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2022年高中化學(xué)集體備課 《第三章 晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)》第四節(jié) 離子晶體教案 蘇教版選修3

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1、2022年高中化學(xué)集體備課 《第三章 晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)》第四節(jié) 離子晶體教案 蘇教版選修3 課題:第四節(jié) 離子晶體(1) 授課班級 課 時 教 學(xué) 目 的 知識 與 技能 1、理解離子晶體的結(jié)構(gòu)模型及其性質(zhì)的一般特點。 2、了解離子晶體中離子晶體配位數(shù)及其影響因素。 3、了解決定離子晶體結(jié)構(gòu)的重要因素。 過程 與 方法 通過學(xué)習(xí)離子晶體的結(jié)構(gòu)與性質(zhì),培養(yǎng)運用知識解決實際問題的能力,培養(yǎng)學(xué)生的空間想像能力 情感 態(tài)度 價值觀 通過學(xué)習(xí)離子晶體的結(jié)構(gòu)與性質(zhì),激發(fā)學(xué)生探究熱情與精神。進一步認(rèn)識“結(jié)構(gòu)決定物質(zhì)性質(zhì)”的客觀規(guī)律 重 點

2、 離子晶體的結(jié)構(gòu)模型及其性質(zhì)的一般特點;離子晶體配位數(shù)及其影響因素; 難 點 離子晶體配位數(shù)及其影響因素; 知 識 結(jié) 構(gòu) 與 板 書 設(shè) 計 第四節(jié) 離子晶體 一、離子晶體 1、定義:由陽離子和陰離子通過離子鍵結(jié)合而成的晶體。 2、構(gòu)成微粒:陰陽離子 3、微粒間的作用:陰陽離子間以離子鍵結(jié)合,離子內(nèi)可能有共價鍵 4、配位數(shù):與中心離子(或原子)直接成鍵的離子(或原子)稱為配位離子(原子)。 5、結(jié)構(gòu)模型: (1) 氯化鈉晶體 (2)氯化銫晶體 6、影響因素: (1) 幾何因素:晶體中正負(fù)離子的半徑比(r+/r-)。 (2) 電荷因素:正負(fù)

3、離子的電荷比。 (3) 鍵性因素:離子鍵的純粹程度。 7、離子晶體特點: (1) 較高的熔點和沸點,難揮發(fā)、難于壓縮。 (2) 硬而脆 (3) 不導(dǎo)電,但熔化后或溶于水后能導(dǎo)電。 (4) 大多數(shù)離子晶體易溶于極性溶劑中,難溶于非極性溶劑中。 教學(xué)過程 教學(xué)步驟、內(nèi)容 教學(xué)方法、手段、師生活動 [復(fù)習(xí)]分子晶體、原子晶體、金屬晶體的有關(guān)理論。 [過渡]在晶體中,若微粒為離子,通過離子鍵形成的晶體為離子晶體,今天我們來研究離子晶體。 [板書]第四節(jié) 離子晶體 一、離子晶體 1、定義:由陽離子和陰離子通過離子鍵結(jié)合而成的晶體。 [講]在離子晶體中,陰陽離子間只存在離子

4、鍵。不存在分子,而化學(xué)式表示為晶體中陰陽離子個數(shù)的最簡化。陰陽離子采用不等徑密堆積。 [板書]2、構(gòu)成微粒:陰陽離子 3、微粒間的作用:陰陽離子間以離子鍵結(jié)合,離子內(nèi)可能有共價鍵 [講]離子晶體不一定含有金屬陽離子,如NH4Cl為離子晶體,不含有金屬陽離子,但一定含有陰離子。 [講]離子晶體種類繁多,結(jié)構(gòu)多樣,圖3—27給出了兩種典型的離子晶體的晶胞。我們來研究晶體中的配位數(shù)(在離子晶體中離子的配位數(shù)(縮寫為C N)是指一個離子周圍最鄰近的異電性離子的數(shù)目)。 [投影]NaCl和CsCl的晶胞: [科學(xué)探究] 1、CsCl、NaCl的陽離子和陰離子的比例都是l:l,同屬AE型

5、離子晶體。參考圖3—27、圖3-28,數(shù)一數(shù)這兩種離子晶體中陽離子和陰離子的配位數(shù),它們是否相等?并填表。 離子晶體 陰離子的配位數(shù) 陽離子的配位數(shù) NaCl 6 6 CsCl 8 8 2、你認(rèn)為什么因素決定了離子晶體中離子的配位數(shù)?利用相關(guān)數(shù)據(jù)計算,并填表: ZnS NaCl CsCl r+/r-=0.2-0.4 r+/r-=0.52 r+/r-=0.93 C.N=4 C.N=6 C.N=8 [投影]探究練習(xí)參考資料: 離子 Na+ Cs+ Cl- 離子半徑/pm 95 169

