DH4501N型亥姆霍茲線圈磁場(chǎng)實(shí)驗(yàn)儀
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1、霍爾效應(yīng)和霍爾法測(cè)量磁場(chǎng) DH4501N型三維亥姆霍茲線圈磁場(chǎng)實(shí)驗(yàn)儀 實(shí) 驗(yàn) 講 義 杭州大華科教儀器研究所 杭州大華儀器制造有限公司 DH4501N型三維亥姆霍茲線圈磁場(chǎng)實(shí)驗(yàn)儀使用說(shuō)明 儀器可用于霍爾效應(yīng)實(shí)驗(yàn),并且研究亥姆霍茲線圈的磁場(chǎng)分布規(guī)律。 儀器由信號(hào)源和測(cè)試架兩大部分組成。 一、DH4501N三維亥姆霍茲線圈磁場(chǎng)實(shí)驗(yàn)儀信號(hào)源 儀器背部為220V交流電源插座和開(kāi)關(guān),以及配DH4501N三維亥姆霍茲線 圈磁場(chǎng)實(shí)驗(yàn)儀測(cè)試架的專(zhuān)用插座。 儀器面板為三大部分,見(jiàn)下圖(1) o 三DH4501N 8.8.88 8.8.Q.8. 1 mV mA
2、 ■ IE Is 片工養(yǎng) ■■開(kāi)共 -反 Im ■■■■電? 圖仃)實(shí)驗(yàn)儀面板圖 1、 勵(lì)磁電流5輸出:前面板右側(cè),三位半數(shù)顯電流表,顯示輸出電流值 Im(A),直流恒流輸出可調(diào),接到測(cè)試架的勵(lì)磁線圈,提供實(shí)驗(yàn)用的勵(lì)磁電流。 2、 霍爾片工作電流Is輸出:前面板左側(cè),三位半數(shù)顯電流表,顯示輸出 電流值Is (mA),直流恒流輸出可調(diào),用于提供霍爾片的工作電流。 以上兩組直流恒源只能在規(guī)定的負(fù)載范圍內(nèi)恒流,與之配套的“測(cè)試架上 的負(fù)載符合要求。若要作它用時(shí)需注意。 提醒:只有在接通負(fù)載時(shí),恒流源才有電流輸出,數(shù)顯表上才有相應(yīng)顯示。 3、 Vh、Vct測(cè)量輸入:
3、前面板中部,三位半數(shù)顯表顯示輸入值(mV),用 于測(cè)量霍爾片的霍爾電壓Vh及霍爾片長(zhǎng)度L方向的電壓降V6使用前將兩輸 入端接線柱短路,用調(diào)零旋鈕調(diào)零。 # 提醒:Is霍爾片工作電流輸出端與Vh、Vb測(cè)最輸入端,連接測(cè)試架時(shí), 與測(cè)試架上對(duì)應(yīng)的接線端子一一對(duì)應(yīng)連接(紅接線柱與紅接線柱相連,黑接線 柱與黑接線柱相連)。勵(lì)磁電流Im輸出端連接到測(cè)試架線圈時(shí),可以選擇接單 個(gè)線圈與雙個(gè)線圈。接雙個(gè)線圈時(shí),將兩線圈串聯(lián),即一個(gè)線圈的黑接線柱與 另一線圈的紅接線柱相連。另外兩端子接至實(shí)驗(yàn)儀的5端。 4、 二個(gè)換向開(kāi)關(guān) 分別對(duì)勵(lì)磁電流5,工作電流Is進(jìn)行正反向換向控制。 5、 一個(gè)轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)
4、對(duì)霍爾片的霍爾電壓Vh與霍爾片長(zhǎng)度L方向的電壓降VC則量進(jìn)行轉(zhuǎn)換控 制。 二、DH4501N三維亥姆霍茲線圈磁場(chǎng)測(cè)試架 本測(cè)試架的特點(diǎn)是三維可靠調(diào)節(jié),見(jiàn)圖(2)o 1、亥姆霍茲線圈 兩個(gè)圓線圈(1)、(2)安裝于底板(3)上,其中圓線圈(1)固定,圓線 圈(2)可以沿底板移動(dòng),移動(dòng)范圍為50?200111111; 松開(kāi)圓線圈(2)底座上的緊固螺釘,就可以用雙手均勻地移動(dòng)圓線圈(2), 從而改變了兩個(gè)圓線圈的位置,移到所需的位置后,再擰緊緊固螺釘。 勵(lì)磁電流通過(guò)圓線圈后面的插孔接入,可以做單個(gè)和雙個(gè)線圈的磁場(chǎng)分布。 圖(2) 三維亥姆霍茲線圈磁場(chǎng)實(shí)驗(yàn)儀測(cè)試架 2、 三維可移動(dòng)
5、裝置 滑塊(10)可以沿導(dǎo)軌(5)左右移動(dòng),用于改變霍爾元件X方向的位置。 移動(dòng)時(shí),用力要輕,速度不可過(guò)快,如果滑塊移動(dòng)時(shí)阻力太大或松動(dòng),則應(yīng)適 當(dāng)調(diào)節(jié)滑塊上的螺釘(9)的緊度;左右移動(dòng)不可沿前后方向即Y向用力,以 免改變Y向位置;必要時(shí),可以鎖緊導(dǎo)軌(5)右端的緊定螺釘(13),防止改 變Y向位置。 輕推滑塊(10)沿導(dǎo)軌(6)均勻移動(dòng)導(dǎo)軌(5),可改變霍爾元件Y方向 的位置;這時(shí),導(dǎo)軌(5)右端的緊定螺釘(13)應(yīng)處于松開(kāi)狀態(tài)。注意:這時(shí) 不可左右方向用力,以免改變霍爾元件的X向位置。 松開(kāi)緊固螺釘(12),銅桿(8)可以沿導(dǎo)軌(7)上下移動(dòng),移到所需的位 置后,再擰緊緊固螺釘(12
