《第2章雙極型晶體管和基本放大電路7PPT課件》由會(huì)員分享，可在線閱讀，更多相關(guān)《第2章雙極型晶體管和基本放大電路7PPT課件（138頁(yè)珍藏版）》請(qǐng)?jiān)谘b配圖網(wǎng)上搜索。

1、1作業(yè)：作業(yè)：習(xí)題：習(xí)題：2-1 2-1 、2-4 2-4 、2-7 2-7 、2-8 2-8 、2-102-10 2-12 2-12、2-142-14、2-172-17、2-242-24、2-25 2-25 22.1 雙極型晶體三極管雙極型晶體三極管2.2 晶體管放大電路的性能指標(biāo)和工作原理晶體管放大電路的性能指標(biāo)和工作原理2.3 晶體管放大電路的圖解分析法晶體管放大電路的圖解分析法2.4 等效電路分析法等效電路分析法2.5 其他基本放大電路其他基本放大電路2.6 組合放大單元電路組合放大單元電路342.1.1 雙極型晶體三極管的結(jié)構(gòu)及類型雙極型晶體三極管的結(jié)構(gòu)及類型在同一個(gè)硅片上制造出三個(gè)

2、摻雜區(qū)域，三個(gè)區(qū)分別在同一個(gè)硅片上制造出三個(gè)摻雜區(qū)域，三個(gè)區(qū)分別叫發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)。叫發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)。2.1 雙極型晶體三極管雙極型晶體三極管 引出的三個(gè)電極分別為：發(fā)射極引出的三個(gè)電極分別為：發(fā)射極e 、基極、基極b和集電極和集電極c?；鶇^(qū)和集電區(qū)形成集電結(jié)，發(fā)射區(qū)和基區(qū)形成發(fā)射結(jié)。基區(qū)和集電區(qū)形成集電結(jié)，發(fā)射區(qū)和基區(qū)形成發(fā)射結(jié)。三個(gè)區(qū)、兩個(gè)結(jié)、三個(gè)極三個(gè)區(qū)、兩個(gè)結(jié)、三個(gè)極52.1 雙極型晶體三極管雙極型晶體三極管小功率管小功率管中功率管中功率管大功率管大功率管62.1 雙極型晶體三極管雙極型晶體三極管7集電區(qū)集電區(qū)集電結(jié)集電結(jié)基區(qū)基區(qū)發(fā)射結(jié)發(fā)射結(jié)發(fā)射區(qū)發(fā)射區(qū)NN集電極集電極c基極

3、基極b發(fā)射極發(fā)射極ePecb符號(hào) 按照摻雜方式的不同分為按照摻雜方式的不同分為NPN型型和和PNP型型兩種類型兩種類型 NPN型型特點(diǎn)：基區(qū)薄摻雜濃度很低特點(diǎn)：基區(qū)薄摻雜濃度很低 發(fā)射區(qū)摻雜濃度很高發(fā)射區(qū)摻雜濃度很高 集電結(jié)面積很大集電結(jié)面積很大箭頭方向代表箭頭方向代表發(fā)射結(jié)發(fā)射結(jié)PN指向指向8集電區(qū)集電區(qū)集電結(jié)集電結(jié)基區(qū)基區(qū)發(fā)射結(jié)發(fā)射結(jié)發(fā)射區(qū)發(fā)射區(qū)PP集電極集電極c基極基極b發(fā)射極發(fā)射極eNecb符號(hào)PNP型型箭頭方向代表箭頭方向代表發(fā)射結(jié)發(fā)射結(jié)PN指向指向9、兩個(gè)、兩個(gè)PN結(jié)結(jié)無(wú)外加電壓無(wú)外加電壓（以（以NPN型型為例說(shuō)明）為例說(shuō)明）載流子運(yùn)動(dòng)處于動(dòng)平衡，載流子運(yùn)動(dòng)處于動(dòng)平衡，凈電流為零凈

4、電流為零、發(fā)射結(jié)加正向電壓，集電結(jié)加反向電壓、發(fā)射結(jié)加正向電壓，集電結(jié)加反向電壓10發(fā)射區(qū)向基區(qū)發(fā)射區(qū)向基區(qū)發(fā)射電子發(fā)射電子IEIB電子在基區(qū)電子在基區(qū)擴(kuò)散與復(fù)合擴(kuò)散與復(fù)合集電區(qū)收集電子集電區(qū)收集電子 電子流向電源正極形成電子流向電源正極形成 ICICNPN電源負(fù)極向發(fā)射電源負(fù)極向發(fā)射區(qū)補(bǔ)充電子形成區(qū)補(bǔ)充電子形成 發(fā)射極電流發(fā)射極電流IE正極拉走電正極拉走電子，補(bǔ)充被復(fù)子，補(bǔ)充被復(fù)合的空穴，形合的空穴，形成成 I IB BCRCRBIEPIBNICBOICNIEN11e區(qū)的多子電子通過(guò)區(qū)的多子電子通過(guò)e結(jié)擴(kuò)散到基區(qū)，形成擴(kuò)散電流結(jié)擴(kuò)散到基區(qū)，形成擴(kuò)散電流IEN；同時(shí)；同時(shí)基區(qū)的多子空穴擴(kuò)散到基

5、區(qū)的多子空穴擴(kuò)散到e區(qū)，形成擴(kuò)散電流區(qū)，形成擴(kuò)散電流IEP。二者實(shí)際方向。二者實(shí)際方向相同，因此發(fā)射極電流相同，因此發(fā)射極電流 IE = IEN + IEP IEN 。e區(qū)的電子注入?yún)^(qū)的電子注入b區(qū)后，因基區(qū)薄且雜質(zhì)濃度低，極少部分在區(qū)后，因基區(qū)薄且雜質(zhì)濃度低，極少部分在b區(qū)被復(fù)合區(qū)被復(fù)合(形成電流形成電流IBN)，大部分仍往，大部分仍往c區(qū)擴(kuò)散。區(qū)擴(kuò)散。12因集電結(jié)加反向電壓且面積大，到達(dá)因集電結(jié)加反向電壓且面積大，到達(dá)c結(jié)邊界的電子在電場(chǎng)結(jié)邊界的電子在電場(chǎng)作用下越過(guò)作用下越過(guò)c結(jié)到達(dá)結(jié)到達(dá)c區(qū)，記作區(qū)，記作ICN = IEN - IBN。c結(jié)加反向電壓，結(jié)加反向電壓，c區(qū)和區(qū)和b區(qū)的平衡少

6、子形成反向電流，記作區(qū)的平衡少子形成反向電流，記作ICBO，數(shù)量小可忽略數(shù)量小可忽略。13IEIBICVCCVBBRCRBIEP：基區(qū)向發(fā)射區(qū)擴(kuò)散基區(qū)向發(fā)射區(qū)擴(kuò)散形成的空穴電流。形成的空穴電流。IEN：發(fā)射區(qū)向基區(qū)擴(kuò)散發(fā)射區(qū)向基區(qū)擴(kuò)散形成的電子電流。形成的電子電流。IBN：基區(qū)中復(fù)合運(yùn)動(dòng)形基區(qū)中復(fù)合運(yùn)動(dòng)形成的電流。成的電流。I IBNBNI IEPEPI ICBOCBOI IENENI ICNCN14IEIBICVCCVBBRCRBICN：發(fā)射區(qū)擴(kuò)散到基區(qū)發(fā)射區(qū)擴(kuò)散到基區(qū)未被復(fù)合的自由電子未被復(fù)合的自由電子(非非平衡少子）漂移到集電區(qū)平衡少子）漂移到集電區(qū)形成的電流。形成的電流。ICBO：是平

