《實(shí)驗(yàn)三射頻微波功率分配器合成器設(shè)計(jì)》由會(huì)員分享,可在線閱讀,更多相關(guān)《實(shí)驗(yàn)三射頻微波功率分配器合成器設(shè)計(jì)(42頁珍藏版)》請(qǐng)?jiān)谘b配圖網(wǎng)上搜索。
1、,單擊此處編輯母版文本樣式,第二級(jí),第三級(jí),第四級(jí),第五級(jí),2016/3/24,MW&Opti.Commu.Lab,XJTU,#,單擊此處編輯母版標(biāo)題樣式,單擊此處編輯母版文本樣式,第二級(jí),第三級(jí),第四級(jí),第五級(jí),單擊此處編輯母版標(biāo)題樣式,XIAN JIAOTONG UNIVERSITY,2016/3/24,Xian Jiaotong University,Page,#,實(shí)驗(yàn)三,射頻功率分配,/,合成器設(shè)計(jì)、仿真與測試,了解功率分配器的原理及基本設(shè)計(jì)方法,掌握,威爾金森功分器的結(jié)構(gòu)、工作原理及,S,參量,了解利用,ADS,進(jìn)行電路優(yōu)化仿真的基本步驟及方法,掌握利用,ADS,微帶線計(jì)算工具,Li
2、nCalc,計(jì)算、設(shè)計(jì)微帶線,了解利用,ADS,在電路板級(jí)進(jìn)行電路仿真的方法與步驟。,一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?將一路微波功率按一定比例分成,n,路輸出的功率元件稱為功率分配器。按輸出功率比例不同,可分為等功率分配器和不等功率分配器。,二、基本理論,技術(shù)指標(biāo):,頻率范圍,:分配器的工作頻率,承受功率,:,分配器,/,合成器所能承受的最大功率,功率分配比,:,主路到支路的功率分配比,插入損耗,:輸入輸出間由于傳輸線(如微帶線)的介質(zhì)或?qū)w不理想等因素,考慮輸入端的駐波比所帶來的損耗,駐波比,:每個(gè)端口的電壓駐波比,隔離度,:支路端口間的隔離程度,1.,電阻式(等功率),形和,Y,形電阻式功率分配器,2.1,
3、集總參數(shù)功率分配器,用,ADS,仿真:形電阻式功率分配器,優(yōu)點(diǎn):頻寬大,布線面積小,設(shè)計(jì)簡單,缺點(diǎn):功率衰減較大,2.,集總,L-C,式低通型和高通型功率分配器,用,ADS,仿真:中心頻率為,2.4GHz,的集總參數(shù),L-C,式低通型功率分配器,傳輸線特征阻抗為,50,歐姆。,用,ADS,仿真:,L-C,式低通型功率分配器,2.2,威爾金森功分器,頻率范圍:,頻帶內(nèi)輸入端口的回波損耗:,S11-3.1dB,S31-3.1dB,隔離度:,S32-25dB,H:,基板厚度,(0.8 mm),Er:,基板相對(duì)介電常數(shù),(4.3),Mur:,磁導(dǎo)率,(1),Cond:,金屬電導(dǎo)率,(5.88E+7),
4、Hu:,封裝高度,(1.0e+33 mm),T:,金屬層厚度,(0.03 mm),TanD:,損耗角正切,(1e-4),Roungh:,表面粗糙度,(0 mm),設(shè)計(jì)指標(biāo):,微帶板材參數(shù),威爾金森功分器的設(shè)計(jì)與仿真,1.,創(chuàng)建新,的,WorkSpace,建立,New Schematic,畫原理圖,選擇微帶線控件 分別放置在繪圖區(qū)中,并用線,連接,Ctrl+R,旋轉(zhuǎn),F5,移動(dòng)文字,3.,利用微帶線計(jì)算工具計(jì)算微帶線尺寸參數(shù),執(zhí)行菜單命令,【Tools】-【LineCalc】-【Start LineCalc】,修改參數(shù),然后單擊 按鈕就可以算出微帶線的線寬,1.52 mm,Z,0,項(xiàng)填入,70.