6、),用于改變霍爾元件Z方向的位置。 裝置的XYZ向均配有位置標(biāo)尺,在三維測(cè)量磁場(chǎng)時(shí),可以方便地測(cè)量空 間磁場(chǎng)的三維坐標(biāo)。 3、 霍爾元件 裝置采用優(yōu)質(zhì)確化稼霍爾元件,特點(diǎn)是靈敏度高,溫度漂移小,既可以做 霍爾效應(yīng)實(shí)驗(yàn),乂可作磁場(chǎng)分布實(shí)驗(yàn)。 霍爾元件(4)安裝于銅管(8)的左前端,導(dǎo)線從銅管中引出,連接到測(cè) 試架后面板上的專(zhuān)用插座。 改變圓線圈(2)的位置進(jìn)行磁場(chǎng)分布實(shí)驗(yàn)時(shí),為了讀數(shù)方便,應(yīng)該改變銅 管(8)的位置。松開(kāi)緊固螺釘(11),移動(dòng)銅管至R、2R或R/2的位置,對(duì)應(yīng) 于圓線圈(2)在R、2R或R/2的位置,這樣做的優(yōu)點(diǎn)是移動(dòng)滑塊(10)時(shí), X向的讀數(shù)是以0位置為對(duì)稱(chēng)的。如果
7、不改變銅管(8)的位置,則應(yīng)對(duì)X向 位置讀數(shù)進(jìn)行修正。 三、主要技術(shù)參數(shù) 1、 勵(lì)磁電流5輸出范圍:直流0?0.500A, 3位半數(shù)字表測(cè)量,調(diào)節(jié)細(xì)度: 1mA,負(fù)載電阻范圍:0?400。 2、 霍爾片工作電流Is輸出范【軋 直流0?5.00mA, 3位半數(shù)字表測(cè)量,調(diào) 節(jié)細(xì)度:10pA,負(fù)載電阻范圍:0?1KQ。 3、 Vh、Vct測(cè)量輸入范鬧 VH:直流0?19.99mV, 3位半數(shù)字表測(cè)量,分辨力1 OjlVo V6直流0-1999111V, 3位半數(shù)字表測(cè)量,分辨力lmVo 4、 亥姆霍茲線圈 線圈等效半徑:100mm,二線圈中心間距:50?200mm連續(xù)可
8、調(diào); 線圈匝數(shù):500匝(單個(gè)),線圈電阻:約140。 5、 霍爾元件 碑化稼霍爾元件,四端引出,靈敏度>140mV/(mA T) 霍爾片的厚度的d為0.2mm,寬度1為1.5mm,長(zhǎng)度L為1.5mm。 6、 三維可移動(dòng)裝置 X向移動(dòng)距離200mm Y向移動(dòng)距離70mm, Z向移動(dòng)距離70mm。 四、 其他技術(shù)參數(shù) 1、 使用環(huán)境條件:環(huán)境溫度:0C?+40C,環(huán)境濕度:不大于80%(RH) 2、 電源:220V 10%, 50Hz交流供電,耗電小于60W 3、 整機(jī)質(zhì)量(重量):約15Kg 五、 注意事項(xiàng)及售后服務(wù) 1、 儀器使用前應(yīng)預(yù)熱10?15分鐘,并避免周圉有強(qiáng)
9、磁場(chǎng)源或磁性物質(zhì)。 2、 儀器采用分體式設(shè)計(jì),使用時(shí)要正確接線,注意不要扯拉霍爾傳感器的 引出線!以防損壞。 3、 儀器采用三維移動(dòng)設(shè)計(jì),可移動(dòng)的部件很多,一定要細(xì)心合理使用,不 可用力過(guò)大,以防影響使用壽命;銅管的機(jī)械強(qiáng)度有限!切不可受外力沖擊, 以防變形,影響使用。 4、 使用完畢后應(yīng)關(guān)閉電源。儀器的使用和存放應(yīng)注意清潔干凈;避免腐蝕 和陽(yáng)光暴曬或強(qiáng)磁場(chǎng)環(huán)境下工作和存放。 5、 儀器從發(fā)貨之日起壹年內(nèi),由于儀器設(shè)計(jì)、制造過(guò)程中產(chǎn)生的質(zhì)量問(wèn) 題或者引起的故障,木公司負(fù)責(zé)免費(fèi)維修。超過(guò)保修期,木公司仍提供良好的 售后服務(wù)。 實(shí)驗(yàn) II 言爾效應(yīng)實(shí)驗(yàn) 霍爾效應(yīng)是導(dǎo)電材料中的
10、電流與磁場(chǎng)相互作用而產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì)的效應(yīng)。1879 年美國(guó)霍普金斯大學(xué)研究生霍爾在研究金屬導(dǎo)電機(jī)理時(shí)發(fā)現(xiàn)了這種電磁現(xiàn)象, 故稱(chēng)霍爾效應(yīng)。后來(lái)曾有人利用霍爾效應(yīng)制成測(cè)量磁場(chǎng)的磁傳感器,但因金屬 的霍爾效應(yīng)太弱而未能得到實(shí)際應(yīng)用。隨著半導(dǎo)體材料和制造工藝的發(fā)展,人 們又利用半導(dǎo)體材料制成霍爾元件,由于它的霍爾效應(yīng)顯著而得到實(shí)用和發(fā)展, 現(xiàn)在廣泛用于非電量的測(cè)量、電動(dòng)控制、電磁測(cè)量和計(jì)算裝置方面。在電流體 中的霍爾效應(yīng)也是目前在研究中的 “磁流體發(fā)電”的理論基礎(chǔ)。近年來(lái),霍爾 6 效應(yīng)實(shí)驗(yàn)不斷有新發(fā)現(xiàn)。1980年原西德物理學(xué)家馮?克利青研究二維電子氣系 統(tǒng)的輸運(yùn)特性,在低溫和強(qiáng)磁場(chǎng)下發(fā)現(xiàn)