7、衡少子在是平衡少子在集集電區(qū)與基區(qū)漂移運(yùn)動(dòng)形成電區(qū)與基區(qū)漂移運(yùn)動(dòng)形成的電流。也的電流。也是發(fā)射極開(kāi)路是發(fā)射極開(kāi)路時(shí)，時(shí)，b-c間的反向飽和電間的反向飽和電流。流。I IBNBNI IEPEPI ICBOCBOI IENENI ICNCN15發(fā)射區(qū)發(fā)射的總電子數(shù)（對(duì)應(yīng)于發(fā)射區(qū)發(fā)射的總電子數(shù)（對(duì)應(yīng)于），絕大部分被集），絕大部分被集電區(qū)收集（對(duì)應(yīng)于電區(qū)收集（對(duì)應(yīng)于），極少部分在基區(qū)與空穴復(fù)），極少部分在基區(qū)與空穴復(fù)合（對(duì)應(yīng)于合（對(duì)應(yīng)于I）集電區(qū)收集的電子數(shù)與發(fā)射區(qū)發(fā)射電子數(shù)的比值定義為集電區(qū)收集的電子數(shù)與發(fā)射區(qū)發(fā)射電子數(shù)的比值定義為電流放大系數(shù)電流放大系數(shù) ECNII一般為一般為0.950.995B

8、CNEIII16CBOBCBOEPBNBCBOCNCEPBNCNEPENEIIIIIIIIIIIIIII推導(dǎo)可得推導(dǎo)可得:BCEIII、電流分配關(guān)系、電流分配關(guān)系17CBOECIIIECNIIECNEBIIII)1 (181BCNII 是到達(dá)集電區(qū)的電子數(shù)和在基區(qū)中是到達(dá)集電區(qū)的電子數(shù)和在基區(qū)中復(fù)合的電子數(shù)之比。由生產(chǎn)工藝確定復(fù)合的電子數(shù)之比。由生產(chǎn)工藝確定（稱共射直流電流放大系數(shù)）。（稱共射直流電流放大系數(shù)）。1其中其中19實(shí)現(xiàn)電流控制的條件實(shí)現(xiàn)電流控制的條件（）晶體管結(jié)構(gòu)上的保證（內(nèi)因）：三個(gè)濃度不同（）晶體管結(jié)構(gòu)上的保證（內(nèi)因）：三個(gè)濃度不同的摻雜區(qū)、基區(qū)薄，摻雜濃度低；集電結(jié)面積大。的

9、摻雜區(qū)、基區(qū)薄，摻雜濃度低；集電結(jié)面積大。（）外加直流電源保證（外因）：發(fā)射結(jié)正向偏置，（）外加直流電源保證（外因）：發(fā)射結(jié)正向偏置，集電結(jié)反向偏置。集電結(jié)反向偏置。對(duì)于對(duì)于NPN型三極管應(yīng)滿足型三極管應(yīng)滿足: : 對(duì)于對(duì)于PNP型三極管應(yīng)滿足型三極管應(yīng)滿足: : 20ececbbNPNPNP（最低）（最低）（最低）（最低）21、共射接法中的電流關(guān)系、共射接法中的電流關(guān)系為共射直流電流放大系數(shù)為共射直流電流放大系數(shù)射極為公共端，射極為公共端，IB為輸入回路電流，為輸入回路電流，IC為輸出回路電流為輸出回路電流CBOBCBOCBCNIIIIIICEOBCBOBCIIIII）（ 1 一般情況下，有

10、一般情況下，有IBICBO， 1，所以，所以： IC IB IE （ 1+ ）IB22BCEOBCCCIiIIiIi基本不變，則作用時(shí)若在 uBCii23VCCRcIc UcecebUbe輸出輸出回路回路輸入輸入回路回路公共端公共端EbRbIb以以NPN型型為例說(shuō)明為例說(shuō)明241.1.共射接法晶體管的輸入特性曲線共射接法晶體管的輸入特性曲線IB = f (UBE )UC E = 常數(shù)常數(shù)IBUBE0UCE 1V0V 0.5V UCE=0，輸入特性曲線與，輸入特性曲線與PN結(jié)的伏安特性類似。結(jié)的伏安特性類似。當(dāng)當(dāng)UCE 增大時(shí)，由于電場(chǎng)的作增大時(shí)，由于電場(chǎng)的作用，曲線右移，當(dāng)用，曲線右移，當(dāng)UC

11、E 增大到增大到一定值后，再增加一定值后，再增加UCE ，曲線，曲線右移將不再明顯。右移將不再明顯。250UCE/V IC /mAIB =40AIB =60AIB增加增加IB 減小減小IB = 20AIB = 常數(shù)常數(shù)IC = f (UCE )2、 三極管的輸出特性三極管的輸出特性 對(duì)于每個(gè)確定的對(duì)于每個(gè)確定的IB均有一條均有一條對(duì)應(yīng)曲線，因此輸出特性是一對(duì)應(yīng)曲線，因此輸出特性是一族族曲線。曲線。 對(duì)于一條固定的曲線，隨著對(duì)于一條固定的曲線，隨著UCE的增加，的增加，iC逐漸增加，當(dāng)逐漸增加，當(dāng)UCE增大到一定的程度，增大到一定的程度， iC 幾乎不幾乎不變，變， iC僅僅決定于僅僅決定于iB

12、。26晶體管的三個(gè)工作區(qū)晶體管的三個(gè)工作區(qū) IC / mAUCE /V0IB= 0 A20A40 A60 A80 A截止區(qū)截止區(qū)IB 0的區(qū)域，兩結(jié)均反的區(qū)域，兩結(jié)均反偏。嚴(yán)格說(shuō)，偏。嚴(yán)格說(shuō)，IE=0,即即ICICBO的區(qū)域，管子基的區(qū)域，管子基本不導(dǎo)電。本不導(dǎo)電。27IC / mAUCE /V0IB= 0 A20A40 A60 A80 A放放大大區(qū)區(qū)截止區(qū)截止區(qū)交流交流共射共射電流放大系數(shù)電流放大系數(shù)： BCII 放大區(qū)放大區(qū)通常，我們認(rèn)為 。直流直流曲線幾乎水平，曲線幾乎水平，C與與無(wú)關(guān)，無(wú)關(guān)，僅僅由僅僅由IB決定，決定， C = IB28 飽和區(qū)飽和區(qū)飽和區(qū)飽和區(qū)IC / mAUCE /

13、V0IB= 0 A20A40 A60 A80 A放放大大區(qū)區(qū)截止區(qū)截止區(qū)發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均處于發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均處于正向偏置正向偏置。此時(shí)集電極與發(fā)射極之間的電壓叫此時(shí)集電極與發(fā)射極之間的電壓叫飽和電壓降飽和電壓降UCES此時(shí)此時(shí)IB UCE 較小。較小。IC不僅和不僅和IB有關(guān)，還和有關(guān)，還和UCE有關(guān)。當(dāng)有關(guān)。當(dāng) UCB =0=0時(shí)，時(shí)，晶體管處于晶體管處于臨界臨界飽和狀飽和狀態(tài)。態(tài)。 29( (發(fā)射結(jié)正向偏置且集發(fā)射結(jié)正向偏置且集電結(jié)反向偏置電結(jié)反向偏置) )工作區(qū)域工作區(qū)域外部條件外部條件特點(diǎn)特點(diǎn)iB=0， iC0 (iCICEO)uBE Uon 且且uCE uBE（發(fā)射結(jié)電壓小于開(kāi)啟（發(fā)

