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高中化學第1輪總復習 第14章 第45講 原子結(jié)構(gòu)與性質(zhì) C(化學人教版)全國版

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1、考點考點1 1 原子結(jié)構(gòu)與核外電子排布原子結(jié)構(gòu)與核外電子排布 原子核外電子排布的幾條規(guī)律原子核外電子排布的幾條規(guī)律 (1)能量最低原理現(xiàn)代物質(zhì)結(jié)構(gòu)理論證實,原子的電子排布遵循構(gòu)造原理能使整個原子的能量處于最低狀態(tài),簡稱能量最低原理。 構(gòu)造原理和能量最低原理是從整體角度考慮原子的能量高低,而不局限于某個能級。 (2)泡利(不相容)原理:基態(tài)多電子原子中,不可能同時存在4個量子數(shù)完全相同的電子。換言之,一個軌道里最多只能容納兩個電子,且自旋方向相反(用“”表示),這個原理稱為泡利(Pauli)原理。 (3)洪特規(guī)則:當電子排布在同一能級的不同軌道(能量相同)時,總是優(yōu)先單獨占據(jù)一個軌道,而且自旋方

2、向相同,這個規(guī)則叫洪特(Hund)規(guī)則。比如,p3的軌道式為 或 ,而不是 。 洪特規(guī)則特例:當p、d、f軌道填充的電子數(shù)為全空、半充滿或全充滿時,原子處于較穩(wěn)定的狀態(tài)。即p0、d0、f0、p3、d5、f7、p6、d10、f14時,是較穩(wěn)定狀態(tài)。 前36號元素中,全空狀態(tài)的有4Be 2s22p0、12Mg 3s23p0、20Ca 4s23d0;半充滿狀態(tài)的有:7N 2s22p3、15P 3s23p3、24Cr 3d54s1、25Mn 3d54s2、33As 4s24p3;全充滿狀態(tài)的有10Ne 2s22p6、18Ar 3s23p6、29Cu 3d104s1、30Zn 3d104s2、36Kr

3、4s24p6。 例例1 有四種短周期元素,它們的結(jié)構(gòu)、性質(zhì)等信息如下表所述。 元素結(jié)構(gòu)、性質(zhì)等信息A是短周期中(除稀有氣體外)原子半徑最大的元素,該元素的某種合金是原子反應堆的導熱劑BB與A同周期,其最高價氧化物的水化物呈兩性C元素的氣態(tài)氫化物極易溶于水,可用作制冷劑D是海水中除氫、氧元素外含量最多的元素,其單質(zhì)或化合物也是自來水生產(chǎn)過程中常用的消毒殺菌劑 請根據(jù)表中信息填寫: (1)A原子的核外電子排布式為_。 (2)B元素在周期表中的位置為_;離子半徑:B_A(填“大于”或“小于”)。 (3)C原子的電子排布圖是_,其原子核外有_個未成對電子,能量最高的電子為_軌道上的電子,其軌道呈_形。

4、 (4)D原子的電子排布式為_, D的結(jié)構(gòu)示意圖是_。 (5)B的最高價氧化物對應的水化物與A的最高價氧化物對應的水化物反應的化學方程式為_,與D的氫化物的水化物反應的化學方程式為_。 【解析】 根據(jù)題中信息可推出:A為Na,B為Al,C為N,D為Cl。 (1)Na原子核外電子排布式為1s22s22p63s1。 (2)B為Al,其在元素周期表中的位置為第3周期第A族,Na與Al3核外電子排布相同,核電荷數(shù)Al3大于Na,故r(Al3)r(Na)。 (3)C為N,其電子排布圖為 ,其中有3個未成對電子,能量最高的為2p軌道上的電子,其軌道呈啞鈴形。 (4)D為Cl,其核外電子排布式為1s22s2

