iC/mAuCEuB

12、E圖25 共射輸出特性曲線共發(fā)射極接法輸出特性曲線共發(fā)射極接法輸出特性曲線.aviActive RegionCutoff RegionSaturation Region2022年9月21日星期三模擬電子技術21cICeIENPNIBRCUCCUBBRBICBObIBNIEPIENICN1.放大區(qū)（發(fā)射結正偏，集電結反偏）（1）uCE 變化時,IC 影響很?。ê懔魈匦裕?）基極電流 iB 對集電極電流 iC 的控制作用很強（3）交流電流放大倍數(shù)常數(shù)CEuBCII2022年9月21日星期三模擬電子技術22cICeIENPNIBRCUCCUBBRBb2.飽和區(qū)（發(fā)射結和集電結均處于正向偏置）E結正

13、偏結正偏C結零偏的正向傳輸結零偏的正向傳輸（1）i B 一定時，i C 比放大時要?。?）U CE 一定時 i B 增大，i C 基 本不變C結正偏結正偏E結零偏的反向傳輸結零偏的反向傳輸內部載流子的傳輸過程分解為內部載流子的傳輸過程分解為2022年9月21日星期三模擬電子技術23臨界飽和：UCE=UBE，即UCB=0（C結零偏）。飽和壓降（一般飽和|深度飽和）UCE(sat)=0.5V|0.3V（小功率Si管）；UCE(sat)=0.2V|0.1V（小功率Ge管）。飽和（saturation）關于飽和區(qū)的說明關于飽和區(qū)的說明2022年9月21日星期三模擬電子技術24cICeIENPNIBRC

14、UCCUBBRBb3.截止區(qū)（發(fā)射結和集電結均處于反向偏置）三個電極均為反向電流，所以數(shù)值很小。（1）i B=-i CBO（此時i E=0）以下稱為截止區(qū)（2）工程上認為：i B=0 以下即為截止區(qū)。因為在i B=0 和i B=-i CBO 間，放大作用很弱ICBOIEBO2022年9月21日星期三模擬電子技術25 c 結結e 結結正偏正偏反偏反偏正偏正偏 反偏反偏晶體管的工作狀態(tài)總結晶體管的工作狀態(tài)總結飽和飽和放大放大截止截止倒置放大倒置放大2022年9月21日星期三模擬電子技術26 二、共發(fā)射極輸入特性曲線二、共發(fā)射極輸入特性曲線（1）U CE=0 時，晶體管相當于兩個并聯(lián)二極管，i B

15、很大，曲線明顯左移。（2）0 UCE 1 時，隨著 UCE 增加，曲線右移，特別在 0 UCE1 時，曲線近似重合。2022年9月21日星期三模擬電子技術27三、溫度對晶體管特性曲線的影響三、溫度對晶體管特性曲線的影響T，uBE：CmVmVTuBE)/5.22(T，ICBO ：1012122TTCBOCBOIIT，：CT/)15.0(CBOBCIII)1(T，IC ：結結 論論 2022年9月21日星期三模擬電子技術282-2-2 晶體管的主要參數(shù)晶體管的主要參數(shù) 一、電流放大系數(shù)一、電流放大系數(shù)1.共射直流放大系數(shù)反映靜態(tài)時集電極電流與基極電流之比。2.共射交流放大系數(shù)反映動態(tài)時的電流放大特

16、性。在以后的計算中，不必區(qū)分。由于 ，呈線性關系CEOBCBOBCIIIII)1(因此2022年9月21日星期三模擬電子技術294.共基交流放大系數(shù) 3.共基直流放大系數(shù)常數(shù)CBECuII在以后的計算中，不必區(qū)分。由于 ，呈線性關系CBOECIII因此2022年9月21日星期三模擬電子技術30二、極間反向電流二、極間反向電流1 ICBO發(fā)射極開路時，集電極基極間的反向電流，稱為集電極反向飽和電流。2 ICEO基極開路時，集電極發(fā)射極間的反向電流，稱為集電極穿透電流。3 IEBO集電極開路時，發(fā)射極基極間的反向電流。2022年9月21日星期三模擬電子技術31三、三、結電容結電容包括發(fā)射結電容Ce

17、 和集電結電容Cc 四、晶體管的極限參數(shù)四、晶體管的極限參數(shù) 1 擊穿電壓U(BR)CBO指發(fā)射極開路時，集電極基極間的反向擊穿電壓。U(BR)CEO指基極開路時，集電極發(fā)射極間的反向擊穿電壓。U(BR)CEO ICM時，雖然管子不致于損壞，但值已經明顯減小。例如：3DG6(NPN)，U(BR)CBO=115V，U(BR)CEO=60V，U(BR)EBO=8V。2022年9月21日星期三模擬電子技術333 集電極最大允許耗散功率PCM PCM(Maximum Power Dissipation)表示集電極上允許損耗功率的最大值。超過此值就會使管子性能變壞或燒毀。PCM與管芯的材料、大小、散熱條