14、射結(jié)電壓小于開(kāi)啟 電壓且集電結(jié)反偏）電壓且集電結(jié)反偏） iC = iB(i(iC C僅僅由僅僅由I IB B決定決定) )uBE Uon 且且uCE uBE（發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均（發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均 正向偏置）正向偏置）uBE Uon 且且uCE uBE iC iB(i(iC C隨隨uCE的增大而增大的增大而增大) )uCE = uBE即即uCB = 0iCS = iBS30（）溫度對(duì)輸入特性曲線的影響（）溫度對(duì)輸入特性曲線的影響 、溫度對(duì)晶體管特性及參數(shù)的影響、溫度對(duì)晶體管特性及參數(shù)的影響溫度升高時(shí)，正向特性曲溫度升高時(shí)，正向特性曲線將左移。在室溫附近，線將左移。在室溫附近，溫度每升高溫度每升高1

15、，正向壓，正向壓降減小降減小22.5mV。0I / mAUBE / V 752031）溫度對(duì)）溫度對(duì)I ICEOCEO 和和I ICBOCBO的影響：的影響：UCE/ VIC/mA 7520(2)溫度對(duì)輸出特性曲線的影響溫度對(duì)輸出特性曲線的影響75207520每升高每升高10 ， ICBO增大一增大一倍，倍， ICEO也是。也是。）溫度對(duì)）溫度對(duì) 的影響：的影響：溫度升高輸出特性上移溫度升高輸出特性上移溫度升高，溫度升高， 增大，每升高增大，每升高1 ， 增大增大0.5 1%。輸出。輸出特性曲線間距增大。特性曲線間距增大。32BCBCEOCIIIIIECECBOCIIIII一般在一般在0.95

16、 0.995一般在一般在20 100ICEO和 ICBO、直流參數(shù)、直流參數(shù)332、交流參數(shù)、交流參數(shù)(1) 電流放大系數(shù)電流放大系數(shù) ,ECBCIIII (2) 特征頻率特征頻率fT當(dāng)當(dāng)下降到下降到1時(shí)的信號(hào)頻率，時(shí)的信號(hào)頻率，f 34（1）集電極最大允許耗散集電極最大允許耗散功率功率 PCMICMUCE IC U(BR)CEOPCM=ICUCE安安全全工工作作區(qū)區(qū)3、極限參數(shù)、極限參數(shù)（4）晶體管的安全工作區(qū)晶體管的安全工作區(qū)U(BR)EBO、 U(BR)CBO（3）極間反向擊穿電壓極間反向擊穿電壓 U(BR)CEO ：基極開(kāi)路時(shí)集：基極開(kāi)路時(shí)集電極電極-發(fā)射極的反向擊穿發(fā)射極的反向擊穿電

17、壓電壓（2）集電極最大允許電流集電極最大允許電流 ICM35、類型、類型根據(jù)材料分為硅管和鍺管；根據(jù)材料分為硅管和鍺管；根據(jù)三個(gè)區(qū)的摻雜方式分為根據(jù)三個(gè)區(qū)的摻雜方式分為NPN型和型和PNP型型；根據(jù)使用的頻率范圍分為低頻管和高頻管；根據(jù)使用的頻率范圍分為低頻管和高頻管；根據(jù)允許的功率損耗分為小功率管、中功率管根據(jù)允許的功率損耗分為小功率管、中功率管和大功率管和大功率管、型號(hào)、型號(hào)見(jiàn)第一章表見(jiàn)第一章表1- -1363 三極管三極管A 鍺材料鍺材料 PNPB 鍺材料鍺材料 NPNC 硅材料硅材料 PNPD 硅材料硅材料 NPNX 低頻小功率管低頻小功率管G 高頻小功率管高頻小功率管D 低頻大功率管

18、低頻大功率管A 高頻大功率管高頻大功率管半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法第一部分第一部分?jǐn)?shù)字?jǐn)?shù)字 字母字母 字母字母(漢拼漢拼) 數(shù)字?jǐn)?shù)字 字母字母(漢拼漢拼) 電極數(shù)電極數(shù) 材料和極性材料和極性 器件類型器件類型 序號(hào)序號(hào) 規(guī)格號(hào)規(guī)格號(hào)第二部分第二部分第三部分第三部分第四部分第四部分第五部分第五部分例：例： 3AX31 3DG12B 3DD6PNP低頻小功率鍺三極管低頻小功率鍺三極管 NPN高頻小功率硅三極管高頻小功率硅三極管 NPN低頻大功率硅三極管低頻大功率硅三極管 3CG 3AD 3DK PNP高頻小功率硅三極管高頻小功率硅三極管 PNP低頻大功率鍺三極管低頻大功率鍺三極管

19、 NPN硅開(kāi)關(guān)三極管硅開(kāi)關(guān)三極管 、型號(hào)、型號(hào)見(jiàn)第一章表見(jiàn)第一章表1- -137、晶體管的選用原則、晶體管的選用原則（）同型號(hào)的管子選反向電流較小的；（）同型號(hào)的管子選反向電流較小的；（）要求反向電流小、工作溫度高選硅管；要求導(dǎo)（）要求反向電流小、工作溫度高選硅管；要求導(dǎo) 通電壓低選鍺管；通電壓低選鍺管；（）工作信號(hào)頻率高選高頻管；開(kāi)關(guān)電路選開(kāi)關(guān)管；（）工作信號(hào)頻率高選高頻管；開(kāi)關(guān)電路選開(kāi)關(guān)管；（）保證管子工作在安全區(qū)。（）保證管子工作在安全區(qū)。38例例1：測(cè)得某電路中幾只：測(cè)得某電路中幾只NPN晶體管三個(gè)極的直流電位晶體管三個(gè)極的直流電位如表所示，各晶體管如表所示，各晶體管b-e間的閾值電壓

20、間的閾值電壓Uth均為均為0.7V。 試分別說(shuō)明各管子的工作狀態(tài)。試分別說(shuō)明各管子的工作狀態(tài)。晶體管晶體管基極直流電位基極直流電位UB/V發(fā)射極直流電位發(fā)射極直流電位UE/V集電極直流電位集電極直流電位UC/V工作狀態(tài)工作狀態(tài)T1T2T3T40.70.31-10050.7-1.70015對(duì)對(duì)NPN管，管， 當(dāng)當(dāng)UBEUon時(shí)，管子截止；時(shí)，管子截止； 當(dāng)當(dāng)UBE Uon且且UCE UBE (或或UC UB)，管子放大；，管子放大； 當(dāng)當(dāng)UBE Uon且且UCE UBE (或或UC UB)，管子飽和。，管子飽和。放大放大放大放大飽和飽和截止截止39例例2 在一個(gè)單管放大電路中，電源電壓為在一個(gè)單

21、管放大電路中，電源電壓為30V，已知三只，已知三只管子的參數(shù)如表所示，請(qǐng)選用一只管子，并簡(jiǎn)述理由。管子的參數(shù)如表所示，請(qǐng)選用一只管子，并簡(jiǎn)述理由。晶體管參數(shù)晶體管參數(shù)ICBO/AUCEO/VT1T2T30.010.10.0550502015100100T1的的小，放大能力差；小，放大能力差；T3的的UCEO僅為僅為20V，可能被擊穿；，可能被擊穿；T2的的ICBO較小、較小、較大，且較大，且UCEO大于電源電壓，合適。大于電源電壓，合適。40 光電三極管依據(jù)光照的強(qiáng)度來(lái)控制集電極電流的大光電三極管依據(jù)光照的強(qiáng)度來(lái)控制集電極電流的大小，其功能可以等效一個(gè)光電二極管和一只晶體管相小，其功能可以等效

