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1、 2020屆高考化學二輪復習考點專項突破練習 專題十一 物質結構與性質（6） 1、[化學——選修3：物質結構與性質] 根據(jù)物質結構有關性質和特點，回答下列問題： (1)Ti基態(tài)原子核外電子排布式為 _____基態(tài)鋁原子核外電子云形狀有______（填名稱）。 (2)丙烯腈（CH2=CH-CN）分子中σ鍵和π鍵的個數(shù)比為_____,分子中碳原子軌道的雜化類型是_______________。 (3)寫出與互為等電子體的一種分子和一種離子的化學式______、_______。 (4)鈦存在兩種同素異構體，采納六方最密堆積，采納體心立方堆積，鑒別兩種鈦晶體可以用_____法，由

2、轉變?yōu)榫w體積_____（填“膨脹”或“收縮”）。 (5)處于一定空間運動狀態(tài)的電子在原子核外出現(xiàn)的概率密度分布可用__________形象化描述。 (6)Cu與O元素形成的某種化合物的晶胞結構如圖所示，晶胞中氧原子的配位數(shù)為____，若阿伏伽德羅常數(shù)為NA，晶胞的邊長為a pm,該晶體的密度為___________g·cm-3． 2、已知A、B、C、D、E、F都是元素周期表中前四周期的元素,它們的核電荷數(shù)依次遞增。B的基態(tài)原子中電子占據(jù)三種能量不同的原子軌道,且每種軌道中的電子總數(shù)相同。D原子最外層電子數(shù)為次外層電子數(shù)的3倍。E與D位于同一主族。A、B、D三種元素組成的一種化合物X

3、是新裝修居室中常含有的一種有害氣體。由A、C、D、E、F五種元素按照原子個數(shù)比為14∶4∶5∶1∶1形成的化合物Y為深藍色晶體。 回答下列問題: 1.基態(tài)E原子的價電子排布圖為。 2.形成化合物Y的五種元素中第一電離能最大的是__________;電負性最大的是__________(填元素符號)。 3.化合物X中心原子的雜化方式為__________,X分子中的兩種鍵角的大小關系是__________(用表示,X、Y、Z代表元素符號)。 4.分子的立體結構為__________;A分別與B、C形成的簡單化合物熔、沸點由高到低順序為__________(用化學式表示),簡單說明原因__

4、________。 5.晶體Y中存在的化學鍵類型有__________。(填代號) A.離子鍵 B.非極性共價鍵 C.配位鍵 D.氫鍵 E.鍵 F.金屬鍵 6.下圖是D、F兩種元素形成的化合物的晶胞結構示意圖,F的配位數(shù)是;已知晶胞中最近的兩個D原子間距離為a nm,阿伏伽德羅常數(shù)用表示,則該晶體的密度為(用含、的表達式表示)。 3、由P、S、C等元素組成的新型材料有著廣泛的用途，回答下列問題。 （1）基態(tài)Cl原子核外電子排布式為 ,P、S、Cl的第一電離能由大到小順序為 . （2）分子中的中心原子雜化軌道類型是 ,該分子

5、構型為 . （3）Ni與CO能形成配合物，該分子中配位鍵個數(shù)為 ；以“—”表示σ鍵、“→”表示配位鍵，該分子空間結構示意圖可以畫為 。 （4）已知MgO與NiO的晶體結構（如圖1）相同，其中和的離子半徑分別為66pm和69pm則熔點:MgO NiO（填“＞”、“＜”或“＝”），理由是 。 （5）若NiO晶胞中離子坐標參數(shù)A為（0，0，0），B為1，1，0），則C離子坐標參數(shù)為 。 （6）一定溫度下，NiO晶體可以自發(fā)地分散并形成“單分子層”如圖2，可以認為作密置單層排列，填充其中，已知的半徑為a m，每平方米面積上分散的該晶體

6、的質量為 g.（用a、表示） 4、已知X、Y、Z、R都是周期表中前四周期的元素，它們的核電荷數(shù)依次增大。X是空氣中含量最高的元素，Z基態(tài)原子核外K、L、M三層電子數(shù)之比為1∶4∶2，R基態(tài)原子的3d原子軌道上的電子數(shù)是4s原子軌道上的4倍，Y基態(tài)原子的最外層電子數(shù)等于Z、R基態(tài)原子的最外層電子數(shù)之和。(答題時，X、Y、Z、R用所對應的元素符號表示) 1.X、Y、Z的第一電離能由小到大的順序為________，寫出一種與互為等電子體的分子的化學式：________。 2.R3＋基態(tài)核外電子排布式為________。 3.化合物Z3X4熔點高達1900℃以上，硬度很大。該