18、件及環(huán)境溫度等因素有關。PCM=ICUCE2022年9月21日星期三模擬電子技術34uCE工作區(qū)iC0安全ICMU(BR)CEOPCM圖27 晶體管的安全工作區(qū) 功耗線過損耗區(qū)擊穿區(qū)過流區(qū)Safe Operating Area 2022年9月21日星期三模擬電子技術3523 晶體管直流工作狀態(tài)分析及偏置電路晶體管直流工作狀態(tài)分析及偏置電路直流工作狀態(tài)分析（靜態(tài)分析）將輸入、輸出特性曲線線性化（即用若干直線段表示）等效電路（模型）靜態(tài)：由電源引起的一種工作狀態(tài)2022年9月21日星期三模擬電子技術36(a)輸入特性近似 圖28晶體管伏安特性曲線的折線近似uBE0iBUBE(on)0uCEiCUC

19、E(sat)IB 0(b)輸出特性近似 231晶體管的直流模型晶體管的直流模型2022年9月21日星期三模擬電子技術37 圖29晶體管三種狀態(tài)的直流模型(a)截止狀態(tài)模型；(b)放大狀態(tài)模型；(c)飽和狀態(tài)模型(b)ebcIBIBUBE(on)(a)ebc(c)ebcUBE(on)UCE(sat)2022年9月21日星期三模擬電子技術38例例1 晶體管電路如圖210(a)所示。若已知晶體管工作在放大狀態(tài)，=100，試計算晶體管的IBQ，ICQ和UCEQ。ICQUCEQ270kRBUBB6VIBQUCC12VRC3k(a)電路2022年9月21日星期三模擬電子技術39(b)直流等效電路圖210晶

20、體管直流電路分析eRBUBE(on)bIBQIBQcICQUCCRCUCEQ2022年9月21日星期三模擬電子技術40 解解 因為UBB使e結正偏，UCC使c結反偏，所以晶體管可以工作在放大狀態(tài)。這時用圖29(b)的模型代替晶體管，便得到圖2-10(b)所示的直流等效電路。由圖可知)(onBEBBQBBURIUVRIUUmIImRUUICCQCCCEQBQCQBonBEBBBQ63212202.010002.02707.06)(故有2022年9月21日星期三模擬電子技術41 232晶體管工作狀態(tài)分析晶體管工作狀態(tài)分析RBUBBUEERERCUCC(a)電路2022年9月21日星期三模擬電子技術

21、42RBUBBRCUCCUEEREUBE(on)IB(b)放大狀態(tài)下的等效電路2022年9月21日星期三模擬電子技術43 圖211晶體管直流分析的一般性電路RBUBBRCUCCUEEREUBE(on)(c)飽和狀態(tài)下的等效電路UCE(sat)2022年9月21日星期三模擬電子技術441.先判斷晶體管是否處于截止狀態(tài)：CCBBonBEEEBBUUUUU且若,)(則晶體管處于截止狀態(tài)；EECCCEEEBBBEUUUUUU,此時，2.再判斷晶體管是處于放大狀態(tài)還是飽和狀態(tài)：晶體管工作狀態(tài)的判斷方法晶體管工作狀態(tài)的判斷方法2022年9月21日星期三模擬電子技術45 UBB-UEE-UBE(on)=IB

22、QRB+(1+)IBQRE)()1()(ECCQEECCCEQEQBQCQEBOnBEEEBBBQRRIUUUIIIRRUUUI)(onBECEQUU若方法1：則晶體管處于放大狀態(tài)；則晶體管處于飽和狀態(tài)；)(onBECEQUU若2022年9月21日星期三模擬電子技術46ECOnBEEECCsatCRRUUUI)()()()(satCsatBII)(satBBQII若)(satBBQII若方法2：則晶體管處于放大狀態(tài)；則晶體管處于飽和狀態(tài)；2022年9月21日星期三模擬電子技術47ECQBQsatCECCQEECCECQBQonBEBBQEEBBRIIURIUURIIURIUU)()()()(晶

23、體管處于飽和狀態(tài)時：2022年9月21日星期三模擬電子技術48補充例題1電路補充例題補充例題1 晶體管電路如下圖所示。已知=100，試判斷晶體管的工作狀態(tài)。5VRBUBBRERCUCC500K1K2K 12V2022年9月21日星期三模擬電子技術491.先判斷晶體管是否處于截止狀態(tài)：CCBBonBEBBUUUU且,)(晶體管不處于截止狀態(tài)；2.再判斷晶體管是處于放大狀態(tài)還是飽和狀態(tài)：UBB-UBE(on)=IBQRB+(1+)IBQREmARRUUIEBOnBEBBBQ2)(1072.01015007.05)1(2022年9月21日星期三模擬電子技術50)(onBECEQUU晶體管處于放大狀態(tài)

24、；mAIIBQCQ72.01072.01002VRRIUUECCQCCCEQ10372.012)(2022年9月21日星期三模擬電子技術51補充例題2電路補充例題補充例題2 晶體管電路如下圖所示。已知=100，試判斷晶體管的工作狀態(tài)。5VRBUBBRCUCC50K2K 12V2022年9月21日星期三模擬電子技術521.先判斷晶體管是否處于截止狀態(tài)：CCBBonBEBBUUUU且,)(晶體管不處于截止狀態(tài)；2.再判斷晶體管是處于放大狀態(tài)還是飽和狀態(tài)：UBB-UBE(on)=IBQRBmARUUIBOnBEBBBQ2)(106.8507.052022年9月21日星期三模擬電子技術53則VUsat