22、一個(gè)光電二極管和一只晶體管相連。連。e符號(hào)符號(hào)cce等效電路等效電路ec41光電晶體管的輸出特性曲線光電晶體管的輸出特性曲線光電三極管的輸出特性光電三極管的輸出特性與普通三極管的輸出特與普通三極管的輸出特性曲線相同，只是用入性曲線相同，只是用入射光強(qiáng)度射光強(qiáng)度E取代基極電流取代基極電流IB42 用小的變化量去控制一個(gè)較大的量的變化。用小的變化量去控制一個(gè)較大的量的變化。要求不失真的要求不失真的“線性放大線性放大”。 放大電路利用晶體管實(shí)現(xiàn)能量的控制與轉(zhuǎn)換。放大電路利用晶體管實(shí)現(xiàn)能量的控制與轉(zhuǎn)換。4344 一般包含電壓放大電路和功率放大電路。一般包含電壓放大電路和功率放大電路。VCC 電壓放大電

23、路將微弱電壓加以放大從而推動(dòng)電壓放大電路將微弱電壓加以放大從而推動(dòng)功率放大電路，通常工作在小信號(hào)狀態(tài)。功率放大電路，通常工作在小信號(hào)狀態(tài)。 功率放大電路輸出較大的功率，推動(dòng)執(zhí)行元功率放大電路輸出較大的功率，推動(dòng)執(zhí)行元件，工作在大信號(hào)狀態(tài)。件，工作在大信號(hào)狀態(tài)。45（1 1）晶體管工作在放大區(qū)（發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)）晶體管工作在放大區(qū)（發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié) 反偏）。反偏）。（2) 2) 輸入信號(hào)必須能夠作用于放大管的輸入回路。輸入信號(hào)必須能夠作用于放大管的輸入回路。（3) 3) 當(dāng)負(fù)載接入時(shí)，放大管輸出回路的動(dòng)態(tài)電流或當(dāng)負(fù)載接入時(shí)，放大管輸出回路的動(dòng)態(tài)電流或電壓能夠作用于負(fù)載，從而使負(fù)載獲得比輸入回

24、路電壓能夠作用于負(fù)載，從而使負(fù)載獲得比輸入回路信號(hào)大得多的信號(hào)電流或信號(hào)電壓。信號(hào)大得多的信號(hào)電流或信號(hào)電壓。4647信號(hào)源信號(hào)源信號(hào)源內(nèi)阻信號(hào)源內(nèi)阻輸入電壓輸入電壓輸出電壓輸出電壓輸入電阻輸入電阻輸出電阻輸出電阻負(fù)載電阻負(fù)載電阻48 衡量放大電路的放大能力，定義為輸出變化量與衡量放大電路的放大能力，定義為輸出變化量與輸入變化量之比。輸入變化量之比。電壓放大電路；電壓放大電路；電流放大電路；電流放大電路；互導(dǎo)放大電路；互導(dǎo)放大電路；互阻放大電路?；プ璺糯箅娐贰?根據(jù)輸入量與輸出量的不同，將放大電路分為四種根據(jù)輸入量與輸出量的不同，將放大電路分為四種類型：類型：49 輸入量與輸出量都是電壓。輸入

25、量與輸出量都是電壓。iouuuUUAA/：輸出電壓與輸入電壓之比。：輸出電壓與輸入電壓之比。輸出電壓與信號(hào)源電壓之比輸出電壓與信號(hào)源電壓之比sousUUA/50輸入量與輸出量都是電流。輸入量與輸出量都是電流。：輸出電流與輸入電流之比：輸出電流與輸入電流之比ioiiiIIAA/電壓、電流增益都無(wú)量綱。電壓、電流增益都無(wú)量綱。 51 輸入量是電壓，輸出量是電流。輸入量是電壓，輸出量是電流。iogUIA/量綱為量綱為 西門(mén)子西門(mén)子 S 輸入量是電流，輸出量是電壓。輸入量是電流，輸出量是電壓。iorIUA/量綱為量綱為 歐姆歐姆 52從放大電路輸入端看進(jìn)去的等效電阻。從放大電路輸入端看進(jìn)去的等效電阻。

26、Ri定義為輸入電壓有效值定義為輸入電壓有效值Ui和輸入電流有效值和輸入電流有效值Ii之比。之比。iiiIUR 表明放大電路從信號(hào)源索取電流或電壓的能力。表明放大電路從信號(hào)源索取電流或電壓的能力。R Ri i越大，越大，電流越小，電流越小，U Ui i越接近越接近 U Us s ，信號(hào)電壓，信號(hào)電壓U Us s損失損失越小。越小。53 輸入信號(hào)源是內(nèi)阻很小的電壓源時(shí)，要求輸入信號(hào)源是內(nèi)阻很小的電壓源時(shí)，要求輸入電阻盡量大，以保證信號(hào)源電壓損失盡可輸入電阻盡量大，以保證信號(hào)源電壓損失盡可能小。能小。 輸入信號(hào)源是內(nèi)阻很大的電流源時(shí)，要求輸輸入信號(hào)源是內(nèi)阻很大的電流源時(shí)，要求輸入電阻盡量小，以保證信

27、號(hào)源電流盡可能多流入電阻盡量小，以保證信號(hào)源電流盡可能多流進(jìn)放大電路。進(jìn)放大電路。 利用利用Ri和和Rs可以求出可以求出與與的關(guān)系式。的關(guān)系式。usiisiiiosiiosousARRRRRRUUUUUUUUA54從放大電路輸出端看進(jìn)去的等效電阻。從放大電路輸出端看進(jìn)去的等效電阻。負(fù)載上負(fù)載上輸出電輸出電壓有效壓有效值值)/(LooLoRRURU空載時(shí)輸出空載時(shí)輸出電壓有效值電壓有效值Ro整理后整理后LoooRUUR) 1(55 R RO O表明放大電路的帶負(fù)載能力表明放大電路的帶負(fù)載能力( (指負(fù)載變化時(shí)輸出電指負(fù)載變化時(shí)輸出電壓的變化情況）。壓的變化情況）。 RoRo越小，放大電路帶電壓負(fù)

28、載的能力越強(qiáng)。越小，放大電路帶電壓負(fù)載的能力越強(qiáng)。（ RoRo小，小，R RL L變化時(shí)，變化時(shí)，U UO O變化小變化小) ) 56 R Ri i 、R Ro o是為描述電路在相互連接時(shí)彼此之間產(chǎn)生是為描述電路在相互連接時(shí)彼此之間產(chǎn)生影響而引入的參數(shù)。影響而引入的參數(shù)。57是用于衡量放大電路對(duì)不同頻率信號(hào)的放大能是用于衡量放大電路對(duì)不同頻率信號(hào)的放大能力的技術(shù)指標(biāo)力的技術(shù)指標(biāo)。|A|fLfH0.707|Am|f|Am|58指輸出波形中的諧波成分總量與基波成分之比指輸出波形中的諧波成分總量與基波成分之比( (各次各次諧波有效值與基波有效值之比）。諧波有效值與基波有效值之比）。213212)A(