11、了量子霍爾效應(yīng),這是凝聚態(tài)物理領(lǐng)域 最重要的發(fā)現(xiàn)之一。目前對(duì)量子霍爾效應(yīng)正在進(jìn)行深入研究,并取得了重要應(yīng) 用,例如用于確定電阻的自然基準(zhǔn),可以極為精確地測(cè)量光譜精細(xì)結(jié)構(gòu)常數(shù)等。 在磁場(chǎng)、磁路等磁現(xiàn)象的研究和應(yīng)用中,霍爾效應(yīng)及其元件是不可缺少的, 利用它觀測(cè)磁場(chǎng)直觀、干擾小、靈敏度高、效果明顯。 [實(shí)驗(yàn)?zāi)康模? 1、 霍爾效應(yīng)原理及霍爾元件有關(guān)參數(shù)的含義和作用 2、 測(cè)繪霍爾元件的Vh-Is, Vh-Im曲線,了解霍爾電勢(shì)差Vh與霍爾元件 工作電流Is,磁場(chǎng)應(yīng)強(qiáng)度B及勵(lì)磁電流和g之間的關(guān)系。 3、 學(xué)習(xí)利用霍爾效應(yīng)測(cè)量磁感應(yīng)強(qiáng)度B及磁場(chǎng)分布。 4、 學(xué)習(xí)用“對(duì)稱(chēng)交換測(cè)量法”消除負(fù)效應(yīng)產(chǎn)生
12、的系統(tǒng)誤差。 [實(shí)驗(yàn)儀器] DH4501N型三維亥姆霍茲線圈磁場(chǎng)實(shí)驗(yàn)儀 一套 [實(shí)驗(yàn)原理] 霍爾效應(yīng)從本質(zhì)上講,是運(yùn)動(dòng)的帶 電粒子在磁場(chǎng)中受洛侖茲力的作用而引 起的偏轉(zhuǎn)。當(dāng)帶電粒子(電子或空穴) 被約束在固體材料中,這種偏轉(zhuǎn)就導(dǎo)致 在垂直電流和磁場(chǎng)的方向上產(chǎn)生正負(fù)電 荷在不同側(cè)的聚積,從而形成陽(yáng)加的橫 向電場(chǎng)。如右圖1?1所示,磁場(chǎng)B位于 z的正向,與Z垂直的半導(dǎo)體薄片上沿 圖1?1 X正向通以電流Is (稱(chēng)為工作電流),假 設(shè)載流子為電子(N型半導(dǎo)體材料),它沿著與電流Is相反的X負(fù)向運(yùn)動(dòng)。 由于洛侖茲力仇作用,電子即向圖中虛線箭頭所指的位于y軸負(fù)方向的B 側(cè)偏轉(zhuǎn),并使B側(cè)
13、形成電子積累,而相對(duì)的A側(cè)形成正電荷積累。與此同時(shí)運(yùn) 動(dòng)的電子還受到由于兩種積累的異種電荷形成的反向電場(chǎng)力fe的作用。隨著 電荷積累的增加,fE增大,當(dāng)兩力大小相等(方向相反)時(shí),f尸一fE,則電 子積累便達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡。這時(shí)在A、B兩端面之間建立的電場(chǎng)稱(chēng)為霍爾電場(chǎng)Eh, 相應(yīng)的電勢(shì)差稱(chēng)為霍爾電勢(shì)Vh。 設(shè)電子按均一速度向圖所示的X負(fù)方向運(yùn)動(dòng),在磁場(chǎng)B作用下, 所受洛侖茲力為: _ fL=-eVB 式中:e為電子電量,▽為電子漂移平均速度,B為磁感應(yīng)強(qiáng)度。 同時(shí),電場(chǎng)作用于電子的力為: f e= — eEH = —eVk 1 式中:Eh為霍爾電場(chǎng)強(qiáng)度,Vh為霍爾電勢(shì),1為霍爾元件寬度
14、。 當(dāng)達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡時(shí): _ fL=-fE V B=Vh/1 (1-1) 設(shè)霍爾元件寬度為1,厚度為d,載流子濃度為1】,則霍爾元件的工作電流為: Is = neVld (1-2) 由(1-1). (1?2)兩式可得: Vh = EhI =丄咚=Rh 型 (1-3) ne d d 即霍爾電壓Vh (A、B間電壓)與Is、B的乘積成正比,與霍爾元件的厚度 成反比,比例系數(shù)Rh=—稱(chēng)為霍爾系數(shù)(嚴(yán)格來(lái)說(shuō),對(duì)于半導(dǎo)體材料,在弱 ne $ a 1 磁場(chǎng)下應(yīng)引入一個(gè)修正因子A=—,從而有Rh=——),它是反映材料霍爾 8 8 ne 效應(yīng)強(qiáng)弱的重要參數(shù),根據(jù)材料的電導(dǎo)率cr = ne/z
15、的關(guān)系,還可以得到:
Rh =/z/ 16、,因此不適宜作霍爾元 件。此外元件厚度d愈薄,Kh愈髙,所以制作時(shí),往往采用減少d的辦法來(lái)增 加靈敏度,但不能認(rèn)為cT愈薄愈好,因?yàn)榇藭r(shí)元件的輸入和輸出電阻將會(huì)增加, 這對(duì)霍爾元件是不希望的。本實(shí)驗(yàn)采用的霍爾片的厚度的d為0.2mm,寬度1為 1.5mm,長(zhǎng)度 L 為 1.5mm。
應(yīng)當(dāng)注意:當(dāng)磁感應(yīng)強(qiáng)度B和元件平面法線成一角度時(shí)(如圖1-2),作用 在元件上的有效磁場(chǎng)是其法線方向上的分量BcosO,此吋:
Vh = KhIsBcos0 (1-7)
所以一般在使用時(shí)應(yīng)調(diào)整元件兩平面方位,使Vh達(dá)到最大,即:0=0,
Vh = KhIsBcos 0 = KhIsB
由式(1-7)可知, 17、當(dāng)工作電流Is或磁感應(yīng)強(qiáng)度B,兩者之一改變方向時(shí), 霍爾電勢(shì)%方向隨之改變;若兩者方向同時(shí)改變,則霍爾電勢(shì)Vh極性不變。
— 11 —: niv) Vh
f I s },
圖1-3
霍爾元件測(cè)量磁場(chǎng)的基本電路如圖1-3,將霍爾元件置于待測(cè)磁場(chǎng)的相應(yīng) 位置,并使元件平面與磁感應(yīng)強(qiáng)度B垂盲,在其控制端輸入恒定的工作電流Is, 霍爾元件的霍爾電勢(shì)輸出端接毫伏表,測(cè)量霍爾電勢(shì)Vh的值。