25、CE5.0)(設0CEQU晶體管不可能處于放大區(qū)，而應工作在飽和區(qū)；mAIIBQCQ6.8106.81002VRIUUCCQCCCEQ2.526.812mARUUICsatCECCCQ75.525.012)(VUCEQ5.02022年9月21日星期三模擬電子技術54例例2 晶體管電路及其輸入電壓ui的波形如圖2-12(a),(b)所示。已知=50，試求ui作用下輸出電壓uo的值，并畫出波形圖。R33kUCC5VRB39kuiuo(a)電路2022年9月21日星期三模擬電子技術55 圖212例題2電路及ui,uo波形圖05tuo/V0.3(c)uo波形圖03tui/V(b)ui波形圖2022年9

26、月21日星期三模擬電子技術56 解解當ui=0時，UBE=0，則晶體管截止。此時，ICQ=0,uo=UCEQ=UCC=5V。當ui=3V時，晶體管導通且有mImIsatCBQ028.0504.106.0)(而集電極臨界飽和電流為 因為 mRUuIBonBEiBQ06.0397.03)(mRUUIConBECCsatC4.137.05)()(2022年9月21日星期三模擬電子技術57所以晶體管處于飽和。ICQIC(sat)=1.4mA，uo=UCEQ=UCE(sat)=0.3V。uo波形如圖212(c)所示。2022年9月21日星期三模擬電子技術58 233 放大狀態(tài)下的偏置電路放大狀態(tài)下的偏置

27、電路 一、固定偏流電路一、固定偏流電路圖213固定偏流電路RBUCCRCBCCBonBECCBQRURUUI)(只要合理選擇RB，RC的阻值，晶體管將處于放大狀態(tài)。,BQCQIICCQCCCEQRIUU2022年9月21日星期三模擬電子技術59CBOBCIII)1(若 T，則IC 導致 UC BCCCCRIUU即：電路的靜態(tài)工作點Q(UCEQ,ICQ)不穩(wěn)定。RBUCCRC固定偏流電路的缺點固定偏流電路的缺點2022年9月21日星期三模擬電子技術60二、電流負反饋型偏置電路二、電流負反饋型偏置電路圖214 電流負反饋型偏置電路RBUCCRCRE若 ICQEBonBECCBQRRUUI)1()(

28、IEQUEQ(=IEQRE)UBEQ(=UBQ-UEQ)IBQICQ)(ECCQCCCEQRRIUUBQCQII2022年9月21日星期三模擬電子技術61三、分壓式偏置電路三、分壓式偏置電路(a)電路RB1UCCRCRERB2圖215分壓式偏置電路1I鍺管）硅管）()2010()105(BQBQII兼顧UCEQCCBUU)3151(為確保UB固定I1 I2 IBQRB1、RB2的取值愈小愈好增大電源UCC的無謂損耗取I1I2UB=?2022年9月21日星期三模擬電子技術62RB1UCCRCRERB2(b)用戴維南定理等效后的電路UCCRCRERBUBB圖215分壓式偏置電路baRCRERB1U

29、CCRB2baCCBBBBBBURRRUU212 RB=RB1RB22022年9月21日星期三模擬電子技術63EBQBEQBQRIUU)1(時）（當BERR)1(EEBonBEBBBEQRRRUUU)1()1()(BBUUCCRCRERBICQUBBIBQI1 I2 IBQBERR)1(與等價I1 I2 IBQ當時BBBQUU所以2022年9月21日星期三模擬電子技術64RB1UCCRCRERB2 UEQ(=IEQRE)ICQ分壓式偏置電路如何穩(wěn)定Q點?若 ICQIEQUBEQ(=UBQ-UEQ)IBQ2022年9月21日星期三模擬電子技術65例例3 電路如圖215(a)所示。已知=100,U

30、CC=12V,RB1=39k,RB2=25k,RC=RE=2k，試計算工作點ICQ和UCEQ。kRRRBBB15253921 解解 RB1UCCRCRERB2VRRIUUECCQCCCEQ4.4)22(9.112)(VURRRUCCBBBBB7.412253925212mARRUUIEBonBEBBBQ019.02101157.07.4)1()(mAIIBQCQ9.1019.01002022年9月21日星期三模擬電子技術66若按估算法直接求ICQ，則：mARUUIEonBEBQCQ227.07.4)(BERR)1(RB1UCCRCRERB2誤差：%3.59.19.12時，誤差很小。按估算法求C

31、QI2022年9月21日星期三模擬電子技術6724放大器的組成及其性能指標放大器的組成及其性能指標 圖216共射極放大電路RCUoVUsRsUiC1RB(UCC)C2RLUS、RS：正弦信號源電壓及內阻正弦信號源電壓及內阻UCC：直流電源直流電源RB：基極偏置電阻基極偏置電阻RC：集電極負載電阻集電極負載電阻RL：負載電阻負載電阻C1(C2)：耦合電容耦合電容UCC2022年9月21日星期三模擬電子技術68（1）直流偏置使放大器工作在放大區(qū)。）直流偏置使放大器工作在放大區(qū)。（2）當靜態(tài)工作點設置在放大區(qū)后，就要疊加需）當靜態(tài)工作點設置在放大區(qū)后，就要疊加需要放大的交流小信號要放大的交流小信號U