29、)A(AAD59 當(dāng)輸入電壓再增大時(shí)就會(huì)使輸出波形產(chǎn)生非線性當(dāng)輸入電壓再增大時(shí)就會(huì)使輸出波形產(chǎn)生非線性失真時(shí)的輸出電壓（非線性失真系數(shù)不超過(guò)規(guī)定的失真時(shí)的輸出電壓（非線性失真系數(shù)不超過(guò)規(guī)定的最大輸出電壓）。最大輸出電壓）。 60Po交流輸出功率交流輸出功率Pv電源提供的平均功率電源提供的平均功率VoPP61文字符號(hào)和下標(biāo)均用大寫(xiě)字母。例文字符號(hào)和下標(biāo)均用大寫(xiě)字母。例I IB B、I IC C、 U UBEBE等。等。文字符號(hào)和下標(biāo)均用小寫(xiě)字母。文字符號(hào)和下標(biāo)均用小寫(xiě)字母。ib、ic、 ui、uo等等。文字符號(hào)用小寫(xiě)字母，下標(biāo)用大寫(xiě)字文字符號(hào)用小寫(xiě)字母，下標(biāo)用大寫(xiě)字 母。例：母。例：iB、 iC

30、、uBE、uCE、uI、uO。 在線性放大電路中正弦量為輸入量在線性放大電路中正弦量為輸入量,輸輸入、輸出常用相量或有效值表示，文字符號(hào)用大寫(xiě)字入、輸出常用相量或有效值表示，文字符號(hào)用大寫(xiě)字母，下標(biāo)用小寫(xiě)字母，例母，下標(biāo)用小寫(xiě)字母，例: 、Ui等。等。 iU62 3DG6 3DG6: :晶體三極管晶體三極管, ,有源器件有源器件, ,核心器件核心器件。Rb: 提供合適的提供合適的IB。R Rc c：將集電極電流變化量：將集電極電流變化量轉(zhuǎn)換為電壓變化量。轉(zhuǎn)換為電壓變化量。u ui i uo ：正弦輸入信號(hào)和輸出信號(hào)。：正弦輸入信號(hào)和輸出信號(hào)。C1、C2耦合電容：隔直流、通交流。耦合電容：隔直流

31、、通交流。Vcc: 保證發(fā)射結(jié)正偏、集保證發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏。電結(jié)反偏。63正弦輸入信號(hào)正弦輸入信號(hào)ui通過(guò)通過(guò)C1加到晶體管的基極，加到晶體管的基極，引起基極電流引起基極電流iB的變的變化，晶體管的集電極化，晶體管的集電極電流電流iC隨之變化，隨之變化， iC的變化通過(guò)電阻的變化通過(guò)電阻RC產(chǎn)產(chǎn)生電壓降。生電壓降。CCCCCERiVu集電極電壓集電極電壓64 中的變化量經(jīng)中的變化量經(jīng)C2傳送到輸出端成為傳送到輸出端成為輸出電壓輸出電壓 。CEuOu若電路參數(shù)設(shè)置合若電路參數(shù)設(shè)置合適，輸出信號(hào)幅值適，輸出信號(hào)幅值比輸入信號(hào)大，可比輸入信號(hào)大，可以實(shí)現(xiàn)以實(shí)現(xiàn)電壓放大。電壓放大。CCCCCER

32、iVu65（）直流量和交流量共存（）直流量和交流量共存,直流量是電路具有直流量是電路具有放大作用的基礎(chǔ)，交流量是放大的對(duì)象。放大作用的基礎(chǔ)，交流量是放大的對(duì)象。（）非線性。（）非線性。（）小信號(hào)線性化分析法（等效電路分析法）（）小信號(hào)線性化分析法（等效電路分析法）（）圖解分析法（）圖解分析法666768 放大電路未加交流輸入信號(hào)，電路中的電壓和放大電路未加交流輸入信號(hào)，電路中的電壓和電流只有直流成分，叫做放大電路的電流只有直流成分，叫做放大電路的“直流工作狀直流工作狀態(tài)態(tài)”或或“靜態(tài)靜態(tài)”。 在晶體管的特性曲線上，晶體管各極直流電壓和在晶體管的特性曲線上，晶體管各極直流電壓和電流的數(shù)值確定一點(diǎn)

33、，此點(diǎn)叫做電流的數(shù)值確定一點(diǎn)，此點(diǎn)叫做“靜態(tài)工作點(diǎn)靜態(tài)工作點(diǎn)”。當(dāng)輸入信號(hào)為零時(shí)，晶體管的基極電流當(dāng)輸入信號(hào)為零時(shí)，晶體管的基極電流IB、集電、集電極電流極電流Ic、b-e間電壓間電壓UBE、管壓降、管壓降UCE稱為放大電稱為放大電路的靜態(tài)工作點(diǎn)路的靜態(tài)工作點(diǎn)Q。U UBEQBEQ：硅管：硅管0.7V,0.7V,鍺管鍺管0.2V0.2V69可以用近似計(jì)算（估算）的方法求解可以用近似計(jì)算（估算）的方法求解點(diǎn)點(diǎn)。 設(shè)置合適的靜態(tài)工作點(diǎn)，以保證放大電路不產(chǎn)生設(shè)置合適的靜態(tài)工作點(diǎn)，以保證放大電路不產(chǎn)生失真，靜態(tài)工作點(diǎn)還影響著放大電路幾乎所有的動(dòng)失真，靜態(tài)工作點(diǎn)還影響著放大電路幾乎所有的動(dòng)態(tài)參數(shù)。態(tài)參數(shù)

34、。70例例- - 用估算法求圖示電路的靜態(tài)工作點(diǎn)用估算法求圖示電路的靜態(tài)工作點(diǎn). .解：首先畫(huà)出電路的直流通路解：首先畫(huà)出電路的直流通路.71CCQCCCEQRIVU直流通路直流通路BBEQCCBQRUVI基極電流基極電流CQBQII集電極電流集電極電流UBEQ:硅管為硅管為0.7V 鍺管為鍺管為0.2V求出靜態(tài)工作點(diǎn)求出靜態(tài)工作點(diǎn)72（U UCEQ CEQ 、I ICQCQ）通常輸入回路直接用估算法求出通常輸入回路直接用估算法求出IBQ。輸出回路方程輸出回路方程非線性：非線性：I IC C= =f f( (U UCECE) ) 線性：線性：UCE =VCC-ICRC兩條曲線交點(diǎn)即兩條曲線交點(diǎn)

35、即Q(UQ(UCEQCEQ,I,ICQCQ) )點(diǎn)點(diǎn)。73斜率斜率 -1/R-1/RC CVCC/RC直流負(fù)載線過(guò)（直流負(fù)載線過(guò)（V VCCCC 0),(0 V 0),(0 VCCCC/ /R RC C) )點(diǎn)點(diǎn), , 斜率斜率 -1/-1/R RC C。輸出回路滿足輸出回路滿足UCE =VCC-ICRC的直線叫直流負(fù)載線的直線叫直流負(fù)載線。74（1 1）容量大的電容視為短路；）容量大的電容視為短路；（2 2）無(wú)內(nèi)阻的直流電源視為短路。）無(wú)內(nèi)阻的直流電源視為短路。7576( (未接入負(fù)載電阻未接入負(fù)載電阻) )各電壓和電流都在原靜態(tài)基礎(chǔ)上疊加了一個(gè)交流量各電壓和電流都在原靜態(tài)基礎(chǔ)上疊加了一個(gè)交

36、流量.CCQcCECEQceiIiuUuBEBEQiBBQbUUuiIiuBEceouiiuuAuu輸出電壓與輸入電壓輸出電壓與輸入電壓的變化的變化77ceCEQCEbCQCbBQBiBEQBEuUuiIiiIiuUuuo=uce781）輸出電壓與輸入電壓為頻率相同的正弦波，但幅）輸出電壓與輸入電壓為頻率相同的正弦波，但幅值增大，值增大，“線性放大線性放大”。ICEIOuuuuuA2）輸出電壓與輸入電壓）輸出電壓與輸入電壓相位相反，即相差相位相反，即相差180 , Au為負(fù)值為負(fù)值。結(jié)論結(jié)論: :79（電路輸出端接負(fù)載電阻）（電路輸出端接負(fù)載電阻）滿足此關(guān)系式滿足此關(guān)系式且過(guò)且過(guò)點(diǎn)的直線，叫做