5、2p63s23p5,簡化電子排布式為Ne3s23p5,Cl的結(jié)構(gòu)示意圖為 (5)本題考查Al(OH)3分別與NaOH、鹽酸反應的方程式。 Al(OH)3NaOH=NaAlO22H2O,Al(OH)33HCl=AlCl33H2O。 【答案】 (1)1s22s22p63s1 (2)第3周期第A族小于 (3) 32p啞鈴 (4)1s22s22p63s23p5或Ne3s23p5 (5)NaOHAl(OH)3=NaAlO22H2O 3HClAl(OH)3=AlCl33H2O 考點考點2 原子結(jié)構(gòu)與元素周期律原子結(jié)構(gòu)與元素周期律1元素周期表的分區(qū)元素周期表的分區(qū) (1)根據(jù)核外電子排布 分區(qū)各區(qū)元素化學性

6、質(zhì)及原子最外層電子排布特點 分區(qū)元素分布外圍電子排布元素性質(zhì)特點s區(qū)A、A族ns12除氫外都是活潑金屬元素;通常是最外層電子參與反應p區(qū)A族A族、零族ns2np16通常是最外層電子參與反應d區(qū)B族B族、族(除鑭系、錒系外)(n1)d19ns12d軌道可以不同程度地參與化學鍵的形成續(xù)表分區(qū)元素分布外圍電子排布元素性質(zhì)特點ds區(qū)B族、B族(n1)d10ns12金屬元素f區(qū)鑭系、錒系(n2)f014(n1)d02ns2鑭系元素化學性質(zhì)相近,錒系元素化學性質(zhì)相近 若已知元素的外圍電子排布,可直接判斷該元素在周期表中的位置。如:某元素的外圍電子排布為4s24p4,由此可知,該元素位于p區(qū),為第四周期A族

7、元素。即最大能層為其周期數(shù),最外層電子數(shù)為其族序數(shù),但應注意過渡元素(副族與第族)的最大能層為其周期數(shù),外圍電子數(shù)應為其縱列數(shù)而不是其族序數(shù)(鑭系、錒系除外)。 2原子結(jié)構(gòu)與元素性質(zhì)的遞變規(guī)律原子結(jié)構(gòu)與元素性質(zhì)的遞變規(guī)律 3.對角線規(guī)則對角線規(guī)則 在元素周期表中,某些主族元素與右下方的主族元素的有些性質(zhì)是相似的,如 例例2 在元素周期表中,一稀有氣體元素原子的最外層電子構(gòu)型為4s24p6,與其同周期的A、B、C、D四種元素,它們的原子的最外層電子數(shù)依次為2、2、1、7,其中A、C兩元素原子的次外層電子數(shù)為8,B、D兩元素原子的次外層電子數(shù)為18,E、D兩元素處于同族,且在該族元素中,E的氣態(tài)氫

8、化物的沸點最高。 (1)B元素在周期表中的位置是_,B元素原子的價層電子排布為_。 (2)E的氣態(tài)氫化物在同族元素中沸點最高的原因是_。 (3)A、C兩元素第一電離能_。(填元素符號) (4)D元素原子的結(jié)構(gòu)示意圖為_。 (5)A、E所形成化合物的電子式為_。 【解析】 據(jù)稀有氣體的最外層電子構(gòu)型,知其為第4周期元素,則A、B、C、D均為第4周期元素。D元素最外層電子數(shù)為7,則D為Br;A、C兩元素原子的次外層電子數(shù)均為8,最外層電子數(shù)分別為2、1,則A為Ca,C為K;B元素原子的次外層電子數(shù)為18,最外層電子數(shù)為2,則B為Zn;E、D兩元素處于同族,為A族,且在該族元素中,E的氣態(tài)氫化物的沸

9、點最高,可知E為F(HF分子間存在氫鍵)。 【答案】 (1)第4周期B族3d104s2 (2)HF分子之間存在氫鍵 (3)CaK (4)(5) 解答元素推斷題的突破口可能是原子結(jié)構(gòu)、元素在周期表中的位置、元素的性質(zhì)等;在解答這類問題時,關(guān)鍵是抓住元素性質(zhì)和元素在周期表中的位置的關(guān)系,從原子半徑的變化和元素的最高正價和最低負價入手尋求突破。 1.(2011安徽卷安徽卷)中學化學中很多“規(guī)律”都有其使用范圍,下列根據(jù)有關(guān)“規(guī)律”推出的結(jié)論合理的是( ) A根據(jù)同周期元素的第一電離能變化趨勢,推出Al的第一電離能比Mg大 B根據(jù)主族元素最高正化合價與族序數(shù)的關(guān)系,推出鹵族元素最高正價都是7 C根據(jù)溶