32、S，為了，為了不影響電路的直流工不影響電路的直流工作作(靜態(tài)工作點靜態(tài)工作點)。必須選擇合理的疊加方式。該圖。必須選擇合理的疊加方式。該圖采用采用阻容耦合連接方式阻容耦合連接方式。選擇合適的電容。選擇合適的電容C1、C2使使其電容阻抗對交流信號近似短路，這樣交流信號可其電容阻抗對交流信號近似短路，這樣交流信號可以無損耗的送入輸入端。而電容對直流信號而言，以無損耗的送入輸入端。而電容對直流信號而言，又近似開路。又近似開路。放大電路中各元件的作用放大電路中各元件的作用2022年9月21日星期三模擬電子技術69 241基本放大器基本放大器的組成原則的組成原則(1)晶體管偏置在放大狀態(tài)，且有合適的工作

33、點。(2)輸入信號必須加在基極發(fā)射極回路。(3)須有合理的信號通路。只有一個放大管的放大器，共有三種組態(tài)。需進行交流分析需進行直流分析RCUoUsVRsUiC1RB(UCC)C2RLUCC)1e(TBESEUuIi2022年9月21日星期三模擬電子技術70 242直流通路和交流通路直流通路和交流通路分析對象：直流成份、直流通路（偏置電路）分析對象：直流成份、直流通路（偏置電路）直流（靜態(tài)）分析：直流（靜態(tài)）分析：交流（動態(tài)）分析交流（動態(tài)）分析：加入交流信號，加入交流信號，即即ui0當放大器沒有送入交流信號時，即當放大器沒有送入交流信號時，即ui=0=0分析對象：交流成分、交流通路分析對象：交

34、流成分、交流通路2022年9月21日星期三模擬電子技術71（1）畫直流通路的原則C開路L短路（2）畫交流通路的原則C短路 L保留直流電源對地短路（恒壓源處理）直流電源作恒壓源處理2022年9月21日星期三模擬電子技術72圖217(a)共射放大器的直流通路RBUCCRCRCUoUsVRsUiC1RB(UCC)C2RLUCC2022年9月21日星期三模擬電子技術73RCUoUsRsRBRLIiIo習慣用有效值畫交、直流通路練習題幾種常見的偏置電路圖217(b)共射放大器的交流通路RCUoUsVRsUiC1RB(UCC)C2RLUCC2022年9月21日星期三模擬電子技術74 243放大器的主要性能

35、指標放大器的主要性能指標線性放大器IoRLUoUiIi圖218 放大器等效為有源二端口網絡的框圖線性放大的基本概念幅度增大（放大）頻譜不變（波形）2022年9月21日星期三模擬電子技術75線性放大器Io+_Uo+_UiIi信號源信號源負負 載載信號源信號源負負 載載放大器二端口網絡通用模型UoIoUiIi電壓放大器電壓放大器互導放大器互導放大器互阻放大器互阻放大器電流放大器電流放大器2022年9月21日星期三模擬電子技術76UsAuoUiRLRsUiRiRoUoIsAisIiRLRsRiRoIoIiAroIiRLRiRoUoIsIiRoAgsUiRLRiRoIoUsRsUi 圖219放大器二端

36、口網絡模型(a)電壓放大器(b)電流放大器(c)互導放大器(d)互阻放大器低頻小信號放大器的三個主要指標:放大倍數(shù)放大倍數(shù)、輸入電阻、輸入電阻、輸出電阻、輸出電阻2022年9月21日星期三模擬電子技術77 一、放大倍數(shù)一、放大倍數(shù)AiouUUA 電壓放大倍數(shù)電流放大倍數(shù)互導放大倍數(shù) 互阻放大倍數(shù)ioiIIA iogUIA iorIUA 其中，Au和Ai為無量綱的數(shù)值，而Ag的單位為西門子(S)，Ar的單位為歐姆()。有時為了方便，Au和Ai可取分貝(dB)為單位，即),(lg20),(lg20dBIIAdBUUAioiiou2022年9月21日星期三模擬電子技術78二、輸入電阻二、輸入電阻 R

37、i(Input Resistance)iiiIUR UsAuoUiRLRsUiRiRoUo(a)電壓放大器Ii2022年9月21日星期三模擬電子技術79三、輸出電阻三、輸出電阻Ro(Output Resistance)00sIUooosIUR或UsAuoUiRLRsUiRiRoUo(a)電壓放大器IiIo加壓求流法2022年9月21日星期三模擬電子技術80 四、非線性失真系數(shù)四、非線性失真系數(shù)THDmnmIITHD122由于小信號非線性失真很小，一般只在大信號工作時才考慮THD指標。普通功放THD在（110%），高保真功放在1%之內。當輸入某一頻率的正弦信號時，其輸出波形中除基波I1m成分之外

38、，還包含有一定數(shù)量的諧波In,n=2,3,，該失真為非線性失真。它是由放大電路中的非線性器件引起。2022年9月21日星期三模擬電子技術81放大器對輸入信號中的不同頻率分量具有不同的放大倍數(shù)和附加相移，輸出波形相對輸入波形產生畸變，稱為放大器的線性失真或頻率失真。這是由于放大器中含有線性電抗元件引起。五、線性失真五、線性失真兩種失真的區(qū)別 線性失真僅使信號中各頻率分量的幅度和相位發(fā)生相對變化，但不會產生新的頻率分量；非線性失真則產生了新的頻率分量。2022年9月21日星期三模擬電子技術82下次課預習要求下次課預習要求.預習預習25 放大器圖解分析法放大器圖解分析法.什么叫直流負載線？什么叫交流