6、 18l [講] 顯而易見,NaCl和CsCl是兩種不同類型的晶體結(jié)構(gòu)。晶體中正負(fù)離子的半徑比(r+/r-)是決定離子晶體結(jié)構(gòu)的重要因素,簡稱幾何因素。 [板書]4、配位數(shù):與中心離子(或原子)直接成鍵的離子(或原子)稱為配位離子(原子)。 [講]配位離子的數(shù)目稱為配位數(shù)。 [板書]5、結(jié)構(gòu)模型: (1) 氯化鈉晶體 [投影] [講]由下圖氯化鈉晶體結(jié)構(gòu)模型可得:每個Na+緊鄰6個Cl-,每個Cl-緊鄰6個Na+(上、下、左、右、前、后),這6個離子構(gòu)成一個正八面體。設(shè)緊鄰的Na+與Cl-間的距離為a,每個Na+與12個Na+等距離緊鄰(同層4個、上層4個、下層4

7、個)。由均攤法可得:該晶胞中所擁有的Na+數(shù)為4個 , Cl-數(shù)為4個,晶體中Na+數(shù)與Cl-數(shù)之比為1:1,則此晶胞中含有4個NaCl結(jié)構(gòu)單元。 [板書](2)氯化銫晶體 [講]每個Cs+緊鄰8個Cl-,每個Cl-緊鄰8個Cs+,這8個離子構(gòu)成一個正立方體。設(shè)緊鄰的Cs+與Cs+間的距離為a,則每個Cs+與6個Cs+等距離緊鄰(上、下、左、右、前、后)。晶體中的Cs+與Cl-數(shù)之比為1:1。 [投影] [講] 上面兩例中每種晶體的正負(fù)離子的配位數(shù)相同,是由于正負(fù)離子電荷(絕對值)相同,于是正負(fù)離子的個數(shù)相同,結(jié)果導(dǎo)致正負(fù)離子配位數(shù)相等,如在NaCl中,Na+擴和C1-的配位數(shù)均

8、為6。如果正負(fù)離子的電荷不同,正負(fù)離子的個數(shù)必定不相同,結(jié)果,正負(fù)離子的配位數(shù)就不會相同。這種正負(fù)離子的電荷比也是決定離子晶體結(jié)構(gòu)的重要因素,簡稱電荷因素。例如,在CaF2晶體中,Ca2+和F-的電荷比(絕對值)是2:l,Ca2+和F-的個數(shù)比是l:2,如圖3—29所示。Ca2+的配位數(shù)為8,F(xiàn)-的配位數(shù)為4。此外,離子晶體的結(jié)構(gòu)類型還取決于離子鍵的純粹程度(簡稱鍵性因素)。 [投影] [板書]6、影響因素: (1) 幾何因素:晶體中正負(fù)離子的半徑比(r+/r-)。 [講]離子鍵無飽和性和方向性,但成鍵時因離子半徑?jīng)Q定了陰陽離子參加成鍵的數(shù)目是有限的。陰陽離子半徑比值越大,配位數(shù)就

9、越大。 [板書](2) 電荷因素:正負(fù)離子的電荷比。 (3) 鍵性因素:離子鍵的純粹程度。 [講] 在離子晶體中,離子間存在著較強的離子鍵,要克服離子間的相互作用使物質(zhì)熔化和沸騰,就需要較多的能量。因此,離子晶體具有較高的熔點、沸點和難揮發(fā)的性質(zhì)。 [板書]7、離子晶體特點: (1) 較高的熔點和沸點,難揮發(fā)、難于壓縮。 [講]離子晶體的熔沸點,取決于構(gòu)成晶體的陰陽離子間的離子鍵的強弱,而離子鍵的強弱,又可用離子半徑衡量,通常情況下,同種類型的離子晶體,離子半徑越小,離子鍵越強,熔沸點越高。 [講]離子晶體中,由于離子鍵的強烈作用,離子晶體表現(xiàn)出較高的硬度,當(dāng)晶體受到?jīng)_擊力作用時