10、液的pH與溶液酸堿性的關(guān)系,推出pH6.8的溶液一定顯酸性 D根據(jù)較強酸可以制取較弱酸的規(guī)律,推出CO2通入NaClO溶液中能生成HClOD 【解析】 本題考查各種“規(guī)律”,綜合考查化學原理中的共性與特性。選項具體分析結(jié)論A同一周期自左向右,第一電離能呈現(xiàn)增大趨勢,但由于p軌道處于全空、半充滿或全充滿時相對穩(wěn)定,這使得第A族與第A族、第A族與第A族反常,故Mg比Al的第一電離能要大錯誤BF的電負性最大,沒有正化合價錯誤C溶液的酸堿性受pH和溫度共同影響。常溫下,pHHClO,故能發(fā)生反應:NaClOCO2H2O=HClONaHCO3正確 2.(2010上海卷上海卷)幾種短周期元素的原子半徑及主

11、要化合價如下表: 元素代號XYZW原子半徑/pm1601437066主要化合價235、3、32 下列敘述正確的是( ) AX、Y元素的金屬性:XY,A錯;根據(jù)Z、W的原子半徑相差不大,化合價不同,且W只有負價,則其可能是O,Z是N,兩者的單質(zhì)直接生成NO,B錯;據(jù)此判斷可知X是Mg,Y是Al;Y的最高價氧化物的水化物是氫氧化鋁,不溶于氨水,C錯;一定條件下,氧氣可以和氨氣反應生成水和氮氣,D對。 3.(2011晉中月考晉中月考)下列說法中正確的是( ) A第三周期所包含的元素中鈉的原子半徑最小 B鈉的第一電離能比鎂的第一電離能大 C在所有元素中,氟的電負性最大 D電子云示意圖中的每個小黑點都表

12、示一個電子C 【解析】 同一周期,從左到右,原子半徑逐漸減小,第三周期所包含的元素中鈉的原子半徑最大,A錯誤;同一周期,從左到右,雖然有個別特殊性,但總體上元素第一電離能是逐漸增大的,鈉的第一電離能比鎂的第一電離能小,B錯誤;電負性就是以氟作為標準的,氟的電負性最大是正確的;電子云示意圖中的小黑點的疏密代表電子在這一區(qū)域出現(xiàn)機會的大小,D不對。 4.(2011湖南師大附中月考湖南師大附中月考)請完成下列各題: (1)前四周期元素中,基態(tài)原子中未成對電子與其所在周期數(shù)相同的元素有_種。 (2)A、A族元素組成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的平等體材料,其晶體結(jié)構(gòu)與單晶 硅 相 似

13、, G a 原 子 的 電 子 排 布 式 為_。在GaN晶體中,每個Ga原子與_個N原子相連,與同一個Ga原子相連的N原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為_。在四大晶體類型中,GaN屬于_晶體。51s22s22p63s23p63d104s24p1或Ar3d104s24p14正四面體原子 (3)在極性分子NCl3中,N原子的化合價為3,Cl原子的化合價為1,請推測NCl3水解的主要產(chǎn)物是_(填化學式)。 (4)D元素的正三價離子的3d亞層為半充滿,D元素 的 正 三 價 離 子 的 電 子 排 布 式 為_;寫出D元素的正三價離子與NCl3在水溶液中反應的離子方程式:_。HClO、NH3H2O1s22s22p