7、物質的晶體類型是________。 4.Y、Z形成的某晶體的晶胞結構如圖所示，則該化合物的化學式為________。 5.R2＋與過量的氨水形成的配離子的化學式為[R(NH3)6]2＋，1mol [R(NH3)6]2＋中含有σ鍵的數(shù)目為________。 5、鈷及其化合物在生產(chǎn)生活中有廣泛應用?；卮鹣铝袉栴}： 1.基態(tài)鈷原子價電子排布式為___________。 2.Co3+在水中易被還原成Co2+，而在氨水中可穩(wěn)定存在，其原因為___________。 3.中Co2+的配位數(shù)為8，配體中N的雜化方式為___________，該配離子中各元素I1由小到大的順序為__________

8、_(填元素符號)，1mol該配離子中含σ鍵數(shù)目為___________NA。 4.八面體配合物CoCl3·3NH3結構有___________種，其中極性分子有___________種。 5.配合物Co2(CO)8的結構如下圖，該配合物中存在的作用力類型有___________(填標號)。 A.金屬鍵 B.離子鍵 C.共價鍵 D.配位鍵 E.氫鍵 F.范德華力 6.鈷藍晶體結構如下圖，該立方晶胞由4個I型和4個Ⅱ型小立方體構成，其化學式為___________，晶體中Al3+占據(jù)O2－形成的___________(填“四面體空隙”或“八面體空隙”)。NA為阿伏伽德羅常數(shù)的

9、值，鈷藍晶體的密度為___________g·cm－3(列計算式)。 答案以及解析 1答案及解析： 答案：(1)1s22s22p63s23p63d24s2或[Ar]3d24s2;球形、啞鈴形; (2)2:1;sp2、sp; (3)CH4、SiH4、GeH4; 、; (4)X-射線衍射; 膨脹; (5)電子云; (6)4; ; 解析： 2答案及解析： 答案：1. 2.N;O; 3.雜化;大于 4.直線形;;分子間存在氫鍵 5.ACE; 6.2; 解析：(1

10、)基態(tài)S原子的價電子排布式為,其價電子排布圖為 (2)由于氮原子的2p軌道處于半充滿狀態(tài)，穩(wěn)定性較強，則形成化合物Y的五種元素中第一電離能最大的是N;元素的非金屬性越強，電負性越大，則電負性最大的是O。 (3)HCHO是平面形結構，中心碳原子形成3個鍵，無孤對電子，采取雜化,HCHO分子中由于氧原子上有2對未成鍵的孤對電子,且存在C=O鍵，均對C-H鍵形成較大的斥力，故HCHO分子中的兩種鍵角的大小關系是大于。 (4)和互為等電子體，具有相似的化學鍵特征，則的立體結構為直線形；由于分子間存在氫鍵，所以沸點:。 (5)晶體Y的化學式為,其中存在的化學鍵類型有離子鍵、配位鍵、鍵，A、C、E

11、正確。 (6)根據(jù)晶胞結構可知Cu的配位數(shù)是2;晶胞中含O原子個數(shù)為,含4個Cu原子，故晶胞質量為，已知晶胞中最近的兩個O原子間距離為anm，則晶胞的體對角線長是2anm，晶胞的邊長是，體積，則該晶體的密度。 3答案及解析： 答案:（1） （2） V形 （3）8 （4）＞ 半徑比小，MgO的晶格能比NiO大 （5）（1，1/2，1/2） （6） 解析:（1）Cl原子序數(shù)為17，基態(tài)Cl原子核外電子排布式為；同周期元素從左到右第一電離能有增大的趨勢，P元素原子3p能級處于半充滿狀態(tài)，第一電離能高于同周期相鄰元素，故P、S、Cl的第一電離能由大到

12、小順序為:Cl＞P＞S （2）分子中S原子雜化軌道數(shù)為:，采取雜化方式，有兩對孤電子對，該分子構型為V形。 （3）CO中有1個配位鍵，Ni與CO形成配合物，Ni和CO之間存在配位鍵，所以中配位鍵個數(shù)為:1×4＋4＝8；以“—”表示σ鍵、“→”表示配位鍵，該分子空間結構示意圖可以畫為: （4）晶體結構相同時，離子半徑越小離子鍵強度越大，比半徑小，MgO的晶格能比NiO大，所以熔點Mgo＞niO （5）NiO晶胞中離子坐標參數(shù)A為（0，0，0），B為（1，10），晶胞是邊長為1的正方體，C在右側面心處，根據(jù)立體幾何知識，則C離子坐標參數(shù)為（1，,） （6）如圖: 單分子層重復 4答案及解析： 答案：1.； CCl4或SiF4 2.[Ar]3d7(或1s22s22p63s23p63d7) 3.原子晶體 4.SiO2 5.24mol 解析： 5答案及解析： 答案：1.3d74s2 2. 可與形成較穩(wěn)定的配合物 3.sp2;Co、O、N;20 4.2;2 5.ACDF 6.CoAl2O4;八面體空隙； 解析：