[實(shí)驗(yàn)項(xiàng)目]
1、 測(cè)量霍爾元件零位(不等位)電勢(shì)W及不等位電阻R0=V0/Is
2、 研究Vh與勵(lì)磁電流5,和工作電流Is之間的關(guān)系
3、 測(cè)量霍爾元件的霍爾靈敏度
[實(shí)驗(yàn)方法與步驟]
一、實(shí) 18、驗(yàn)儀信號(hào)源與三維亥姆霍茲線圈磁場(chǎng)測(cè)試架的連接。
1、將信號(hào)源面板右下方的勵(lì)磁電流5的直流恒流輸出端(0?0.500A), 接測(cè)試架上的勵(lì)磁線圈電流g的輸入端,注意止確的極性。信號(hào)源面板右側(cè)的 表頭顯示當(dāng)前勵(lì)磁電流的大小。做霍爾效應(yīng)實(shí)驗(yàn)時(shí),應(yīng)將兩個(gè)圓線圈串聯(lián),如 圓線圈(2)的正極接信號(hào)源正輸出端、負(fù)極接圓線圈(1)的正極,圓線圈(1) 的負(fù)極接信號(hào)源負(fù)輸出端。
2、測(cè)試架的銅管尾部的霍爾傳感器信號(hào)線測(cè)試架后面板上的專(zhuān)用四芯插 座。實(shí)驗(yàn)儀Is霍爾片工作電流輸出端及Vh、Vb測(cè)量輸入端,連接測(cè)試架時(shí), 與測(cè)試架上對(duì)應(yīng)的接線端子一一對(duì)應(yīng)連接,(紅接線柱與紅接線柱相連,黑接線 柱與黑接線柱相連。) 19、當(dāng)測(cè)量霍爾電壓Vh時(shí),實(shí)驗(yàn)儀與測(cè)試架的VH、V。測(cè)量 轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)都按至Vh測(cè)最位置,即此開(kāi)關(guān)處于按下位置。
二、研究霍爾效應(yīng)與霍爾元件特性
進(jìn)行測(cè)量前先進(jìn)行以下調(diào)整:
將亥姆霍茲線圈的距離設(shè)為R,即100mm處;銅管位置至R處;
X向?qū)к墸?0)、Y向?qū)к墸?)、Z向?qū)к墸?)均置于0,并緊固相應(yīng)的 螺母,這樣使霍爾元件位于亥姆霍茲線圈中心。
1、 測(cè)量霍爾元件的零位(不等位)電勢(shì)V。和不等位電阻Rq
1) 用連接線將中間的霍爾電壓輸入端短接(或?qū)s、Im電流調(diào)節(jié)到0), 調(diào)節(jié)調(diào)零旋鈕使電壓表顯示O.OOmV;
2) 斷開(kāi)勵(lì)磁電流Im (或?qū)m電流調(diào)節(jié)到0);
3) 調(diào)節(jié)霍爾 20、工作電流Is = 5.00mA,用Is換向開(kāi)關(guān)改變霍爾工作電流輸入 方向,分別測(cè)岀零位霍爾電勢(shì)V(n、V02,并計(jì)算出不等位電阻:
Roi=$, Ro2=— (8)
【S 【S
2、 測(cè)量霍爾電壓Vh與工作電流Is的關(guān)系
1) 先將Is, IM都調(diào)節(jié)為零,調(diào)節(jié)調(diào)零旋鈕使電壓表顯示O.OOmV;
2) 調(diào)節(jié)IM =500mA,調(diào)節(jié)Is =1.00mA,按表中Is, 5正負(fù)情況切換Is, IM 的正負(fù)方向,分別測(cè)量霍爾電壓Vh值(Vi,V2, V3, V4)填入表(l-l)o
3) 以后Is每次遞增0.50mA,測(cè)量各V】,V2, V3, V4值。繪岀Is—VH曲 線,驗(yàn)證線性關(guān)系。
21、
表1-1 Vh-Is關(guān)系測(cè)量表 IM =500mA
Is(mA)
Vi(mV)
V2(mV)
V3(mV)
V4(mV)
+Is 、Im
+Is、?Im
?Is、Im
■Is、Im
1.00
1.50
2.00
2.50
5.00
3、測(cè)量霍爾電壓Vh與勵(lì)磁電流Im的關(guān)系
1) 先將Is, IM都調(diào)節(jié)為零,調(diào)節(jié)調(diào)零旋鈕使電圧表顯示O.OOmV;再調(diào)節(jié) Is 調(diào)節(jié)至 5.OOiiiA;
2) 調(diào)節(jié)1滬100、150、200……5 22、00mA(間隔為50mA),分別測(cè)量霍爾電壓 Vh值填入表(1-2)中的值;
3) 根據(jù)表(1-2)中所測(cè)得的數(shù)據(jù),繪出Im-Vh曲線,驗(yàn)證線性關(guān)系的范 圍,分析當(dāng)g達(dá)到一定值以后,Im—Vh直線斜率變化的原因。
表1?2 Vh-Im關(guān)系測(cè)量表 Is =5.00mA
ImQuA)
Vi(mV)
V2(mV)
V3(mV)
V4(mV)
+Is >Im
+Is、
-Is、Im
-Is、Im
100
150
200
250
500
4、計(jì) 23、算霍爾元件的霍爾靈敏度
當(dāng)勵(lì)磁電流5為0.5A時(shí),本實(shí)驗(yàn)采用的亥姆霍茲線圈的中心磁感應(yīng)強(qiáng)度
B為:
4zrx 10" x 500x 0.5
0.100
=2.25111T
11
#
當(dāng)B=Bo時(shí),霍爾電壓為Vho,則根據(jù)公式Vk = KhIsBcos0=KhIsB,可
得到:
(1-9)
#
#
5、測(cè)量樣品的電導(dǎo)率。 樣品的電導(dǎo)率Q為:
(1-10)
IsL
C =
Void
式中Is是流過(guò)霍爾片的電流,單位是A, V。是霍爾片長(zhǎng)度L方向的電壓
降,單位是V,長(zhǎng)度L、寬度1和厚度d的單位為m,則o的單位為Se 24、nr1 (1S=1E)。