5、7 Ohm,,在,E_Eff,中輸入,90deg,(對(duì)應(yīng)四分之一波長),然后單擊,算,出微帶線的線寬,0.7889 mm,,線長為,42.8971mm,4.,設(shè)置優(yōu)化變量,設(shè)置優(yōu)化參數(shù),:,在,原理圖中插入“,VAR”,控件,雙擊“,VAR”,控件,設(shè)置,w1,、,w2,、,r,,,L,四個(gè)變量,(,此處不設(shè)單位,),w1=1.52,r=100,w2=0.79,L=16,設(shè)置微帶線寬度,W,和長度,L,,具體變量設(shè)置如圖所示(加,SP,、,端,口,),5.,原理圖,仿真:分別查看,S11,、,S21,、,S22,、,S23,頻率帶寬較差、中心頻率有偏移,還需要進(jìn)一步優(yōu)化,6.,參數(shù)優(yōu)化,雙擊,
6、,選擇,w2,“,Tune/Opt/Start/DOE Setup,”,“,Optimization”,標(biāo)簽,設(shè)置,L,變量(,1224,)、,r,變量,(30120),、,w2,變量(,0.70.9,),7.,設(shè)置優(yōu)化方式和優(yōu)化目標(biāo),選擇元件庫“,Optim/Stat/DOE”,,將優(yōu)化設(shè)置控件,“Optim”,和優(yōu)化目標(biāo)控件“,Goal”,(共需四個(gè))插入原理圖,中,優(yōu)化目標(biāo)設(shè)置,優(yōu)化目標(biāo),1,優(yōu)化目標(biāo),2,優(yōu)化目標(biāo),3,優(yōu)化目標(biāo),4,Expr,dB(S(1,1),dB(S(2,2),dB(S(2,1),dB(S(3,2),SimInstanceName,SP1,SP1,SP1,SP1,I
7、ndepVar1,freq,freq,freq,freq,LimitType1,LimitMin1,-3.1,LimitMax1,-20,-20,-20,Indep1Min1,0.9 GHz,0.9 GHz,0.9 GHz,0.9 GHz,Indep1Max1,1.1 GHz,1.1 GHz,1.1 GHz,1.1 GHz,8.,優(yōu)化,仿真,Simulate,Optimize,保存,優(yōu)化后的變量值,第一次優(yōu)化仿真結(jié)果,第二次優(yōu)化仿真結(jié)果,更改圖中的微帶彎頭,9.,功分器的版圖生成,菜單,命令,【Layout】,【Generate/Update Layout】,,單擊,OK,圓彎頭,最優(yōu)彎頭,在
8、版圖窗口執(zhí)行菜單命令,【EM】,【Substrate】,,全部單擊,【OK】,彈出“,Substrate,”設(shè)置窗口。,【File】,【Import】,【Substrate From Schematic】,,選擇相對(duì)應(yīng)的原理圖,更新板材參數(shù)。,10.,功分器的版圖仿真,鼠標(biāo)左鍵單擊選中不需要的導(dǎo)體,再單擊右鍵,彈出,【Unmap】,,單擊之,再點(diǎn),【OK】,,去掉該導(dǎo)體,等,單擊工具欄里面的保存按鈕,修改,(,檢查,),參數(shù),【Technology】,【Material Definitions】,或者,選中,想要修改的材料,然后在右側(cè)修改,“Material”,的參數(shù),10.,功分器的版圖仿真
9、,執(zhí)行菜單命令,【Insert】,【Pin】,或單擊 ,插入三個(gè)端口分別于端口,1,、端口,2,、端口,3,菜單,【,EM】,【Simulation Setup】,或者,,打開仿真設(shè)置窗口,選中,【Subtrate】,和,【Ports】,檢查設(shè)置,是否正確,選中,【Frequency plan】,設(shè)置仿真參數(shù)。然后仿真。,Type,Fstart,Fstop,Npts,Enabled,Adaptive,0.7 GHz,1.3 GHz,20(max),版圖仿真結(jié)果,設(shè)計(jì)一微帶結(jié)構(gòu)的威爾金森功分器,指標(biāo)要求:,中心頻率:,2.45GHz,帶寬:,60MHz,輸出端口功率比:,2,:,1,頻帶內(nèi)輸入端
10、口的回波損耗:,S11-20dB,,,S22-20dB,,,S22-20dB,隔離度:,S32-25dB,板材參數(shù):,H:,基板厚度,(1.5 mm),,,Er:,基板相對(duì)介電常數(shù),(2.65),Mur:,磁導(dǎo)率,(1),,,Cond:,金屬電導(dǎo)率,(5.88E+7),Hu:,封裝高度,(1.0e+33 mm),,,T:,金屬層厚度,(0.035 mm),TanD:,損耗角正切,(1e-4),,,Roungh:,表面粗糙度,(0 mm),報(bào)告要求:,(,1,)敘述威爾金森功分器原理;,(,2,)給出功分器的原理圖和,版圖,,彎頭必須用最優(yōu)彎頭,;,(,3,)給出原理圖和版圖仿真結(jié)果,并對(duì)其結(jié)果
11、進(jìn)行分析。,測功分器在,800MHz-2200MHz,的回?fù)p、插損和隔離度,起始,800MHz,終止,2.2GHz,掃描設(shè)置,141,I,設(shè)置激勵(lì)參數(shù),觸發(fā),連續(xù)掃描,掃描點(diǎn),掃描類型,線性頻率,三、功分器的測量,進(jìn)行測量校準(zhǔn),校準(zhǔn),全雙端口,(SOLT),分別進(jìn)行前向和反向開路、短路、匹配負(fù)載校準(zhǔn),按圖連接,N,型陰開路器,N,型陰短路器,50,N,型陰負(fù)載,反射,前向,反向,完成反射測試,雙陰連接器,完成全雙端口,機(jī)械校準(zhǔn),傳輸,直通,按圖連接,進(jìn)行,直通校準(zhǔn),完成傳輸測試,進(jìn)行測量,格式,對(duì)數(shù)幅度,光標(biāo),用調(diào)節(jié)旋鈕分別記錄,駐波和回?fù)p,(輸入端);,插損和相移,(支路,1,、支路,2,)
12、和,隔離度,(,支路,1,與支路,2,,應(yīng)該如何連接?,),記錄(,15,組),并照相記錄波形。,測量,S21,S11,駐波,對(duì)數(shù)幅度,功分器,50,N,型陽負(fù)載,50,N,型陽負(fù)載,功分器,50,N,型陽負(fù)載,相位,給出四種用,ADS,微帶線計(jì)算工具,LinCalc,可計(jì)算、設(shè)計(jì)的微帶線,微帶圓彎頭與最優(yōu)彎頭有什么區(qū)別?,威爾金森功分器中的電阻,R,理論取值是多大?起什么作用?,比較電阻功分器與威爾金森功分器的特點(diǎn)。,實(shí)驗(yàn)體會(huì)和建議。,四、思考題,頻率,(GHz),回,損,(dBm),駐波,支路,1,插損,(dBm),支路,1,相移,支路,2,插損,(dBm,),支路,2,相移,隔離度,(dBm),功分器參數(shù)測量記錄表,實(shí)驗(yàn)報(bào)告要繪制曲線,