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1、Click to edit Master title style,Click to edit Master text styles,Second level,Third level,Fourth level,Fifth level,*,*,單擊此處編輯母版標(biāo)題樣式,單擊此處編輯母版文本樣式,第二級,第三級,第四級,第五級,*,*,半導(dǎo)體微波消融功率源,半導(dǎo)體固態(tài)功率源是半導(dǎo)體射頻能量應(yīng)用的核心部件,采用最先進(jìn)的高效率,LDMOS,以及,GaN,器件，結(jié)合智能控制與傳感設(shè)計，完成了全新的半導(dǎo)體固體源產(chǎn)品系列，具備以下技術(shù)優(yōu)勢：,功率與輻射能量精確控制,頻率與相位的精確控制與調(diào)節(jié),智能的負(fù)載反饋與

2、自適應(yīng)調(diào)節(jié),面向不同場景的的任意信號發(fā)生器,實(shí)時的狀態(tài)監(jiān)測與反饋,靈活豐富的控制接口與良好擴(kuò)展,低電壓、高效率、安全性,Comba,固態(tài)源原理框圖,產(chǎn)品典型指標(biāo),產(chǎn)品型號,PA2450T-250A,工作頻率,2400MHz2500MHz,額定功率,250W/54dBm,額定效率,55%Pout=54dBm,實(shí)時狀態(tài)監(jiān)測,輸出功率,/,反射功率,/,溫度,/,駐波比,波形發(fā)生,正弦波,三角波,脈沖波,負(fù)載自適應(yīng),實(shí)現(xiàn)全頻段負(fù)載掃描與實(shí)時自適應(yīng),監(jiān)控接口,I2C/RS-485,任意可選,尺寸,200,*,70,*,20,（,mm,）,Comba,完成了,ISM,常用頻段,433/915/2450

3、MHz,功率等級,50W/250W/500W,的功率源系列，可應(yīng)用于家用微波加熱、工業(yè)加熱、微波醫(yī)學(xué)等多領(lǐng)域,半導(dǎo)體微波功率源原理框圖,微波消融射頻傳輸框圖,微波消融射頻能量傳輸,幾個關(guān)鍵射頻功率指標(biāo)的計算方法：,A,：消融針天線有效發(fā)射功率（即有效消融微波功率）,Pout_E,=,固態(tài)源發(fā)射功率,Pout,-,微波電纜正向損耗功率,P_L1,-,微波消融針電纜正向損耗功率,P_A1,-,負(fù)載失配反射功率,Pref_A,B,：功放接受反射功率,Pref_S,=,負(fù)載失配反射功率,Pref_A,-,微波消融針電纜反向損耗功率,P_A2,-,微波電纜反向損耗功率,P_L2,C,：微波消融針耗散功率

4、,=,微波消融針電纜正向損耗功率,P_A1,+,微波消融針電纜反向損耗功率,P_A2,關(guān)鍵概念定義,A,：,消融,針天線在標(biāo)準(zhǔn)負(fù)載狀態(tài)下設(shè)計匹配頻點(diǎn)為,2.45GHz,，實(shí)際使用中，與組織介電常數(shù)相關(guān)，會造成負(fù)載失配；,B,：組織消融的效果只與消融針天線的有效發(fā)射功率有直接關(guān)系；,C,：輸出負(fù)載失配將會造成較嚴(yán)重的功率反射，導(dǎo)致有效發(fā)射功率降低；,D,：輸出失配會對微波消融針內(nèi)芯電纜溫度造成持續(xù)性惡化影響；,假設(shè)需求微波消融有效功率固定,輸出負(fù)載失配,/,失配程度惡化,反射功率增大，有效功率降低,提高輸出功率,微波消融針耗散功率增加,微波消融針針桿溫度提升,近針桿處組織碳化嚴(yán)重,輸出負(fù)載失配后

5、造成的惡化循環(huán),微波消融射頻能量傳輸,舉例計算：,以固態(tài)源輸出功率,100,瓦,為例，實(shí)測,2.4GHz2.5GHz,頻率下，當(dāng)天線插入目標(biāo)負(fù)載（豬肝組織）功放輸出回波掃頻圖形如右圖：,根據(jù)圖示：在,2.45GHz,狀態(tài)下，功放輸出負(fù)載,S11,測試值為,6.5dB,，匹配最佳點(diǎn),2428MHz,，,S11,為,-14dB,；,估算,微波電纜損耗為,1.5dB,（按照,1.5m,計算），微波消融針內(nèi)芯同軸電纜損耗為,0.6dB,（按照,25cm,計算）；則,2.45GHz,，天線有效輸出功率僅為：,25,瓦,，有效功率利用僅為,25%,，針桿損耗功率達(dá)到,13.8,瓦,當(dāng)頻點(diǎn)自適應(yīng)為,2.42

6、8GHz,（最佳匹配頻點(diǎn)時），天線有效功率提升至,55,瓦,，提升達(dá)到,117%,，同時降低針桿損耗功率至,10,瓦，不僅可以大幅度提升消融速度，還能夠降低針桿溫度，穩(wěn)定消融效果。,而我們消融過程中實(shí)際所需消融功率就是,25,瓦，則在最佳匹配點(diǎn)下，需要固態(tài)源輸出功率僅為,46,瓦,，針桿損耗功率降低至,4.6,瓦,，較失配狀態(tài)下輸出降低,66.5%,，可以非常有效的降低設(shè)備在功耗、輻射等方面的影響，同時,大幅度降低針桿損耗功率，降低桿溫，提高手術(shù)質(zhì)量,同等功率下，消融效率提升,100%,同等消融時間下，微波功率降低,50%,針桿損耗降低,66%,，桿溫大幅度下降,真實(shí)連續(xù)功率，安全可靠,應(yīng)用總

7、結(jié)：,內(nèi)容總結(jié),半導(dǎo)體微波消融功率源。半導(dǎo)體固態(tài)功率源是半導(dǎo)體射頻能量應(yīng)用的核心部件。采用最先進(jìn)的高效率LDMOS以及GaN器件，結(jié)合智能控制與傳感設(shè)計，完成了全新的半導(dǎo)體固體源產(chǎn)品系列，具備以下技術(shù)優(yōu)勢：。頻率與相位的精確控制與調(diào)節(jié)。面向不同場景的的任意信號發(fā)生器。低電壓、高效率、安全性。輸出功率/反射功率/溫度/駐波比。Comba完成了ISM常用頻段433/915/2450 MHz 功率等級50W/250W/500W的功率源系列，可應(yīng)用于家用微波加熱、工業(yè)加熱、微波醫(yī)學(xué)等多領(lǐng)域。A：消融針天線有效發(fā)射功率（即有效消融微波功率）Pout_E。A：消融針天線在標(biāo)準(zhǔn)負(fù)載狀態(tài)下設(shè)計匹配頻點(diǎn)為2.45GHz，實(shí)際使用中，與組織介電常數(shù)相關(guān)，會造成負(fù)載失配。B：組織消融的效果只與消融針天線的有效發(fā)射功率有直接關(guān)系。輸出負(fù)載失配/失配程度惡化。反射功率增大，有效功率降低。應(yīng)用總結(jié)：,