測(cè)量Vq前,先對(duì)毫伏表調(diào)零。且將實(shí)驗(yàn)儀與測(cè)試架的V” V。測(cè)量轉(zhuǎn)換開(kāi) 關(guān)都按至V。測(cè)量的位置,即此開(kāi)關(guān)處于彈出位置。其中IM必須為0,或者斷 開(kāi)hi連線。因?yàn)榛魻柶囊€電阻(約數(shù)量級(jí))相對(duì)于霍爾片的體電阻 (約700?900Q)來(lái)說(shuō)很小,因此可以忽略不計(jì)。
將工作電流從最小開(kāi)始調(diào)節(jié),用毫伏表測(cè)量V。值,由于毫伏表量程所限,
這時(shí)的Is較小。如需更大電壓量程,也可用外接數(shù)字電壓表測(cè)量。
[實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)誤差及其消除]
測(cè)最霍爾電勢(shì)Vh時(shí),不可避免的會(huì)產(chǎn)生一些副效應(yīng),由此而產(chǎn)生的附加 電勢(shì)疊加在霍爾電勢(shì)上,形成測(cè)量系統(tǒng)誤差,這些副效應(yīng)有:
(I)不等位電勢(shì)V。
25、
由于制作時(shí),兩個(gè)霍爾電勢(shì)既不可能絕對(duì)對(duì)稱(chēng)的焊在霍爾片兩側(cè)(圖l?4a)、 霍爾片電阻率不均勻、控制電流極的端面接觸不良(圖l?4b)都可能造成A、 B兩極不處在同一等位面上,此時(shí)雖未加磁場(chǎng),但A、B間存在電勢(shì)差V。,此 稱(chēng)不等位電勢(shì),VO=ISV, V是兩等位面間的電阻,由此可見(jiàn),在V確定的情 況下,V。與Is的大小成正比,且其正負(fù)隨Is的方向而改變。
12
(2)愛(ài)廷豪森效應(yīng)
當(dāng)元件X方向通以工作電流Is,Z方向加磁場(chǎng)B時(shí),由于霍爾片內(nèi)的載流 子速度服從統(tǒng)計(jì)分布,有快有慢。在到達(dá)動(dòng)態(tài)平衡時(shí),在磁場(chǎng)的作用下慢速快 速的載流子將在洛侖茲力和霍耳電場(chǎng)的共同作用下,沿y軸分別向相反的 26、兩側(cè) 偏轉(zhuǎn),這些載流子的動(dòng)能將轉(zhuǎn)化為熱能,使兩側(cè)的溫升不同,因而造成y方向 上的兩側(cè)的溫差(Ta—Tb)。因?yàn)榛魻栯姌O和元件兩者材料不同,電極和元件 之間形成溫差電偶,這一溫差在A、B間產(chǎn)生溫差電動(dòng)勢(shì)Ve,Ve-IBo
這一效應(yīng)稱(chēng)愛(ài)廷豪森效應(yīng),Ve的大小與正負(fù)符號(hào)與I、B的大小和方向有 關(guān),跟Vh與I、B的關(guān)系相同,所以不能在測(cè)量中消除。
(3)倫斯脫效應(yīng)
圖1?5 正電子運(yùn)動(dòng)平均速度(圖中V vV V” >▽?zhuān)?由于控制電流的兩個(gè)電極與霍爾元件的接觸電阻不同,控制電流在兩電極 處將產(chǎn)生不冋的焦耳熱,引起兩電極間的溫差電動(dòng)勢(shì),此電動(dòng)勢(shì)又產(chǎn)生溫差電 流(稱(chēng)為熱電流)Q,熱電流在磁場(chǎng)作用 27、下將發(fā)生偏轉(zhuǎn),結(jié)果在y方向上產(chǎn)生 附加的電勢(shì)差Vh,且Vh^QB這一效應(yīng)稱(chēng)為倫斯脫效應(yīng),由上式可知Vh的符 號(hào)只與B的方向有關(guān)。
(4)里紀(jì)一杜勒克效應(yīng)
如前節(jié)(3)所述霍爾元件在x方向有溫度梯度的dT/dX,引起載流子沿梯 度方向擴(kuò)散而有熱電流Q通過(guò)元件,在此過(guò)程中載流子受Z方向的磁場(chǎng)B作用 下,在y方向引起類(lèi)似愛(ài)廷豪森效應(yīng)的溫差Ta-Tb,由此產(chǎn)生的電勢(shì)差Vh* QB,其符號(hào)與B的方向有關(guān),與Is的方向無(wú)關(guān)。為了減少和消除以上效應(yīng)的 附加電勢(shì)差,利用這些附加電勢(shì)差與霍爾元件工作電流Is,磁場(chǎng)B (即相應(yīng)的 勵(lì)磁電流Im)的關(guān)系,采用對(duì)稱(chēng)(交換)測(cè)量法進(jìn)行測(cè)量。
當(dāng) +Is,
+Im 28、時(shí)
Vabi
=+Vh+Vo+Ve+Vn+Vr
當(dāng) +Is,
—Im時(shí)
VaB2
= —Vh+Vo—Ve+Vn+Vr
當(dāng)—Is,
—Im時(shí)
VaB3
= +Vh—V+Ve—Vn—Vr
當(dāng)一Is,
+Im時(shí)
VaB4
=—Vh—Vo—Ve—Vn—Vr
對(duì)以上四式作如下運(yùn)算則得:
7(VAB1-VAB2+VAB3-VAB4)=VH + VE
4
可見(jiàn),除愛(ài)廷豪森效應(yīng)以外的其他副效應(yīng)產(chǎn)生的電勢(shì)差會(huì)全部消除,因愛(ài) 廷豪森效應(yīng)所產(chǎn)生的電勢(shì)差Ve的符號(hào)和霍爾電勢(shì)Vh的符號(hào),與Is及B的方向 關(guān)系相同,故無(wú)法消除,但在非大電流、非強(qiáng)磁場(chǎng)下,VQ>Ve,因而Ve可以 忽略不 29、計(jì),由此可得:
“ “ “ y-V,4-V.-Vd
Vh?Vh+Ve= —1
4
[實(shí)驗(yàn)注意事項(xiàng)]