14、63s23p63d5Fe33NCl312H2O=Fe(OH)33 9HClO+4NH 【解析】 本題主要考查原子結(jié)構(gòu)知識,涉及原子的基態(tài)電子排布式及分子構(gòu)型、離子方程式的書寫等知識點。 (1)前四周期中,基態(tài)原子中未成對電子數(shù)與其周期數(shù)相同的元素包括:第一周期的氫、第二周期的碳和氧、第三周期的磷、第四周期的鐵,共5種。 (2)Ga在元素周期表中是第四周期A族,原子序數(shù)是31,即原子核外電子數(shù)是31,根據(jù)核外電子的排布規(guī)律可以寫出該原子的電子排布式:1s22s22p63s23p63d104s24p1或Ar3d104s24p1。因為GaN晶體結(jié)構(gòu)與單晶硅相似,可知GaN晶體是原子晶體,晶體結(jié)構(gòu)為空

15、間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu),每個Ga原予與4個N原子相連,這4個N原子構(gòu)成的空間構(gòu)型是正四面體。 (3)水解反應前后各元素的化合價不變,則在NCl3水解的產(chǎn)物中N的化合價還是3價,Cl的化合價還是1價,分析可知其水解產(chǎn)物是HCl和NH3H2O。 ( 4 ) 該 離 子 為 F e3 , 其 電 子 排 布 式 為1s22s22p63s23p63d5。在水溶液中Fe3與NCl2反應的實質(zhì)是與其水解的產(chǎn)物NH3H2O反應,因此其離子方程式為Fe33NCl312H2O=Fe(OH)33 9HClO。+4NH 1.(2011安徽卷安徽卷)W、X、Y、Z是四種常見的短周期元素,其原子半徑隨原子序數(shù)變化如下圖所示,已知W

16、的一種核素的質(zhì)量數(shù)為18,中子數(shù)為10;X和Ne原子的核外電子數(shù)相差1;Y的單質(zhì)是一種常見的半導體材料;Z的電負性在同周期主族元素中最大。 (1)X位于元素周期表中第_周期第_族;W的基態(tài)原子核外有_個未成對電子。 (2)X的單質(zhì)和Y的單質(zhì)相比,熔點較高的是_(寫化學式);Z的氣態(tài)氫化物和溴化氫相比,較穩(wěn)定的是_(寫化學式)。 (3)Y與Z形成的化合物和足量水反應,生成一種弱 酸 和 一 種 強 酸 , 該 反 應 的 化 學 方 程 式 是_。三A2SiHClSiCl43H2O=H2SiO34HCl (4)在25 、101 kPa下,已知Y的氣態(tài)氫化物在氧氣中完全燃燒后恢復至原狀態(tài),平均每轉(zhuǎn)

17、移1 mol 電子 放 熱 1 9 0 . 0 k J , 該 反 應 的 熱 化 學 方 程 式 是_。SiH4(g)2O2(g)=SiO2(s)2H2O(l)H1520.0 kJ/mol 【解析】 本題要緊扣原子半徑的周期性變化,從而確定四種元素的符號。 本題綜合考查元素周期表、晶體結(jié)構(gòu)、元素化合物以及熱化學方程式等知識。根據(jù)題意,W的一種核素的質(zhì)量數(shù)為18,中子數(shù)為10,則W為O;X和Ne原子的核外電子數(shù)相差1,且原子半徑比W大,則X為Na;Y的單質(zhì)是一種常見的半導體材料,不難推斷Y為Si;Z的電負性在同周期主族元素中最大,且原子半徑比O大,而比Na小,不難推出Z為Cl。 2.(2011

18、株洲市高三質(zhì)量統(tǒng)一檢測株洲市高三質(zhì)量統(tǒng)一檢測)C60分子本身是不導電的絕緣體,但它的金屬化合物具有半導體性和超導性。1991年4月Hebard等首先報道摻鉀C60有超導性,超導臨界溫度為19K。研究表明KxC60的晶體結(jié)構(gòu)中,C60具有面心立方結(jié)構(gòu)(與NaCl晶體結(jié)構(gòu)中Na或Cl的排列方式類似),而K填充在其四面體和八面體空隙中,晶胞參數(shù)為1.4253 nm(相當于NaCl晶胞的邊長)。 (1)寫出鉀原子的基態(tài)電子排布式: (2)寫出碳原子的軌道表示式: (3)占據(jù)四面體空隙和八面體空隙中的K數(shù)目之比是_。 (4)C60是_晶體(均填“分子”、“離子”、“原子”或“金屬”)。 (5)KxC60