39、負載線？它們的斜什么叫直流負載線？什么叫交流負載線？它們的斜率如何確定？率如何確定？.如何確定放大器的輸出動態(tài)范圍？如何確定放大器的輸出動態(tài)范圍？2-82-102-13作作 業(yè)業(yè)2022年9月21日星期三模擬電子技術83動態(tài)：由交流信號源引起的一種工作狀態(tài)。動態(tài)分析方法：圖解法、等效電路法。圖解法：在晶體管特性曲線上通過作圖確定信號變化量之間的關系。特點：形象、直觀，便于理解放大原理、波形關系及非線性失真；適用于大信號分析，對于小信號放大器，用圖解法難以準確地進行定量分析。等效電路法：利用器件的小信號模型進行電路分析，確定信號變化量之間的關系。特點：適用于小信號，運算簡便，誤差小。2022年9

40、月21日星期三模擬電子技術8425 放大器圖解分析法放大器圖解分析法 251直流圖解分析直流圖解分析直流負載線方程特性曲線方程CCCCCEIiCECRiUuufiBQB)(1.輸出回路分析輸出回路分析2022年9月21日星期三模擬電子技術85圖220共射放大器的直流、交流通路RBUCCRCIBQICQUCEQRCUoUiRBRLiBiCUCE(a)直流通路(b)交流通路2022年9月21日星期三模擬電子技術86iBIBQuCE0NQMiCUCEQUCCICQUCCRC(a)直流負載線與Q點CR1:斜率為由于UCC，導致收音機聲音混濁不清。圖221放大器的直流圖解分析2022年9月21日星期三模

41、擬電子技術87圖221放大器的直流圖解分析(b)Q點與RB、RC的關系uCE/V21012012340A30A20A10AiC/mA4684MNQRBQ3Q2Q4RCRBQ1RC2022年9月21日星期三模擬電子技術88例例4 在圖220(a)電路中，若RB=560k,RC=3k,UCC=12V，晶體管的輸出特性曲線如圖221(b)所示，試用圖解法確定直流工作點。umRUUIBBEQCCBQ2002.05607.012解解 取UBEQ=0.7V，由估算法可得在輸出特性上找兩個特殊點：當uCE=0時，iC=UCC/RC=12/3=4mA，得M點；當iC=0時，uCE=UCC=12V，得N點。由圖

42、中Q點的坐標可得，ICQ=2mA,UCEQ=6V。2022年9月21日星期三模擬電子技術89252交流圖解分析交流圖解分析ceCEQCEcCQCuUuiIi,瞬時值 直流值 交流值 1.輸入回路分析輸入回路分析RCUoUiRBRLiBUBE2022年9月21日星期三模擬電子技術90iBIBQtiBIBQuBEuBEtiBmaxiBminQUBEQ圖222放大器的交流圖解分析(a)輸入回路的工作波形2022年9月21日星期三模擬電子技術91 2.輸出回路分析輸出回路分析LCCERiuceCEQCEcCQCuUuiIi,RCUoUiRBRLiCuCEceCEQCECEuUuucCQCCiIiiLC

43、QCCEQCERIiUu)(交流負載線方程2022年9月21日星期三模擬電子技術92圖222放大器的交流圖解分析(b)輸出回路的工作波形QiCiBmaxiBminiCICQttuCEuCEUCCUCEQICQRLICQUCCRC交流負載線 kRL1Q1Q2IBQA放大電路的動態(tài)圖解分析放大電路的動態(tài)圖解分析.avi2022年9月21日星期三模擬電子技術93圖223共射極放大器的電壓、電流波形RCUoUsVRsUiC1RB(UCC)C2RLUCCtui0tuBEUBE Q0uCEtUCEQ0uo0tiBtIBQ0iCtICQ02022年9月21日星期三模擬電子技術942-5-3直流工作點與放大器

44、非線性失真的關系直流工作點與放大器非線性失真的關系Q交流負載線iC0t0iCiBuCEuCE0t圖224 Q點不合適產生的非線性失真(a)截止失真2022年9月21日星期三模擬電子技術95圖224 Q點不合適產生的非線性失真(b)飽和失真Q交流負載線iCiCiB0tuCEuCE0t0放大器的截止失真和飽和失真放大器的截止失真和飽和失真.avi2022年9月21日星期三模擬電子技術96LCQomRIUCESCEQomUUU Uopp=2Uom 放大器輸出動態(tài)范圍：受截止失真限制，其最大不失真輸出電壓的幅度為因飽和失真的限制，最大不失真輸出電壓的幅度為其中較小的即為放大器最大不失真輸出電壓的幅度，

45、而輸出動態(tài)范圍Uopp則為該幅度的兩倍，即放大器的最大不失真輸出幅度放大器的最大不失真輸出幅度.avi2022年9月21日星期三模擬電子技術9726 放大器的交流等效電路分析法放大器的交流等效電路分析法261 晶體管交流小信號電路模型晶體管交流小信號電路模型交流工作狀態(tài)分析（動態(tài)分析）在Q點處對輸入、輸出特性曲線線性化（即用直線段表示）Q點處的交流小信號等效電路（線性等效模型）便于交流參數(shù)計算，適用于小信號狀態(tài)。2022年9月21日星期三模擬電子技術98 一、混合一、混合型電路模型型電路模型 圖225晶體管放大過程分析及電路模型uceibubeicgmubeubeucerbercerbcbce