1、 儀器使用前應(yīng)預(yù)熱10?15分鐘,并避免周?chē)袕?qiáng)磁場(chǎng)源或磁性物質(zhì)。
2、 儀器使用時(shí)要正確接線,注意不要扯拉霍爾傳感器的引出線!以防損壞。
3、 儀器釆用三維移動(dòng)設(shè)計(jì),可移動(dòng)的部件很多,一定要細(xì)心合理使用,不 可用力過(guò)大,以防影響使用壽命;銅管的機(jī)械強(qiáng)度有限!切不可受外力沖擊, 以防變形,影響使用。
4、 霍爾電勢(shì)Vh測(cè)量的條件是霍爾元件半面與磁感應(yīng)強(qiáng)度B垂直,此時(shí) VH=IsBcose=Is即Vh取得最大值,儀器在組裝時(shí)已調(diào)整好角度。為防止搬運(yùn), 使用中發(fā)生的位移,實(shí)驗(yàn)前應(yīng) 30、檢查霍爾元件傳感器是否與圓線圈(1)垂直,如 杲不垂直,則應(yīng)適當(dāng)調(diào)整。
5、 木實(shí)驗(yàn)應(yīng)將亥姆霍茲線圈的距離設(shè)為R,即100mm處,銅管位置至R
處;否則會(huì)造成錯(cuò)誤的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)。
實(shí)驗(yàn)二 霍爾法測(cè)量圓線圈和亥姆霍茲線圈的磁場(chǎng)
[實(shí)驗(yàn)原理]
根據(jù)畢奧一廬伐爾定律,載流線圈在軸線(通過(guò)圓心并與線圈平面乖直的
直線上某點(diǎn)的磁應(yīng)強(qiáng)度為: .
2(R瞋嚴(yán)Z
(2-1)
15
式中I為通過(guò)線圈的電流強(qiáng)度,N為線圈的匝數(shù),R為線圈平均半徑,x 為圓心到該點(diǎn)的距離,po為真空磁導(dǎo)率。因此,圓心處的磁感應(yīng)強(qiáng)度Bo為:
(2-2)
軸線外的磁場(chǎng)分布計(jì)算公式較復(fù)雜,這里簡(jiǎn)略。
亥姆霍 31、茲線圈是一對(duì)匝數(shù)和半徑相同的共軸平行放置的圓線圈,兩線圈間 的距離d正好等于圓形線圈的半徑Ro這種線圈的特點(diǎn)是能在其公共軸線中點(diǎn) 附近產(chǎn)生較廣的均勻磁場(chǎng)區(qū),故在生產(chǎn)和科研中有較大的實(shí)用價(jià)值,其磁場(chǎng)合 成示意圖如圖2?1所示。根據(jù)霍爾效應(yīng):探測(cè)頭置于磁場(chǎng)中,運(yùn)動(dòng)的電荷受洛 侖茲力,運(yùn)動(dòng)方向發(fā)生偏轉(zhuǎn)。在偏向的一側(cè)會(huì)有電荷積累,這樣兩側(cè)就形成電
勢(shì)差.通過(guò)測(cè)電勢(shì)差就可知道其磁場(chǎng)的大小。當(dāng)兩通電線圈的通電電流方向一 樣時(shí),線圈內(nèi)部形成的磁場(chǎng)方向也一致,這樣兩線圈之間的部分就形成均勻磁 場(chǎng)。當(dāng)探頭在磁場(chǎng)內(nèi)運(yùn)動(dòng)時(shí)其測(cè)量的數(shù)值幾乎不變。當(dāng)兩通電線圈電流方向不 同時(shí)在兩線圈中心的磁場(chǎng)應(yīng)為0。
圖2- 32、1亥姆霍茲線圈磁場(chǎng)分布圖
設(shè)Z為亥姆霍茲線圈中軸線上某點(diǎn)離中心點(diǎn)0處的距離,則亥姆霍茲線圈 軸線上任點(diǎn)的磁感應(yīng)強(qiáng)度為:
1 R R
B NIR2{[R? + (牙 + z)2r3/2 4- [R2 + (--Z)2r3/2} (2-3)
而在亥姆霍茲線圈軸線上中心O處磁感應(yīng)強(qiáng)度Bo為:
._ RoNI 8
比=r (2-4)
在I=0.5A、N=500、R=0.100in的實(shí)驗(yàn)條件下,單個(gè)線圈圓心處的磁場(chǎng)強(qiáng)度 為:
禺=如 Z = 4兀x IO" x 500x 0.5/(2x 0.100) = 1.57mT 2R
當(dāng)兩圓線圈間的距離d正好等于圓形線圈的半徑R,組成亥姆霍茲線圈 33、時(shí), 軸線上中心O處磁感應(yīng)強(qiáng)度Bo為:
“? zmNI 8 4^x10_7 x500x0.5 8 宀“〒
Bo = —x—3- = X—= 2.25mT
R 53/2 0.100 5%
當(dāng)兩圓線圈間的距離d不等于圓形線圈的半徑R時(shí),軸線上中心O處磁感
1-
應(yīng)強(qiáng)度Bo按本實(shí)驗(yàn)所述的公式(2-3)計(jì)算。在d=l/2R、R、2R時(shí),相應(yīng)的曲 線見(jiàn)圖2?2。
?120 -100 ? 80 - 60 -40 - 20 0 20 40 60 80 W0 120 mm
圖2?2圓線圈間不同距離時(shí)軸線上的磁場(chǎng)分布圖
由于霍爾元件的靈敏度受溫度及其他因素的影響較大,所以實(shí)驗(yàn)儀器提供 的靈敏度 34、僅供參考。根據(jù)實(shí)驗(yàn)一的結(jié)果可以求得霍爾元件的實(shí)際靈敏度為:
其中Vho為I=O.5A、N=5OO、R=0.100m的實(shí)驗(yàn)條件下,B0=2.25mT時(shí)的霍 爾電壓。
可以測(cè)量岀不同三維位置時(shí)的Vh值,這樣再根據(jù)公式
KhIs
Vh = KhIsBcos 0 = KhIsB 可矢II
(2-5)
從而求得不同三維位置的磁感應(yīng)強(qiáng)度Bo
[實(shí)驗(yàn)?zāi)康模?