10、,部分離子鍵發(fā)生斷裂,導(dǎo)致晶體破碎。 [板書] (2) 硬而脆,無延展性 [講]離子晶體中陰陽離子交替出現(xiàn),層與層之間如果滑動,同性離子相鄰而使斥力增大導(dǎo)致不穩(wěn)定,所以離子晶體無延展性。 [講]由于離子晶體中離子鍵作用較強,離子晶體不能自由移動,即晶體中無自由移動離子,因此,離子晶體不導(dǎo)電。當(dāng)升高溫度時,陰陽離子獲得足夠能量克服了離子間相互作用,成為自由移動的離子,在外界電場作用下,離子定向移動而導(dǎo)電。離子化合物溶于水時,陰陽離子受到水分子作用變成了自由移動的離子(或水合離子),在外界電場作用下,陰陽離子定向移動而導(dǎo)電。 [板書] (3) 不導(dǎo)電,但熔化后或溶于水后能導(dǎo)電。 [講]當(dāng)

11、把離子晶體放在水中時,極性水分子對離子晶體中的離子產(chǎn)生吸引,使晶體中的離子克服離子間的作用而離開晶體,變成在水中自由移動的離子。 [板書](4) 大多數(shù)離子晶體易溶于極性溶劑中,難溶于非極性溶劑中。 [小結(jié)]化學(xué)變化過程一定發(fā)生舊化學(xué)鍵的斷裂和新化學(xué)鍵的形成,但破壞化學(xué)鍵或形成化學(xué)鍵的過程卻不一定發(fā)生化學(xué)變化。 [自學(xué)]科學(xué)視野—復(fù)雜離子的晶體 碳酸鹽在一定溫度下會發(fā)生分解,如大家熟悉的碳酸鈣煅燒得到石灰(CaO),這是由于碳酸鈣受熱,晶體中的碳酸根離子會發(fā)生分解,放出二氧化碳。實驗證明,碳酸鹽的陽離子不同,熱分解的溫度不同。 碳酸鹽 MgCO3 CaCO3

12、 SrCO3 BaCO3 熱分解溫度/℃ 402 900 1 172 1 360 陽離子半徑/pm 66 99 112 135 教學(xué)回顧: 教 案 課題:第四節(jié) 離子晶體(2) 授課班級 課 時 教 學(xué) 目 的 知識 與 技能 理解離子晶體的晶格能與性質(zhì)的關(guān)系。 過程 與 方法 情感 態(tài)度 價值觀 重 點 離子晶體的晶格能與性質(zhì)的關(guān)系。 難 點 離子晶體的晶格能與性質(zhì)的關(guān)系。 知

13、 識 結(jié) 構(gòu) 與 板 書 設(shè) 計 二、晶格能 1、定義:晶格能是指1mol的離子化合物中的陰陽離子,由相互遠(yuǎn)離的氣態(tài),結(jié)合成離子晶體時所釋放出的能量或拆開1mol離子晶體使之形成氣態(tài)陰離子和陽離子所吸收的能量。單位是kJ/mol 2、影響因素:離子的電荷和陰陽離子的大小。 3、規(guī)律:晶格能越大,形成的離子晶體越穩(wěn)定,而且熔點越高,硬度越大。 教學(xué)過程 教學(xué)步驟、內(nèi)容 教學(xué)方法、手段、師生活動 [講] 最能反映離子晶體穩(wěn)定性的數(shù)據(jù)是它們的晶格能。離子晶體的品格能的定義是氣態(tài)離子形成l摩離子晶體釋放的能量,通常取正值,表3—8給出了某些離子晶體的晶格能數(shù)據(jù)。

14、 [板書]二、晶格能 1、定義:晶格能是指1mol的離子化合物中的陰陽離子,由相互遠(yuǎn)離的氣態(tài),結(jié)合成離子晶體時所釋放出的能量或拆開1mol離子晶體使之形成氣態(tài)陰離子和陽離子所吸收的能量。單位是kJ/mol [投影] F— C1一 Br— I— Li+ Na+ K+ Cs+ Rb+ 1036 923 821 785 740 853 786 715 689 659 807 747 682 660

15、 63l 757 704 649 630 604 [板書] 2、影響因素:離子的電荷和陰陽離子的大小。 [講]晶格能與離子電荷的乘積成正比,與陰陽離子的大小成反比。 [觀察] 分析晶格能大小與晶體穩(wěn)定性關(guān)系。 [講]晶格能的數(shù)據(jù)可以用來說明許多典型的離子晶體的物理化學(xué)性質(zhì)的變化規(guī)律。 [板書]3、規(guī)律:晶格能越大,形成的離子晶體越穩(wěn)定,而且熔點越高,硬度越大。 [自學(xué)]科學(xué)視野—巖漿晶出規(guī)則與晶格能 [問題]1、什么是巖漿晶出? 2、巖漿晶出順序與晶格能的關(guān)系? [投影] 巖漿: [小結(jié)]晶格能越大,越早析出晶體。越早達到飽和,越易析出。 教學(xué)回顧:

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