19、中x的值為_。 【解析】 本題主要考查物質(zhì)的結(jié)構(gòu)與性質(zhì),涉及電子排布式、軌道表示式等化學用語和有關(guān)晶胞的計算。 ( 1 ) K 為 1 9 號 元 素 , 其 基 態(tài) 電 子 排 布 式 為1s22s22p63s23p64s1或Ar4s1。 (2)C為6號元素,其原子的軌道表示為 (3)根據(jù)均攤法可知,在晶體中,4個C60分子可以構(gòu)成一個四面體,8個C60分子可以構(gòu)成一個八面體,故四面體空隙數(shù)目是八面體的2倍,即占據(jù)四面體空隙的K數(shù)與占據(jù)八面體空隙K數(shù)的比值為2 1。 (4)由其構(gòu)成、性質(zhì)可知C60是分子晶體,而KxC60能導電,故其為離子晶體。 (5)根據(jù)NaCl晶體結(jié)構(gòu)可知,晶體中含有4個

20、結(jié)構(gòu)單元,因此有8個四面體空隙和4個八面體空隙,故含有12個K,通過均攤法可知晶體中含有4個C60結(jié)構(gòu)單元,故其化學式為K3C60,所以x3。 【答案】 (1) 1s22s22p63s23p64s1(或Ar4s1) (2) (3)2 1 (4)分子 (5)3 3.(2011北京卷北京卷)在溫度t1和t2下,X2(g)和H2反應生成HX的平衡常數(shù)如下表: (1)已知t2t1,HX的生成反應是_反應(填“吸熱”或“放熱”)。 (2)HX的電子式是_。 (3)共價鍵的極性隨共用電子對偏移程度的增大而增強,HX共價鍵的極性由強到弱的順序是_。 (4)X2都能與H2反應生成HX,用原子結(jié)構(gòu)解釋原因:_。

21、放熱 HF、HCl、HBr、HI 鹵素原子的最外層電子數(shù)均為7 (5)K的變化體現(xiàn)出X2化學性質(zhì)的遞變性,用原子結(jié)構(gòu)解釋原因:_,原子半徑逐漸增大,得電子能力逐漸減弱。 (6)僅依據(jù)K的變化,可以推斷出:隨著鹵素原子核電荷數(shù)的增加,_(選填字母)。 a在相同條件下,平衡時X2的轉(zhuǎn)化率逐漸降低 bX2與H2反應的劇烈程度逐漸減弱 cHX的還原性逐漸減弱 dHX的穩(wěn)定性逐漸減弱 同一主族元素從上到下原子核外電子層數(shù)依次增多 ad 【解析】 (1)溫度越高K值越小,說明升溫平衡逆向移動,則正反應(HX的生成反應)是放熱反應; (2)鹵原子最外層有7個電子,與H以共價鍵結(jié)合為鹵化氫分子,其電子式為H

22、。 (3)F、Cl、Br、I原子得電子能力依次減弱,共用電子對偏移程度依次減小,因而HX共價鍵的極性依次減弱。 (4)鹵原子最外層有7個電子,易得到1個電子形成8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu),而氫原子最外層1個電子,恰好與鹵素原子形成一對共用電子,也達到2電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)。 (5)生成HF、HCl、HBr、HI的K依次減小,即各反應進行程度依次減弱,說明F、Cl、Br、I原子得電子能力依次減弱,這是由于同主族元素自上而下電子層數(shù)依次增多導致的。 (6)平衡常數(shù)K表明了可逆反應進行的程度,K越小,反應進行的程度越小,即相同條件下,平衡時X2的轉(zhuǎn)化率逐漸降低;同理說明產(chǎn)物HX越易分解,故HX的穩(wěn)定性逐漸減弱。根據(jù)K值無法判斷反應的劇烈程度。

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