1、 測(cè)量單個(gè)通電圓線圈中磁感應(yīng)強(qiáng)度;
2、 測(cè)量亥姆霍茲線圈軸線上各點(diǎn)的磁感應(yīng)強(qiáng)度;
3、 測(cè)量?jī)蓚€(gè)通電圓線圈不同間距時(shí)的線圈軸線上各點(diǎn)的磁感應(yīng)強(qiáng)度;
4、 測(cè)量通電圓線圈軸線外各點(diǎn)的磁感應(yīng)強(qiáng)度。
[實(shí)驗(yàn)內(nèi)容]
在開(kāi)機(jī)前 35、先將工作電流Is和勵(lì)磁電流Im調(diào)節(jié)到最小,即逆時(shí)針?lè)较驅(qū)㈦娢?器調(diào)節(jié)到最小。以防沖擊電流將霍爾傳感器損壞。
一、測(cè)量單個(gè)通電圓線圈軸線上的磁感應(yīng)強(qiáng)度
測(cè)最前將亥姆霍茲線圈的距離設(shè)為R,即100mm處;銅管位置至R處;
Y向?qū)к墸?)、Z向?qū)к墸?)均置于0,并緊固相應(yīng)的螺母,這樣使霍爾 元件位于亥姆霍茲線圈軸線上。
1、測(cè)量單個(gè)通電圓線圈(1)中磁感應(yīng)強(qiáng)度。
用連接線將勵(lì)磁電流Im輸出端連接到圓線圈(1),霍爾傳感器的信號(hào)插頭 連接到測(cè)試架后面板的專(zhuān)用四芯插座。其它連接線一一對(duì)應(yīng)連接好。
開(kāi)機(jī),預(yù)熱10分鐘。用短接線將數(shù)顯毫伏表輸入端短接,或者調(diào)節(jié)Is、Im 電流均為零,再調(diào)節(jié)面板 36、上的調(diào)零電位器旋鈕,使毫伏表顯示為O.OOo
調(diào)節(jié)工作電流使Is=5.00mA,調(diào)節(jié)勵(lì)磁電流Im=0.5A,移動(dòng)X向?qū)к墸?0), 測(cè)量單個(gè)圓線圈(1)通電時(shí),軸線上的各點(diǎn)處的霍爾電壓,可以每隔10mm 測(cè)量一個(gè)數(shù)據(jù)。
將測(cè)量的數(shù)據(jù)記錄在表格2?1中,再根據(jù)公式(2?5)計(jì)算出各點(diǎn)的磁感應(yīng) 強(qiáng)度B,并繪出B(1)-X圖,即圓線圈軸線上B的分布圖。
將測(cè)得的圓線圈軸線上(X向)各點(diǎn)的磁感應(yīng)強(qiáng)度與理論公式(2?1)計(jì)算 的結(jié)果相比較。
以上測(cè)量Vh過(guò)程較為精確,對(duì)于僅進(jìn)行磁場(chǎng)分布實(shí)驗(yàn)來(lái)說(shuō),較為復(fù)雜,
在降低一定的精確性前提下,可以考慮以下簡(jiǎn)便的方法實(shí)現(xiàn)Vh測(cè)量:
開(kāi)機(jī),預(yù)熱10分鐘后, 37、選擇Is、%、為正向。調(diào)節(jié)工作電流使Is=5.00mA, Im=0o再調(diào)節(jié)面板上的調(diào)零電位器旋鈕,使毫伏表顯示為O.OOo這樣做是消除 不等電勢(shì)對(duì)測(cè)量的影響,實(shí)測(cè)的數(shù)據(jù)表明,不等電勢(shì)在幾種副效應(yīng)中對(duì)測(cè)量的 結(jié)果影響最大。再調(diào)節(jié)勵(lì)磁電流Im=0.5A,測(cè)量單個(gè)圓線圈(1)通電時(shí),軸線 上的各點(diǎn)處的霍爾電壓,可以每隔l.OOcin測(cè)量一個(gè)數(shù)據(jù)。
這種簡(jiǎn)便的方法同樣適用于以下實(shí)驗(yàn)。
表 2?1 B (1>—X Is =5.00mA IM =500mA
X (null)
Vi (111V)
V2(mV)
V3(mV)
V4(mV)
B(i) (ml)
+Is、g
+Is、
- 38、Is、
?Is、Im
-40
-30
-20
-10
0
10
20
30
40
2、測(cè)量單個(gè)通電圓線圈(2)軸線上磁感應(yīng)強(qiáng)度
用連接線將勵(lì)磁電流Im輸出端連接到圓線圈(2),其它連接線一一對(duì)應(yīng)連 接好。
移動(dòng)X向?qū)к墸?0),測(cè)量單個(gè)圓線圈(2)通電時(shí),軸線上的各點(diǎn)處的霍 爾電壓,可以每隔10m 39、m測(cè)量一個(gè)數(shù)據(jù)。
將測(cè)量的數(shù)據(jù)記錄在表格2?2中,再根據(jù)公式(2-5)計(jì)算出軸線上(X向) 各點(diǎn)的磁感應(yīng)強(qiáng)度B,并繪出Bc)-X圖,即圓線圈軸線上B的分布圖。
表 2-2 B(2) —X Is =5.00mA IM =500mA
X(nun)
Vi (111V)
V2(mV)
V3(mV)
V4(mV)
B(2)
(mT)
+Is、瓦I
+Is、?Im
-Is、
?Is、Jm
-40
?30
-20
-10
0
40、
10
20
30
40
