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高考化學(xué)二輪復(fù)習(xí)考點(diǎn)專項(xiàng)突破練習(xí): 專題十一 物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì) 1含解析

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1、 2020屆高考化學(xué)二輪復(fù)習(xí)考點(diǎn)專項(xiàng)突破練習(xí) 專題十一 物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)(1) 1、已知A、B、C、D、E都是周期表中前四周期的元素,它們的核電荷數(shù)依次增大。其中A原子核外有三個(gè)未成對(duì)電子;A與B可形成離子化合物B3A2;C元素是地殼中含量最高的金屬元素;D原子核外的M層中有兩對(duì)成對(duì)電子;E原子核外最外層只有1個(gè)電子,其余各層電子均充滿。請(qǐng)根據(jù)以上信息,回答下列問(wèn)題(答題時(shí),A、B、C、D、E用所對(duì)應(yīng)的元素符號(hào)表示): 1.B的軌道排布式是????????? ,A、B、C、D的第一電離能由小到大的順序?yàn)???????????????? 。 2.B的氯化物的熔點(diǎn)遠(yuǎn)高于C的氯化物的熔點(diǎn)

2、,理由是??????????????。 3.A的最高價(jià)含氧酸根離子中,其中心原子采取?? 雜化,D的低價(jià)氧化物分子的空間構(gòu)型是?????? 。 4.A、E形成某種化合物的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,則其化學(xué)式為?????;(每個(gè)球均表示1個(gè)原子) 若相鄰A原子和E原子間的距離為a nm,阿伏伽德羅常數(shù)為NA,則該晶體的密度為_(kāi)______g/cm3(用含a、NA的符號(hào)表示)。 2、鈷及其化合物在生產(chǎn)中有重要作用,回答下列問(wèn)題 (1)鈷元素基態(tài)原子的電子排布式為_(kāi)_______________,未成對(duì)電子數(shù)為_(kāi)_______________。 (2)配合物[Co(NH3)4(H2O)2]

3、Cl3鈷重要化合物 ①H2O的沸點(diǎn)___ (填“高于”或“低于”)H2S,原因是_______;H2O中O的雜化形式為_(kāi)____。H2O是_____分子(填“極性”或“非極性”)。 ②[Co(NH3)4(H2O)2]Cl3中的Co3+配位數(shù)為_(kāi)__。陽(yáng)離子的立體構(gòu)型是___________。[Co(NH3)4(H2O)2]Cl3若其中有兩個(gè)NH3分子被Cl取代,所形成的[Co(NH3)2(H2O)2] 3+的幾何異構(gòu)體種數(shù)有(不考慮光學(xué)異構(gòu))___________種。 (3)一氧化鈷的晶胞如圖,則在每個(gè)Co2+的周圍與它最接近的且距離相等的Co2+共有_____個(gè),若晶體中Co2+與O2

4、-的最小距離為acm,則CoO的晶體密度為_(kāi)______(用含NA和a的代數(shù)式表示。結(jié)果g/cm3,已知:M(Co)=59g/mol;M(O)=16g/mol,設(shè)阿伏加德羅常數(shù)為NA)。 3、[化學(xué)—選修3:物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)] 第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵(GaN)適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件,通常稱為高溫半導(dǎo)體材料?;卮鹣铝袉?wèn)題: (1)基態(tài)Ga原子價(jià)層電子的軌道表達(dá)式為_(kāi)________,第一電離能介于N和B之間的第二周期元素有____種。 (2)HCN分子中σ鍵與π鍵的數(shù)目之比為_(kāi)_____,其中σ鍵的對(duì)稱方式為_(kāi)________。與CN—互為等電子體的分子為_(kāi)_____

5、__。 (3)NaN3是汽車安全氣囊中的主要化學(xué)成分,其中陰離子中心原子的雜化軌道類型為_(kāi)________。NF3的空間構(gòu)型為_(kāi)___________。 (4)GaN、GaP、GaAs都是很好的半導(dǎo)體材料,晶體類型與晶體硅類似,熔點(diǎn)如下表所示,分析其變化原因__________________________________。 GaN GaP GaAs 熔點(diǎn) 1700℃ 1480℃ 1238℃ (5)GaN晶胞結(jié)構(gòu)如下圖所示:晶胞中Ga原子采用六方最密堆積方式,每個(gè)Ga原子周圍距離最近的Ga原子數(shù)目為_(kāi)_______。 4、三氟化氮(NF3)是一種無(wú)色、無(wú)味、無(wú)毒