37、點(diǎn)的直線，叫做“交流負(fù)載線交流負(fù)載線”。LcLCcoRiRRiu)/(LCLRRR/根據(jù)交流通路可以得到根據(jù)交流通路可以得到80交流負(fù)載線的斜率交流負(fù)載線的斜率:直流負(fù)載線的斜率直流負(fù)載線的斜率:LCRR /1CR1兩者相交于點(diǎn)，交兩者相交于點(diǎn)，交流負(fù)載線更陡，動(dòng)態(tài)流負(fù)載線更陡，動(dòng)態(tài)范圍更小。范圍更小。 交流負(fù)載線交流負(fù)載線UCEQ81Q點(diǎn)合適且輸入信號(hào)幅值較小時(shí)無(wú)波形失真點(diǎn)合適且輸入信號(hào)幅值較小時(shí)無(wú)波形失真.82晶體管晶體管截止截止而產(chǎn)生的失真為截止失真而產(chǎn)生的失真為截止失真.現(xiàn)象：輸出電壓波形出現(xiàn)現(xiàn)象：輸出電壓波形出現(xiàn)削頂削頂失真失真.uo波形波形:83晶體管晶體管飽和飽和而產(chǎn)生的失真為而

38、產(chǎn)生的失真為飽和飽和失真失真.現(xiàn)象現(xiàn)象:輸出電壓波形出現(xiàn)輸出電壓波形出現(xiàn)削底削底失真失真.uo波形波形增大增大RB ( (減小減小I IBQBQ) )減小減小RC ( (增大負(fù)載線斜率增大負(fù)載線斜率) )84。右上移，,:； 點(diǎn)上移 ,:； 點(diǎn)左移 斜率小，,:點(diǎn)上移； ,； 點(diǎn)下移 ,:動(dòng)態(tài)范圍加大QVVQQURRQIRQIRRCCCCCEQCCBQBBQBB為了保證輸出幅度大且波形不失真，為了保證輸出幅度大且波形不失真，852/)R/R(I),UU(min)U(LCCQCESCEQMO)R/R(I),UU(min)U(LCCQCESCEQMOm不飽和最大輸出幅值不飽和最大輸出幅值:UCEQ

39、- UCES不截止最大輸出幅值不截止最大輸出幅值:ICQ RL UCEQ-UCES。 86(1)Q(1)Q1 1QQ2 2：R RC C減少；減少； IB = 1 0 A020 A30 A40 A42612uCE/VQ23124Q1iC / mA810Q3Q4V VCCCC/R/RC CV VCCCC Q3Q4：VCC增大；增大；Q2Q3：Rb減少或減少或VBB增大；增大；VBBVCCRCRbT+_ui+_uo例：例：1.電路中靜態(tài)工作點(diǎn)從電路中靜態(tài)工作點(diǎn)從Q1移到移到Q2、Q2移到移到Q3、Q3移到移到Q4的原因有哪些的原因有哪些?87 2. 當(dāng)電路的靜態(tài)工作點(diǎn)分別是當(dāng)電路的靜態(tài)工作點(diǎn)分別是

40、Q1Q4時(shí)，哪種時(shí)，哪種情況下最容易產(chǎn)生截止失真？那種情況下最容易產(chǎn)情況下最容易產(chǎn)生截止失真？那種情況下最容易產(chǎn)生飽和失真？那種情況下最大不失真輸出生飽和失真？那種情況下最大不失真輸出電壓電壓(Uom)M最大？最大？IB = 1 0 AuCE/V020 A30 A40 A42612Q23124Q1iC / mA810Q3Q4V VCCCC/R/RC CV VCCCCQ Q1 1 Q Q2 2最容易截止失真；最容易截止失真；Q Q4 4的最大不失真電壓最大。的最大不失真電壓最大。Q Q3最容易飽和失真；最容易飽和失真；88 適用于分析輸入信號(hào)幅值比較大而工作頻率適用于分析輸入信號(hào)幅值比較大而工作

41、頻率f不不太高時(shí)的情況。太高時(shí)的情況。 實(shí)際應(yīng)用中，多用于分析實(shí)際應(yīng)用中，多用于分析Q點(diǎn)位置、最大不失真點(diǎn)位置、最大不失真輸出電壓和波形失真。輸出電壓和波形失真。89 在一定條件下在一定條件下, ,將晶體管的特性線性化將晶體管的特性線性化, , 建立線性模建立線性模型型, ,在誤差允許范圍內(nèi)用線性電路分析晶體管電路在誤差允許范圍內(nèi)用線性電路分析晶體管電路。90CCQCEQBQCQBBEQBQRIVccUIIRUVccI直流等效電路直流等效電路91 放大電路的輸入信號(hào)很小時(shí)，可以在靜態(tài)工作點(diǎn)放大電路的輸入信號(hào)很小時(shí)，可以在靜態(tài)工作點(diǎn)附近的小范圍內(nèi)用直線段近似地代替晶體管特性曲附近的小范圍內(nèi)用直線

42、段近似地代替晶體管特性曲線，三極管就可以用線性雙口網(wǎng)絡(luò)來(lái)等效。線，三極管就可以用線性雙口網(wǎng)絡(luò)來(lái)等效。 低頻是指信號(hào)頻率遠(yuǎn)低于晶體管的低頻是指信號(hào)頻率遠(yuǎn)低于晶體管的“特征頻率特征頻率”。92VTUbeUceCEBCCEBBEuifiuifu,21 將晶體管看成一個(gè)雙口網(wǎng)絡(luò)將晶體管看成一個(gè)雙口網(wǎng)絡(luò), ,由輸入輸出特性存在由輸入輸出特性存在: :(式中各量均為總瞬時(shí)值式中各量均為總瞬時(shí)值)93CEICECBUBCCCEICEBEBUBBEBEduuidiiididuuudiiuduBCEBCE將各式以有效值代替，可得將各式以有效值代替，可得: : cebcebUhIhIUhIhUeeceebe222

43、11211取全微分得取全微分得:晶體管共射條件下晶體管共射條件下四個(gè)參數(shù)有不同的四個(gè)參數(shù)有不同的量綱故稱混合參數(shù)量綱故稱混合參數(shù)(H參數(shù)參數(shù))。1/h22eIcUceUbeh11e Ibh21eh12e UcebI94CECEUBBEUBBEeiuiuh11（）（）表示晶體管表示晶體管b和和e極之間的輸入電阻，常用極之間的輸入電阻，常用rbe表示。表示。BBICEBEICEBEeuuuuh12表示晶體管輸出電壓對(duì)輸入電壓的影響，也叫反向電表示晶體管輸出電壓對(duì)輸入電壓的影響，也叫反向電壓傳輸系數(shù)，一般很小。壓傳輸系數(shù)，一般很小。0（2）95CECEUBCUBCeiiiih21（）（）反映反映ib