46、(a)共發(fā)射極晶體管(b)電路模型2022年9月21日星期三模擬電子技術99gmub eubeucercebcerbbCb crb ebrb cCb e(a)高頻時的電路模型圖227完整的混合型電路模型2022年9月21日星期三模擬電子技術100(b)低頻時的電路模型圖227完整的混合型電路模型gmub eubeucercebcerbbrb ebrb c2022年9月21日星期三模擬電子技術101 二、低頻二、低頻H參數(shù)電路模型參數(shù)電路模型適用范圍：線性四端網絡uBEuCEiBiC等；其中：beBEQBEuUu取iB和uCE為自變量，則有：電路的網絡參數(shù)很多，如：Z參數(shù)，Y參數(shù)，A參數(shù)，H參數(shù)

47、等。低頻、小信號（振幅低頻、小信號（振幅2.6mV左右）交流信號。左右）交流信號。2022年9月21日星期三模擬電子技術102),(),(CEB2CCEB1BEuifiuifuCEQCECBQBCCCEQCEBEBQBBEBEduuidiiididuuudiiuducecebfeccerebiebeuhihiuhihu因為，在Q點處，將輸入、輸出特性曲線線性化所以，duBE、diC等式成立 uBE、iC等式成立ube、ic等式成立 Ube、Ic等式成立cecebfeccerebiebeUhIhIUhIhU交流值有效值（正弦量）BEQbeBEQBEUuUu)(2022年9月21日星期三模擬電子技

48、術1030cecQCECoe0bcQBCfe0cebeQCEBEre0bbeQBBEiebcebceIUIUUIuihIIiihUUuuhIUiuh輸出交流短路時的輸入電阻輸入交流開路時的反向電壓傳輸系數(shù)輸出交流短路時的電流放大系數(shù)輸入交流開路時的輸出電導CEQCECBQBCCCEQCEBEBQBBEBEduuidiiididuuudiiudu2022年9月21日星期三模擬電子技術104UbeUcebcehiehoe1hfeIbIcIbhreUce圖228 共發(fā)射極晶體管H參數(shù)電路模型2022年9月21日星期三模擬電子技術105圖229在特性曲線上求H參數(shù)的方法uBEQIBQuBEiB(a)i

49、B0UBEQuCEUCEQ0bbeQBBEieceUIUiuh輸入電阻2022年9月21日星期三模擬電子技術106uBEQIBQuBEiB(b)0uBE1uCE1uCE2uCEuBE2圖229在特性曲線上求H參數(shù)的方法0cebeQCEBErebIUUuuh反向電壓傳輸系數(shù)2022年9月21日星期三模擬電子技術107圖229在特性曲線上求H參數(shù)的方法0bcQBCfeceUIIiih電流放大系數(shù)0iCuCE(c)QUCEQIB2IB1IBiC1iC2iC2022年9月21日星期三模擬電子技術1080iCuCE(d)QUCEQIBQiC2iC1iCuCE2uCE1uCE圖229在特性曲線上求H參數(shù)的

50、方法0cecQCECoebIUIuih輸出電導2022年9月21日星期三模擬電子技術109ACQCEQACQQCECoeBQUIUUIuihIiCUA0UCEQuCEICQuCEQ iCIBQ圖230利用厄爾利電壓求hoe厄爾利電壓(Early Voltage)2022年9月21日星期三模擬電子技術110Uce 0UbercebcerbbrbebrbcIbgmUb e Ic圖231求H參數(shù)用的混合型電路(a)輸出交流短路的混合型電路 2022年9月21日星期三模擬電子技術111圖231求H參數(shù)用的混合型電路(b)輸入交流開路的混合型電路Ubercebcerbbrbebrb cgmUb e Ic

51、Ib 0Uce2022年9月21日星期三模擬電子技術112cbebeb0ceberecbebebmce0cceoecbebm0bcfecbebbb0bbeiebbcece11)()(rrrUUhrrrgrIUhrrgIIhrrrIUhIIUU2022年9月21日星期三模擬電子技術113如果忽略r bc的影響，則式(240)可簡化為01)1(receoeebmfebeebbiehrhrghrrrh1K左右2020010-510-310-42022年9月21日星期三模擬電子技術114UbeUce(rce)bcehie(rbe)hoe1hfeIbIcIb(Ib)圖232 實用的低頻H參數(shù)電路模型20

52、22年9月21日星期三模擬電子技術115 2-6-2 共射極放大器的交流等效電路分析法共射極放大器的交流等效電路分析法根據(jù)直流通路估算直流工作點確定放大器交流通路、交流等效電路計算放大器的各項交流指標2022年9月21日星期三模擬電子技術116UoUiUsRsRB2C1RECERLUCCRCRB1C2圖233共射極放大器及其交流等效電路(a)電路2022年9月21日星期三模擬電子技術117(b)交流等效電路圖233共射極放大器及其交流等效電路UiRiRsRB2rbeIiRCRLUoeIbIbrceRoIcIobcRB12022年9月21日星期三模擬電子技術1181.電壓放大倍數(shù)AubeLbeL