6、且不可燃的氣體,在半導(dǎo)體加工、太陽(yáng)能電池制造和液晶顯示器制造中得到廣泛應(yīng)用。它可在銅的催化作用下由F2和過(guò)量的NH3反應(yīng)得到,該反應(yīng)另一種產(chǎn)物為鹽。 (1)該反應(yīng)的化學(xué)方程式為_(kāi)__________________,生成物NF3中氮原子的雜化方式為_(kāi)_________; (2)N、F兩種元素的氫化物穩(wěn)定性比較,NH3_________HF(選填“>”或“<”); (3)被稱為類鹵離子,寫(xiě)出2種與互為等電子體的分子的化學(xué)式_____________,____________; (4)元素A基態(tài)原子的核外電子排布式為1s22s22p63s23p64s2,A跟氟可形成離子化合物,其晶胞結(jié)構(gòu)如

7、圖,密度為a g·cm-3,則晶胞的體積是______________cm3(只要求列出計(jì)算式,阿伏加德羅常數(shù)用NA表示)。 (5)元素B的原子序數(shù)為29,則B2+的電子排布式為_(kāi)__________,向B元素的硫酸鹽溶液中通入NH3至過(guò)量,觀察到的現(xiàn)象是__________________。 5、以鐵礦石(Fe2O3)為起始物,經(jīng)過(guò)一系列反應(yīng)可以得到Fe3[Fe(CN)6]2和Fe(SCN)3,請(qǐng)回答下列問(wèn)題: 1.Fe3+的核外電子排布式為 ,O原子的價(jià)電子軌道表示式為 _。 2.KSCN是檢驗(yàn)Fe3+的試劑之一,與SCN-互為等電子體的一種分子和

8、一種離子為 。 3.K3[Fe(CN)6]晶體中Fe3+與CN?之間的鍵型_ _,該化學(xué)鍵能夠形成的原因是 _。 4.K3[Fe(CN)5NO]的組成元素中,屬于第2周期的元素的第一電離能由小到大的順序是 ,配合物中原子序數(shù)最小的元素與氫元素形成的相對(duì)分子質(zhì)量為92的芳香化合物中,中心原子的雜化軌道類型是 。 5.把氯氣通入黃血鹽(K4[Fe(CN)6])溶液中,得到赤血鹽(K3[Fe(CN)6]),寫(xiě)出該變化的化學(xué)方程式 。 6.FeO晶胞結(jié)

9、構(gòu)如圖所示,F(xiàn)eO晶體中Fe2+配位數(shù)為_(kāi)___,若該晶胞邊長(zhǎng)為a cm,則該晶體密度為 g·cm?3(阿伏伽德羅常數(shù)的值為NA)。 答案以及解析 1答案及解析: 答案:1. ;Al

10、(3)12; 解析: 3答案及解析: 答案:(1);3;(2)1:1;軸對(duì)稱;CO; (3)sp;三角錐形; (4)原子半徑NGa-As,故熔點(diǎn)降低;(5)12 解析: 4答案及解析: 答案:(1)3F2+4NH3 = NF3+3NH4F; sp3雜化 (2)< (3)N2O; CO2 (4) (5)1s22s22p63s23p63d9; 首先形成藍(lán)色沉淀,繼續(xù)滴加氨水,沉淀溶解,得到深藍(lán)色透明溶液 解析: 5答案及解析: 答案:1.1s22s22p63s23p63d5; 2.CO2、N2O、CS2、COS;OCN- ; 3.配位鍵;CN?能提供孤對(duì)電子,F(xiàn)e3+能接受孤對(duì)電子(或Fe3+有空軌道) 4.C<O<N;sp2、sp3雜化 5.2K4[Fe(CN)6]+Cl2=2K3[Fe(CN)6]+2KCl 6.6; 解析:

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