44、對(duì)對(duì)ic的控制能力，常用的控制能力，常用 表示。表示。BBICECICECeuiuih22（4）表示輸出電導(dǎo)，單位是西門(mén)子。表示輸出電導(dǎo)，單位是西門(mén)子。09611e12212200rbeeeehhhh1/h22eIcUceUbeh11e Ibh21eh12e UcebI97. .UceUberbe Ib + +- -+ +- -bIcI98IEQ單位為單位為mA,rbe與點(diǎn)有關(guān)。與點(diǎn)有關(guān)。rbe為為發(fā)射結(jié)電阻發(fā)射結(jié)電阻EQEQTebImVIUr26根據(jù)晶體管的電流根據(jù)晶體管的電流方程存在方程存在:99EQI26mV)(1bbberrebbbbebebbbberrIrIrIU)1 (r rbbb

45、b一般取一般取300.300.與點(diǎn)有關(guān)與點(diǎn)有關(guān).也可以用也可以用阻抗折阻抗折算原理算原理求出求出rbe.100n）該模型只能用于求各交流量之間的關(guān)系，）該模型只能用于求各交流量之間的關(guān)系，不能用來(lái)求靜態(tài)量。不能用來(lái)求靜態(tài)量。n）參數(shù)都是在點(diǎn)處定義，與點(diǎn)有關(guān)，且）參數(shù)都是在點(diǎn)處定義，與點(diǎn)有關(guān)，且只能用于低頻小信號(hào)。只能用于低頻小信號(hào)。n）PNP型和型和NPN型晶體管的參數(shù)模型相同。型晶體管的參數(shù)模型相同。101、畫(huà)出微變等效電路圖、畫(huà)出微變等效電路圖電路圖電路圖微變等效電路微變等效電路102LCLbeLbebLciOuRRRrRrIRIUUA/其中。EQTbbbeIUrr)(1交流參數(shù)與直流交流

46、參數(shù)與直流參數(shù)有關(guān)，即交參數(shù)有關(guān)，即交流性能指標(biāo)受靜流性能指標(biāo)受靜態(tài)工作點(diǎn)影響態(tài)工作點(diǎn)影響。 分析放大電路的交流性能指標(biāo)時(shí)，應(yīng)先進(jìn)行靜分析放大電路的交流性能指標(biāo)時(shí)，應(yīng)先進(jìn)行靜態(tài)分析態(tài)分析, 。相位相反與ioUU103beBibeBiiiir/RI)r/R(IIUR。104coooRIUR 由求輸出電阻定由求輸出電阻定義義,信號(hào)源短路，保信號(hào)源短路，保留內(nèi)阻，去掉負(fù)載留內(nèi)阻，去掉負(fù)載電阻，在輸出端加電阻，在輸出端加電壓，產(chǎn)生電電壓，產(chǎn)生電流，有流，有:oUoI(令輸入信號(hào)短路后令輸入信號(hào)短路后,基極基極及集電極電流均等于及集電極電流均等于0。)105例例: : 在圖示電路中，在圖示電路中，R R

47、s s=500;=500;晶體管的晶體管的=38,=38,導(dǎo)導(dǎo)通時(shí)的通時(shí)的U UBEQBEQ=0.7V=0.7V。求電路的。求電路的 、R Ri i、 R Ro o和和 。uAusA)(403007 . 012ARUVIBBEQccBQEQBQCQImA.II5214038)K(.IU)(rrEQTbbbe9701解：先確定靜態(tài)工作點(diǎn)。解：先確定靜態(tài)工作點(diǎn)。106)K(.RIURbebeBiii970r/r4.78beLiOurRUUA。107kRRCO4輸出電阻不輸出電阻不含負(fù)載電阻含負(fù)載電阻7 .51uisiiosiSOusARRRUUUUUUA108 環(huán)境溫度變化、電源電壓波動(dòng)、元件老化

48、會(huì)引起環(huán)境溫度變化、電源電壓波動(dòng)、元件老化會(huì)引起晶體管參數(shù)的變化，造成電路靜態(tài)工作點(diǎn)不穩(wěn)定。其晶體管參數(shù)的變化，造成電路靜態(tài)工作點(diǎn)不穩(wěn)定。其中溫度影響最為突出。中溫度影響最為突出。 必需從電路設(shè)計(jì)上解決靜態(tài)工作點(diǎn)穩(wěn)定問(wèn)題。必需從電路設(shè)計(jì)上解決靜態(tài)工作點(diǎn)穩(wěn)定問(wèn)題。 Q點(diǎn)不穩(wěn)，會(huì)產(chǎn)生失真點(diǎn)不穩(wěn)，會(huì)產(chǎn)生失真,影響動(dòng)態(tài)參數(shù)影響動(dòng)態(tài)參數(shù)rbe，從而影，從而影響響Au、Ri 。嚴(yán)重時(shí)可能會(huì)造成電路無(wú)法正常工作。嚴(yán)重時(shí)可能會(huì)造成電路無(wú)法正常工作。 。109RB1、RB2為基極分壓電阻為基極分壓電阻+VCCRCC1C2VTRLRB2RE+RB1+ +- -+ +- -iUoUIBI2I1BRCIC UCERB

49、1VCCIERB2ReUBQ110IBI2I1BRCIC UCERB1VCCIERB2ReUBQI1=I2+IBQI1IBQI2=I1UB幾乎只與電阻和電源有關(guān)，與晶體管參數(shù)無(wú)關(guān)幾乎只與電阻和電源有關(guān)，與晶體管參數(shù)無(wú)關(guān)。ccBBBBVRRRU212111CQBBEQBEQIUUUIEERRI()CEQCCEQCeUVRR形成形成負(fù)反饋負(fù)反饋穩(wěn)定點(diǎn)的調(diào)整過(guò)程可表示為：穩(wěn)定點(diǎn)的調(diào)整過(guò)程可表示為：T()IC (IE ) UE (因?yàn)橐驗(yàn)閁BQ基本不變基本不變) UBE IC IB IBI2I1BRCIC UCERB1VCCIERB2REUBQ112 +VCCRCC1C2VTRLRB2RE+RB1+

50、+- -+ +- -iUoU113 rbe UoUi Ib b Ib bRCRL R2R1R Ie+ + +- - -Au= RC/ RLrbe+（1+ ）R畫(huà)出微變等效電路畫(huà)出微變等效電路利用阻抗折算原理利用阻抗折算原理需乘需乘(1+ )114RiRi = R1 / R2 / = R1 / R2 / rbe +（1+ ）R rbe UoUi Ib b Ib bRCRL R2R1R Ie+ + +- - -Ri115CORR rbe UoUi Ib b Ib bRCRLR2R1R Ie+ + +- - -RO116 分壓式偏置電路引入的射極電阻分壓式偏置電路引入的射極電阻RE穩(wěn)定了靜態(tài)工穩(wěn)定了

51、靜態(tài)工作點(diǎn)，提高了輸入電阻作點(diǎn)，提高了輸入電阻,但降低了電壓增益但降低了電壓增益。 在在RE上并聯(lián)旁路電上并聯(lián)旁路電容容CE可以在不影響動(dòng)可以在不影響動(dòng)態(tài)性能的前提下，穩(wěn)態(tài)性能的前提下，穩(wěn)定靜態(tài)工作點(diǎn)定靜態(tài)工作點(diǎn)。+VCCRCC1C2VTRLRB2RE+RB1+ +- -+ +- -iUoUCE117UoRCRLUiRB2RB1rbe IbIb )/(ULCLebLiouRRRrRUAbeBBiiiRRIUR/r/21CORR 118+VCCC1C2VTRLRE+RB+ +- -+ +- -iUoURssU負(fù)載接在發(fā)射極負(fù)載接在發(fā)射極,集電極直接集電極直接(或通過(guò)小電阻或通過(guò)小電阻)接電源接電

52、源。119直流通路直流通路RBRET+VCCI IBQBQI IEQEQEEBEBBCCRIURIVEECCCEQRIVUBEII)1 (EBBECCBRRUVI)1 (+VCCC1C2VTRLRE+RB+ +- -+ +- -iUoURssU120畫(huà)交流等效電路畫(huà)交流等效電路(1+ )RLAu= rbe + (1+ )RLLELRRR/其中其中Au 0（Uo、Ui同相），同相）， Au 1,Uo Ui，又稱，又稱。+VCCC1C2VTRLRE+RB+ +- -+ +- -iUoURssURiRBrbe Ib b Ib bUo bceRE+ +_ _I Ie e. . . . . .RLUs.