53、CioLCbLCcobebi)()()(rRrRRUUARRIRRIUrIUu輸出、輸入電壓反相LCLCQbbebbbe)()mV()mV(26)1(RRRIrrrr2022年9月21日星期三模擬電子技術119關于電壓放大倍數(shù)Au的討論成正比；無關，而與時，與當CQ.1ICQLLmbeL)mV(26IRRgrRAu由于成正比。與L.2R2022年9月21日星期三模擬電子技術120 2.電流放大倍數(shù)AiiiARRRrRRIIARrRIIRRRIRRRIILCCbeBBioBbeBbiLCCbLCCco2022年9月21日星期三模擬電子技術121 3.輸入電阻RibebeB2B1iii/rrRRI

54、UR4.輸出電阻RoC0ooosRIURU5.源電壓放大倍數(shù)AusuuARRRUUUUUUAisiiosisos2022年9月21日星期三模擬電子技術122 6.發(fā)射極接有電阻RE時的情況Ebbebi)1(RIrIUUsRsUiRb2Rb1RErbeIbRCRLUoIb 圖235 發(fā)射極接電阻時的交流等效電路2022年9月21日星期三模擬電子技術123EmLmEbeLio1)1(RgRgRrRUUAu時）當beEEL)1(rRRRAuEbebii)1(RrIURRi=RB1RB2R2022年9月21日星期三模擬電子技術124例例5 在圖233(a)電路中，若RB1=75k，RB2=25k,RC

55、=RL=2k,RE=1k,UCC=12V，晶體管采用3DG6管，=80,r bb=100,Rs=0.6k,試求該放大器的直流工作點ICQ、UCEQ及Au,Ri,Ro和Aus等項指標。V1.5)12(3.212)(mA3.217.03V312257525ECCQCCCEQEBEQBEQCQCCB2B1B2BRRIUURUUIIURRRU 解解 按估算法計算Q點：2022年9月21日星期三模擬電子技術125k122k13.2268010026LCLCQbbbebeLioRRRIrrrRUUAu式中：50)80(16.01k2k111575801180isisosCobeB2B1iuuuARRRUU

56、ARRrRRRA的阻值代入上式，得，將LbeRr2022年9月21日星期三模擬電子技術126例例6 在上例中，將RE變?yōu)閮蓚€電阻RE1和RE2串聯(lián)，且RE1=100,RE2=900，而旁通電容CE接在RE2兩端，其它條件不變，試求此時的交流指標。解解 由于RE=RE1+RE2=1k，所以Q點不變。對于交流通路，現(xiàn)在射極通過RE1接地。此時，各項指標分別為2022年9月21日星期三模擬電子技術1278)8.8(66.06k2k6 1.0811 2575)1(8.81.0811180)1(isisosCoE1beB2B1iE1beLiouuuARRRUUARRRrRRRRrRUUA可見，RE1的接

57、入，使得Au減小了約10倍。但是，由于輸入電阻增大，因而Aus與Au的差異明顯減小了。2022年9月21日星期三模擬電子技術128作作 業(yè)業(yè)2-282-302022年9月21日星期三模擬電子技術12927 共集電極放大器和共基極放大器共集電極放大器和共基極放大器 271共集電極放大器共集電極放大器UoUiUsRsRB2C1RERLUCCRB1C2(a)電路2022年9月21日星期三模擬電子技術130圖236共集電極放大器及交流等效電路(b)交流等效電路UiRiRsUsRB1IbRoRB2rbeIbbcIcIeRERLIoRiIie2022年9月21日星期三模擬電子技術1311.電壓放大倍數(shù)Au

58、LELLbeLioLbbebobebiLbLEeo/)1()1()1()1()/(RRRRrRUUARIrIUrIURIRRIUu因而 式中：2022年9月21日星期三模擬電子技術132 2.電流放大倍數(shù)Ai在圖236(b)中，當忽略RB1、RB2的分流作用時，則Ib=Ii，而流過RL的輸出電流Io為LEEbLEEeo)1(RRRIRRRII由此可得 LEEio)1(RRRIIAi2022年9月21日星期三模擬電子技術1333.輸入電阻RiiB2B1i/RRRRLbei)1(RrRK1,100,K1LbeRr若K102iR則：2022年9月21日星期三模擬電子技術1344.輸出電阻RoUorb

59、eRsRB2RB1IbRoRERoIoIeIoIb 圖237求共集放大器Ro的等效電路)(sbeboRrIU式中：而beo)1(IIIB2B1ss/RRRR 1sbeoooRrIUR2022年9月21日星期三模擬電子技術135所以，輸出電阻1/sbeEoE0boosRrRRRIURUK1,100,K2SbeRr若7.29oR則：UorbeRsRB2RB1IbRoRERoIoIeIoIb2022年9月21日星期三模擬電子技術136 272共基極放大器共基極放大器C1UiREC2RCRB1RB2CBUoRLUCC(a)共基極放大電路2022年9月21日星期三模擬電子技術137 圖238共基極放大器

