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1、 模擬電子技術基礎 第五章 放大電路的頻率響應 5.1 頻率響應概述 5.2 晶體管的高頻等效模型 5.4 單管放大電路的頻率響應 5.5 多級放大電路的頻率響應 5.3 場效應管的高頻等效模型 5.6 集成運放的頻率響應和頻率補償 模擬電子技術基礎 5.1 頻率響應概述 5.1.1 研究放大電路頻率響應的必要性 由于放大電路中存在電抗性元件及晶體管極間電容 , 所以電路的放大倍數(shù)為頻率的函數(shù) , 這種關系稱為 頻率響應或頻率特性 。 小 信號等效模型只適用于低頻信號的分析。 本章將引入高頻等效模型,并闡明放大電路的上限頻 率、下限頻率和通頻帶的求解方法,以及頻率響應的 描述方法。 模擬電子技
2、術基礎 一、 高通電路 + _ + _ C R iU OU 圖 5.1.1( a) RC 高通電路 RC C R R U U A u j 1 1 1 j 1 i O 令: L L 2 1 2 1 RCf L L L L j1 j j 1 1 j 1 1 1 f f f f f f A u 2 L L 1 f f f f A u 模: )(a r c ta n90 Lf f相角: 5.1.2 頻率響應的基本概念 fL 稱為下限截止頻率 模擬電子技術基礎 2 LL 1lg20lg20lg20 f f f fA u 則有: dB 02 0 l g L uAff 時,當 L L L lg20lg20l
3、g20 f f f fAff u 時,當 dB32lg20lg20 L uAff 時,當 2 L L 1 f f f f A u 放大電路的 對數(shù)頻率特性 稱為 波特圖 。 模擬電子技術基礎 對數(shù)幅頻特性: 實際幅頻特性曲線: 圖 5.1.3(a) 幅頻特性 當 f fL(高頻 ), 當 f fT 時, , 三極管失去放大作用; f fT 時,由式 ;1 1 2 T 0 f f 得: ff 0T 模擬電子技術基礎 3.共基截止頻率 f 值下降為低頻 0 時 的 0.707 時的頻率 。 f fj1 0 模擬電子技術基礎 f 與 f 、 fT 之間關系: 因為 , 1 f fj1 0 可得 f
4、f ff ff )1( j1 1 /j1 1 /j1 0 0 0 0 0 比較,可知與 f fj1 0 ff )1( 1 0 0 0 0 模擬電子技術基礎 說明: ff )1( 1 00 0 0 ,因為: 所以: 1. f 比 f 高很多 , 等于 f 的 (1 + 0) 倍; 2. f fT Rs, Rb rbe; (1 + gmRc)Cbc Cbe CRRgr r RR RfA u 2 1 cm be eb is i Hsm故 cbbbs )(2 1 CrR 模擬電子技術基礎 cbbbs Hsm )(2 1 CrRfA u 說明: Hsm fA u 式不很嚴格 , 但從中可以看出一個大 概
5、的趨勢 , 即選定放大三極管后 , rbb 和 Cbc 的值即被 確定 , 增益帶寬積就基本上確定 , 此時 , 若將放大倍數(shù) 提高若干倍 , 則通頻帶也將幾乎變窄同樣的倍數(shù) 。 如愈得到一個通頻帶既寬 , 電壓放大倍數(shù)又高的放大 電路 , 首要的問題是選用 rbb 和 Cbc 均小的高頻三極管 。 * 場效應管共源放大電路的增益帶寬積(自閱) 模擬電子技術基礎 復習: 1.晶體管、場效應管的 混合 模 型 2.單管共射放大電路的 頻率響應 表達式: )j1)(j1( j )j1)(j1( HL L sm H L sm s f f f f f f A f f f f A A u u u 波特圖
6、的繪制: 三段直線構成幅頻特性 五段直線構成相頻特性 模擬電子技術基礎 5.5 多級放大電路的頻率響應 5.5.1 多級放大電路頻率特性的定性分析 多級放大電路的電壓放大倍數(shù): 對數(shù)幅頻特性為: 在多級放大電路中含有多個放大管,因而在高頻等效 電路中有 多個低通電路 。在阻容耦合放大電路中,如 有多個耦合電容或旁路電容,則在低頻等效電路中就 含有 多個高通電路 。 unuuu AAAA 21 n k uk unuuu A AAAA 1 21 lg20 lg20lg20lg20lg20 模擬電子技術基礎 多級放大電路的總相位移為: 兩級放大電路的波特圖 圖 5.5.1 fH fL 幅頻特性 f
7、dB/lg20 uA O f L1 fH1 6 dB 3 dB 3 dB fBW1 fBW2 一 級 二 級 20dB/十倍頻 40dB/十倍頻 n k kn 1 21 模擬電子技術基礎 圖 5.5.1 相頻特性 270 360 fL1 fH1 f O 540 180 450 90 一 級 二 級 多級放大電路的通頻帶 , 總是比組成它的每一級的 通頻帶為窄 。 模擬電子技術基礎 5.5.2 多級放大電路的上限頻率和下限頻率的估算 2 H 2 2H 2 1HH 1111.11 nffff 2L2 2L2 1LL 1.1 nffff 在實際的多級放大電路中 , 當各放大級的時間常數(shù) 相差懸殊時