53、 .RiRs121)1 (/LbeBBiiRrRRRRRiRBrbe Ib b Ib bUo bceRE+ +_ _I Ie e. . . . . .RLUs. .RiLbebiiRrIUR)1 (LELRRR/利用阻抗折算原利用阻抗折算原理理,輸出回路電阻輸出回路電阻折合到輸入回路折合到輸入回路需乘需乘(1+ )Rs122Uo. .Rsrbe . .IRE. .RBIb b Ib b bceREI Ie e. . . .I Io o. .Rs（輸入信號(hào)短路，去掉負(fù)（輸入信號(hào)短路，去掉負(fù)載，在輸出端加電壓）載，在輸出端加電壓）1/sbeEoooRrRIUR)1 (sbeoEoRrURU)1 (

54、bREoIII利用阻抗折算原利用阻抗折算原理理,輸入回路電阻輸入回路電阻折合到輸出回路折合到輸出回路需除需除(1+ )sBsR/RR sbeobRrUI123小。大；同相；1oiiouRRUU,A與+VCCC1C2VTRLRE+RB+ +- -+ +- -iUoURssU124+Vcc+ +- -+ +- -R Rs sR RE ER RB2B2R RL LR RB1B1R Rc cC C1 1C Cb bC C2 2Us. . .UoBRCICRB1IBVCCIERB2Re直流通路直流通路125BRCICRB1IBVCCIERB2ReCCBBBBVRRRU212EBEQBEQCQRUUII1

55、EQBQII()CEQCCCQceUVIRR126+ +- -+ +- -R Rs sR RE ER RL LR Rc cUs. . .Uo交流通路交流通路+Vcc+ +- -+ +- -R Rs sR RE ER RB1B1R RL LR RB2B2R Rc cC C1 1C CB BC C2 2Us. . .Uo由交流通路清楚看由交流通路清楚看出基極是輸入輸出出基極是輸入輸出回路公共端回路公共端。127ebLbebLciourRrIRIUAULcLRRR/其中其中UiRERLrbe Ib+ +- -+ +- -e eb bc c. . . .R Ro oUs+ +- -R Rs s. .I

56、b . . . .UoR Ri iR Ri iRC微變等效電路微變等效電路+ +- -+ +- -R Rs sR RE ER RL LR Rc cUs. . .Uo交流通路交流通路Uo與與Ui相位相同相位相同128CORR1)1 (bebbebeiirIrIIUR1/beEiEirRRRRUiRERLrbe Ib+ +- -+ +- -e eb bc c. . . .R Ro oUs+ +- -R Rs s. .Ib . . . .UoR Ri iR Ri iRC輸入電阻很小。輸入電阻很小。129 判斷三種接法要搞清根本判斷三種接法要搞清根本,電路組成上的區(qū)別主電路組成上的區(qū)別主要在于輸入和輸

57、出信號(hào)接在晶體管的哪個(gè)極。要在于輸入和輸出信號(hào)接在晶體管的哪個(gè)極。信號(hào)從信號(hào)從，電路具有電流、，電路具有電流、電壓和功率的放大作用。但輸出電阻較大，帶負(fù)載電壓和功率的放大作用。但輸出電阻較大，帶負(fù)載能力較弱，不適合功率放大電路。能力較弱，不適合功率放大電路。130信號(hào)從信號(hào)從，實(shí)現(xiàn)，實(shí)現(xiàn)“”無(wú)電壓放大作用，只有電流放大作用，所以仍無(wú)電壓放大作用，只有電流放大作用，所以仍 具功率具功率放大作用。因輸出電阻小，帶負(fù)載能力強(qiáng)，適合作功放大作用。因輸出電阻小，帶負(fù)載能力強(qiáng)，適合作功率放大。率放大。信號(hào)從信號(hào)從，實(shí)現(xiàn)，實(shí)現(xiàn)“”無(wú)電流放大作用，只有電壓放大作用。因輸出電阻無(wú)電流放大作用，只有電壓放大作用。

58、因輸出電阻較大，不適合作功率放大。較大，不適合作功率放大。131出與入電壓相位出與入電壓相位共射共射 共集共集 共基共基電壓增益電壓增益電流增益電流增益輸入電阻輸入電阻輸出電阻輸出電阻大大大大 大大大大適中適中較大較大最大最大最小最小小小較大較大用用 途途低頻電壓低頻電壓放大電路放大電路輸入級(jí)輸入級(jí)輸出級(jí)輸出級(jí)寬頻帶寬頻帶放大電路放大電路信號(hào)輸入端信號(hào)輸入端信號(hào)輸出端信號(hào)輸出端b bb be ee ec cc c 相反相反相同相同相同相同132 為進(jìn)一步改善放大電路的性能，可用多只晶體為進(jìn)一步改善放大電路的性能，可用多只晶體管構(gòu)成復(fù)合管，取代放大電路中的一只晶體管。管構(gòu)成復(fù)合管，取代放大電路中

59、的一只晶體管。133復(fù)合管復(fù)合管 可以證明復(fù)合管的等效電流放大系數(shù)為：可以證明復(fù)合管的等效電流放大系數(shù)為： =icib 1 2134icibieib=ib1VT1VT2ic1ie=ie2ic2ie1=ib2ic 等效電流放大系數(shù)等效電流放大系數(shù)212121211211)1 (bebebebeberrrrr等效輸入電阻等效輸入電阻135icibieVT1VT2ibieic136VT1VT2icibieicibieVT2VT1icieib137）每個(gè)管子的各極電流均有合適的通路，）每個(gè)管子的各極電流均有合適的通路，前一只前一只管的集電極或發(fā)射極與后一只管的基極相連。管的集電極或發(fā)射極與后一只管的基

60、極相連。）外加電壓保證晶體管工作在放大區(qū)。）外加電壓保證晶體管工作在放大區(qū)。138 1. 放大電路的組成原則、直流通路與交流通路、直流放大電路的組成原則、直流通路與交流通路、直流負(fù)載線負(fù)載線 與交流負(fù)載線、與交流負(fù)載線、 飽和失真與截止失真、產(chǎn)生飽和飽和失真與截止失真、產(chǎn)生飽和失真與截失真與截 止失真的原因。止失真的原因。 2. 共射基本放大電路及分壓式靜態(tài)工作點(diǎn)穩(wěn)定電路靜共射基本放大電路及分壓式靜態(tài)工作點(diǎn)穩(wěn)定電路靜態(tài)參數(shù)（態(tài)參數(shù)（IBQ、 ICQ 、U CEQ）的分析計(jì)算、動(dòng)態(tài)參數(shù)（）的分析計(jì)算、動(dòng)態(tài)參數(shù)（Au、 Ri 、RO ）的分析與計(jì)算。）的分析與計(jì)算。 3. 求共射基本放大電路最大不失真輸出電壓求共射基本放大電路最大不失真輸出電壓(Uom) M。 4. 射極跟隨器的靜態(tài)與動(dòng)態(tài)分析計(jì)算。射極跟隨器的靜態(tài)與動(dòng)態(tài)分析計(jì)算。