二、測(cè)量亥姆霍茲線圈軸線上各點(diǎn)的磁感應(yīng)強(qiáng)度
測(cè)量前將亥姆霍茲線圈的距離設(shè)為R,即100mm處;銅管位置至R處;
Y向?qū)к墸?)、Z向?qū)к墸?)均置于0,并緊固相應(yīng)的螺母,這樣使霍爾 元件位于亥姆霍茲線圈軸線上。
用連接線將圓線圈(2)和(1)同向串聯(lián),連接到信號(hào)源勵(lì)磁電流g輸出 端。其它連接線一一對(duì)應(yīng)連接好。
用短接線將數(shù)顯毫伏表輸入端短接,或者調(diào)節(jié)Is、g電流均為零,再調(diào)節(jié) 面板上的調(diào)零電位器旋鈕,使毫伏農(nóng)顯示為O. 41、OOo
調(diào)節(jié)工作電流使Is=5.00mA,調(diào)節(jié)勵(lì)磁電流Im=0.5A,移動(dòng)X向?qū)к墸?0) 測(cè)量亥姆霍茲線圈通電時(shí),軸線上的各點(diǎn)處的霍爾電壓,可以每隔10mm測(cè)量 一個(gè)數(shù)據(jù)。
將測(cè)量的數(shù)據(jù)記錄在表格3?3中,再根據(jù)公式(2?5)計(jì)算出各點(diǎn)的磁感應(yīng) 強(qiáng)度B,并繪岀B(r>-X圖,即亥姆霍茲線圈軸線上B的分布圖。
將測(cè)得的亥姆霍茲線圈軸線上各點(diǎn)的磁感應(yīng)強(qiáng)度與理論公式(2-3)計(jì)算的 結(jié)果相比較。
表 3-3 B(R〉一X Is =5.00mA Im =500mA
X (mm)
Vi(mV)
V2(mV)
V3(mV)
V4(mV)
B (R)
(mT)
+Is 、Im
42、
+Is. -Im
?Is、
?Is、Im
-40
-30
-20
-10
0
10
20
30
40
四、比較和驗(yàn)證磁場(chǎng)疊加的原理
將表2?1和表2?2的B B⑵值數(shù)據(jù)按X向的坐標(biāo)位置相加,得到B⑴
+B(2>o
將B⑴、B⑵、B(d+B(2>及表3?3的B數(shù)據(jù)繪制出B-X圖。
43、比較 B(i)+B <2)不口 B (R), 證明是否符合公式B⑴+B (2)= B (R)o
五、測(cè)量?jī)蓚€(gè)通電圓線圈不同間距時(shí)的線圈軸線上各點(diǎn)的磁感應(yīng)強(qiáng)度
1、 調(diào)整圓線圈(2)與(1)的距離為50mm,銅管位置到“R/2”處。重 復(fù)以上實(shí)驗(yàn)內(nèi)容二的過(guò)程,得到B(R/2)數(shù)據(jù),并繪制出B(R/2>-X圖。
2、 調(diào)整圓線圈(2)與(1)的距離為200mm,銅管位置到“2R”處。重 復(fù)以上實(shí)驗(yàn)內(nèi)容二的過(guò)程,得到B(3R)數(shù)據(jù),并繪制出B(2R> -X圖。
3、 將繪制出B 44、電圓
線圈軸線外各點(diǎn)的磁感應(yīng)強(qiáng)度
1、測(cè)量亥姆霍茲線圈Y方向上B的分布
調(diào)整圓線圈(2)與(1)的距離為1 OOnmi,銅管位置到“R”處。X向?qū)?軌(10)、Z向?qū)к墸?)均置于0。
調(diào)節(jié)工作電流使Is=5.00mA,調(diào)節(jié)勵(lì)磁電流Im=0.5A,松開(kāi)緊固螺釘(9 ), 雙手移動(dòng)Y向?qū)к墸?),測(cè)量亥姆霍茲線圈通電時(shí),Y向各點(diǎn)處的霍爾電壓, 可以每隔10mm測(cè)量一個(gè)數(shù)據(jù)。
根據(jù)公式(5)計(jì)算岀各點(diǎn)的磁感應(yīng)強(qiáng)度B,并繪出Bg — Y圖,即亥姆 霍茲線圈Y方向上B的分布圖。
2、測(cè)量亥姆霍茲線圈Z方向上B的分布
圓線圈(2)與(1)的距離、銅管位置及Is、Im不變,X向?qū)к墸?0 45、)、 Y向?qū)к墸?)均置于0。
松開(kāi)緊固螺釘(12),輕移Z向?qū)к墸?),測(cè)量亥姆霍茲線圈通電時(shí),Z向 各點(diǎn)處的霍爾電壓,可以每隔10mm測(cè)量一個(gè)數(shù)據(jù)。
根據(jù)公式(5)計(jì)算岀各點(diǎn)的磁感應(yīng)強(qiáng)度B,并繪出Bg — Z圖,即亥姆 霍茲線圈Z方向上B的分布圖。
3、測(cè)量通電線圈內(nèi)任意位置的B值
根據(jù)前述內(nèi)容,測(cè)量圓線圈(2)與(1)不同距離、任意點(diǎn)的未知B值 調(diào)節(jié)X、Y、Z向?qū)к?,使霍爾傳感器位于需要測(cè)量的位置,測(cè)出霍爾電 壓,即可求得磁感應(yīng)強(qiáng)度B。
注意:距離軸線較遠(yuǎn)及亥姆霍茲線圈外側(cè)位置,由于霍爾元件與B并不完全垂直,存 在角度偏差,所以會(huì)引入測(cè)量誤差。
21
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