8、, 可取其主要作用的那一級作為估算的依據(jù) 即: 若某級的下限頻率遠高于其它各級的下限頻率 , 則 可認為整個電路的下限頻率就是該級的下限頻率 。 同理 若某級的上限頻率遠低于其它各級的上限頻率 , 則可認 為整個電路的上限頻率就是該級的上限頻率 。 模擬電子技術基礎 例 5.5.1 已知某電路的各級均為共射放大電路,其對數(shù)幅頻 特性如圖所示。求 下限頻率、 上限頻率和電壓放大倍數(shù)。 ( 2)高頻段只有一個拐點, 斜率為 -60dB/十倍頻程,電 路中應有三個電容,為三級 放大電路。 解:( 1)低頻段只有一個 拐點,說明影響低頻特性 的只有一個電容,故電路 的下限頻率為 10Hz。 fH0.5
9、2fH1=(0.52 2 105)Hz=106KHz ( 3)電壓放大倍數(shù) 3 5 3 ) 102 1)( 10 1( 10 f j f j jf A u 模擬電子技術基礎 例 5.5.2 分別求出如圖 所示 Q點穩(wěn)定電路中 C1 C2和 Ce所確定的下限頻 率的表達式及電路上限 頻率表達式。 C1 Rc R b2 +VCC C2 RL + + + + + C e uo R b1 R e ui 圖 2.4.2阻容耦合的靜態(tài)工作點穩(wěn)定電路 b 解:交流等效電路 圖 5.5.3(a)Q點穩(wěn)定電路的交流等效電路 模擬電子技術基礎 1.考慮 C1對低頻特性的影響 (b) C1所在回路的等效電路 1 1
10、211 2 1 /2 1 2 1 CRR crRRR f iS bebbS LI 2.考慮 C2對低頻特性的影響 (c) C2所在回路的等效電路 222 2 1 2 1 CRRf LcL 模擬電子技術基礎 3.考慮 Ce對低頻特性的影響 (d) Ce所在回路的等效電路 e Sbbbe e e LI CRRRrR f 1 /2 1 2 1 21 4.考慮結電容對高頻特性的影響 (e)結電容所在回路的等效電路 CRRRrr f SbbbbebH H /2 1 2 1 21 比較 C1、 C2、 Ce所在回路的時間 常數(shù) 1、 2、 e,當取 C1 C2 Ce時 , e將遠小于 1, 2, 即 fL
11、e 遠大于 fL1和 fL2 因此 , f Le就約為電路的下限頻率 。 模擬電子技術基礎 5.6 集成運放的頻率響應和頻率補償 5.6.1 集成運放的頻率響應 集成運放有很好的低頻特性( fL 0): 集成運放直接耦合放大電路 集成運放高頻特性較差: 集成運放 AOd很大, 等效電 容 或 很大;集成運放 內部需接補償電容。 C gsC 末加頻率補償集成運放 的頻率響應 圖 5.6.1 末加頻率補償 模擬電子技術基礎 fC 單位增益帶寬 fO 附加相移為 1800 對應的頻率 集成運放常引入負反饋,容 易產(chǎn)生自激振蕩。 自激振蕩產(chǎn)生的條件 存在 fO,且 fO fC 如何消除自激振蕩? 圖
12、5.6.1 末加頻率補償?shù)募蛇\放 的頻率響應 模擬電子技術基礎 5.6.2 集成運放的頻率補償 頻率補償:在集成運放電路中接入不同的補償電路,改 變集成運放的頻率響應,使 f=fO時, 20lg A0d -1800 ,從而破壞產(chǎn)生自 激振蕩的條件,使電路穩(wěn)定。 穩(wěn)定裕度 幅值裕度 相位裕度 Off odm AG lg20 Cffm 0180 fC fO 一般要求 Gm-10dB, m450 模擬電子技術基礎 一、滯后補償 在加入補償電容后,使運放的幅頻特性在大于 0dB的 頻率范圍內只存在一個拐點,并按 -20dB/十倍頻的 斜率下降,即相當于一個 RC回路的頻率響應。其附 加相移為 - 9
13、00。 1.簡單電容補償 將一個電容并接在集成運放時間常數(shù)最大的那一級 電路中,使幅頻特性中的第一拐點的頻率進一步降 低,以至增益隋頻率始終按 -20dB/十倍頻的斜率下 降,直至 0dB。 模擬電子技術基礎 設某運放第二級放大電路輸 入端等效電容所在回路的時 間常數(shù)最大 22011 /2 1 ii H CRRf )(/2 1 2201 1 CCRRf ii H 圖 5.6.3 滯后補償前后集成運放的幅頻特性 圖 5.6.4 簡單電容補償 加 C之前 加 C之后 模擬電子技術基礎 將電容 C跨接在某級放大電路的輸入端和輸出端, 則折合到輸入端的 等效電容 C/是 C的 Auk 倍, ( Auk 該級放大電路的電壓放大倍數(shù)) 2.密勒效應補償 圖 5.6.5 密勒效應補償 滯后補償?shù)娜秉c: 降低了上限頻率 二、超前補償(略)