60、及其交流等效電路(b)交流等效電路IiUiRERiIerbeRiIbIcRCRoRLIoUoIb2022年9月21日星期三模擬電子技術1381.電壓放大倍數(shù)AubebirIU IiUiRERiIerbeRiIbIcRCRoRLIoUoIbLCL/RRR beLiorRUUAu)/(LCboRRIU2022年9月21日星期三模擬電子技術139 2.電流放大倍數(shù)AiLCCcoRRRIILCCLCCecioRRRRRRIIIIAiIiUiRERiIerbeRiIbIcRCRoRLIoUoIb2022年9月21日星期三模擬電子技術1403.輸入電阻Ri1beeiirIUR1/beEiEirRRRRIi

61、UiRERiIerbeRiIbIcRCRoRLIoUoIb2022年9月21日星期三模擬電子技術1414.輸出電阻RoCoRR IiUiRERiIerbeRiIbIcRCRoRLIoUoIb2022年9月21日星期三模擬電子技術142 273 三種基本放大器性能比較三種基本放大器性能比較2022年9月21日星期三模擬電子技術1432022年9月21日星期三模擬電子技術14428 放大器的級聯(lián)放大器的級聯(lián) 281級間耦合方式級間耦合方式3.直接耦合方式直接耦合方式1.阻容耦合方式阻容耦合方式2.變壓器耦合方式變壓器耦合方式如：收音機中用的中周（中頻變壓器）。廣泛用于集成電路中。4.光電耦合方式光

62、電耦合方式2022年9月21日星期三模擬電子技術145282級聯(lián)放大器的性能指標計算級聯(lián)放大器的性能指標計算n211)o(no01o2io1iouuuuAAAUUUUUUUUA i2L1i1iRRRR1)o(nsnonoRRRR2022年9月21日星期三模擬電子技術146283 組合放大器組合放大器一、一、CCCE和和CECC組合放大器組合放大器UoRB1RiRB2RC2RLRoUiUsRsRE1Ro1V1V2(a)CCCE電路2022年9月21日星期三模擬電子技術147圖242 CCCE和CECC組合放大器(b)CECC電路UoRB1RiRB2RLRoUiV1RC1Ri2RE2V22022年

63、9月21日星期三模擬電子技術148例例8 放大電路如圖243所示。已知晶體管=100,rbe1=3k,rbe2=2k,rbe3=1.5k，試求放大器的輸入電阻、輸出電阻及源電壓放大倍數(shù)。圖243 例8電路 RsUsRE15.3kRRC23kRE33kUEE(6V)RLUo0.2kVD1V1V2V3(6V)UCC2kVZ2022年9月21日星期三模擬電子技術149解解 該電路為共集、共射和共集三級直接耦合放大器。)(1(i2E1be1i1ii2L1RRrRRRR(1)輸入電阻Ri：RsUsRE15.3kRRC23kRE33kUEE(6V)RLUo0.2kVD1V1V2V3(6V)UCC2kVZk

64、2be2i2rRk150)2/3.5)(1001(32022年9月21日星期三模擬電子技術150(2)輸出電阻Ro:k3C2o2RRRsUsRE15.3kRRC23kRE33kUEE(6V)RLUo0.2kVD1V1V2V3(6V)UCC2kVZ4510015.13/31/be3C2E3o3oo2s3rRRRRRR2022年9月21日星期三模擬電子技術151(3)源電壓放大倍數(shù)Aus:98.0)23.5(1013)23.5(101)(1()(1(i2E1be1i2E1io11RRrRRUUAuRsUsRE15.3kRRC23kRE33kUEE(6V)RLUo0.2kVD1V1V2V3(6V)U

65、CC2kVZ1302)2.03(100)/(be2i3C2i2o22rRRUUAu2022年9月21日星期三模擬電子技術15212095.0)130(98.01502150321isisosuuuuAAARRRUUA95.0)2.0/3(1015.1)2.0/3(101)/)(1()/)(1(LE3be3L3Ei3o3RRrRRUUAuK20)2.0/3(1015.1)/)(1(L3Ebe3i3RRrR2022年9月21日星期三模擬電子技術153二、二、CECB組合放大器組合放大器RB3UsRsUiC1RB2C3RB1RCC2UCCUoCERERLV2V1Uo1(a)電路2022年9月21日星

66、期三模擬電子技術154圖244 CECB組合放大器(b)交流通路UsRsRiRBUiV1Ri2V2Uo1RCRLRoUobe11Lbe1L21b1be1L2b11iorRrRaIrRaIUUAu1212ec21bc1b1c2ioaIIIIIIIIAi2022年9月21日星期三模擬電子技術155作作 業(yè)業(yè)2.12.32.62022年9月21日星期三模擬電子技術156作作 業(yè)業(yè)2-32-42-52-62-82-92-132-172-23(2)2-242-252-282-302-322-332-352022年9月21日星期三模擬電子技術157uCEtUcemuCE(max)uCE(min)有效值2cemceUU注意：注意：主字母主字母大小寫，大小寫，腳標腳標大小寫的用法大小寫的用法瞬時值UCEtucet=+直流分量交流分量2022年9月21日星期三模擬電子技術158CEBCEOBCBOBE)1()1()1()1(IIIIIIIIIIIIICEOBCBOBC式中：CBOCEO)1(II稱為穿透電流。cICEOeNPNIBRCUCCICBO15VbIBNIENICN=0cbeRCUCC15VIC