互連網(wǎng)絡(luò)電力系統(tǒng)（IMPS）MCM拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的電氣特性外文文獻(xiàn)翻譯@中英文翻譯@外文翻譯,互連,網(wǎng)絡(luò),電力系統(tǒng),imps,mcm,拓?fù)?結(jié)構(gòu),電氣,特性,外文,文獻(xiàn),翻譯,中英文 N , 18, I, 995 of . W. S. . . CM be by of or X Y to or as a of to on of of a of is in an on of de ac on a of CM I. CM in to of to is to of be by CM’s or or X Y a is a of s, no if it is a or a 1994; 3, 1994. is by 3at 4, 1994. 2701 407917. x Y Y 9 (b) 1. of 300 of is to of to of 11. is a as as in It of to a of is 1. a in CM’s or of as a as a l(a), on at a to ( 10705$995 00 N 2. “, 18, 1, ,is l(a) to of or of on l(b)). a of In of is no if be be at an of be as 2. in of a “( up to of at or An be of a or nP as a of .. . 5P .. 3P ... ... 2P or at A is to a “( in 0 pm a 00 pm 0 pm be (or 20 pm 3.) in be 20 pm 3. 995 4. (a) (b) at 0 pm 160 pm 4(a)). In be or 4(b)) a 0 or to at to of on be 0 pm et F 01 5. on 5 pm 25 pm 0 pm on CM to by an ac of is in a to is if is by is to A up of on of a of be in 5(a)). be to a 5(b)). be to a on of a 5(c)). of be is or CM a to of A. CM is by an a to or of In as to di/dt on , a of In a 00 pm 20 pm is 2% of a to 0% be of to dc ac in 02 N , 18, 1, 995 111 6. is in of in a To On ET's to di/dt As 6, as as of of as as B. is 7. ac on on ac in to of in by 160 CM DR by on C. he 8 in a pm 7. on i or pm 721 pm i by a of 0 pm 5 pm to a a of 3 x 26 mm or it ET in a 256 of dc ac of D. in 50 pm at to a 50 R 0603 1.6 x 0.8 to to (on 4.6 mm 6.6 mm as a a is a of 0 pm on or 18.2 mm SG to if of on on of et F 108. to a SG is a at of on at of to be a in CM's, to or no To if a a .4 6.3 11.5 6.3 .4 SP in an .0 a 10 Z& 1 4 90 4 90 4 75 4 75 4 75 4 75 a 1 2 by 1, of of 2 a 6 pm of 0 of 2 is to 1 to of No 03 by to or of no 2 pm .4 pm of 1 2. t,ps/1 2 72 2 72 2 70 2 66 2 66 2 66 2 68 pm of an As we as is to to 1 2 of in Of a of on an of 2 8.5 mm of on 10 by 0 pS DR on of 04 N , 18, 1, 995 m c 12 - 1 ........................... 0 0 100 200 300 400 500 (P 4291A be a at E. P 8510 P 4291A A 5 be 510. 9 of of VX 00 of in 3.2 1.6 00 00 is to 291A, 00 as 10. of .1 pF is 0 VX in in to in in 00 00 is be by or by of to is as of 0 A of pro 1 互連網(wǎng)絡(luò)電力系統(tǒng)（ 撲結(jié)構(gòu)的電氣特性 L. W. S. . . 、 撲結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn) 撲結(jié)構(gòu)用傳統(tǒng)的 藝很容易實(shí)現(xiàn)，細(xì)線條光刻和批處理文件通過(guò)制造是固有的正常生產(chǎn)。 現(xiàn)相當(dāng)實(shí)用，如果通孔制造是通過(guò)其他常規(guī)的機(jī)械鉆孔，并且通孔尺寸足夠小，不足以影響行間距。 一個(gè)兩層的過(guò)程，盡管開(kāi)辟了可能性，制造導(dǎo)體的任一側(cè)上的一塊聚合物影像，可以處理卷到卷格式 （圖 5（ a）），得到的結(jié)果基片可以進(jìn)行填充和測(cè)試 ，然后申請(qǐng)封裝以形成剛性結(jié)構(gòu)（圖 5（ b）），廉價(jià)的絲網(wǎng)印刷的材料和方法可用于該模塊的底部上可以形成一個(gè)球柵陣列（ 提供了一個(gè)方便的系統(tǒng)接口（圖 5（ c））。這種模塊可以非常便宜，但仍然產(chǎn)生高性能。 圖 5像載體 四、 析和實(shí)驗(yàn) 由于 撲是從根本上不同于傳統(tǒng)的微帶線或有固體電源和地平面 2 帶狀線的 輸線環(huán)境，進(jìn)行了一項(xiàng)確定電源和信號(hào)環(huán)境的特點(diǎn)的詳細(xì)研究。 正常 率分布是由固體金屬的電源和地平面，有時(shí)具有介于其間的創(chuàng)建的平行板的去耦電容，提供所有或部分的瞬時(shí)電流需 求的薄介電。在大多數(shù)情況下，然而，表面安裝的陶瓷電容需要為充電水庫(kù)，以保持這些瞬態(tài)的 di/聲低于可接受的利潤(rùn)率。傳統(tǒng)的貼片電容具有相對(duì)較高的寄生電感和低共振頻率，但是。特別低電感電容 初設(shè)計(jì)用于 傳導(dǎo)模塊，提供了更好的去耦。平行板 P/G 本身形成了一個(gè)低電感分布結(jié)構(gòu)。引線鍵合從這些芯片的，盡管許多并聯(lián)，有助于更多的電感和批判影響片上的噪音。 圖 6 測(cè)試車(chē)輛功率瞬態(tài)測(cè)量設(shè)置 撲結(jié)構(gòu)取代了堅(jiān)實(shí)的平面網(wǎng)狀導(dǎo)線。在雙網(wǎng)平面寬 100 點(diǎn)，導(dǎo)線 320 點(diǎn)的間距，降低至 62％，純金屬覆蓋了堅(jiān)實(shí) 的平面。即使有大量的電源和接地的導(dǎo)體切割，以適應(yīng)信號(hào)線，金屬覆蓋為 40％，可以實(shí)現(xiàn)的。增加 3 電阻和電感因此，預(yù)測(cè)寄生效應(yīng)。然而，由于貢獻(xiàn)這些寄生到 在堅(jiān)實(shí)的平面上的情況下，往往是微不足道的，這種性能下降在幾乎所有的情況下都是可控的。附件的正常及低以傳統(tǒng)的方式的電感的去耦電容在很寬的的頻率范圍內(nèi)提供了必要的去耦電容。 要檢查有效性 電，兩個(gè)測(cè)試車(chē)輛設(shè)計(jì)和建造一個(gè)與固體 在每四個(gè) n 溝道功率 安排連接模塊上的阻性負(fù)載電源和地之間，從而誘導(dǎo)到大的 di/電結(jié)構(gòu)。如該圖所示。有幾個(gè) 網(wǎng)站所提供的正常的陶瓷，以及低電感片狀電容器。為清楚起見(jiàn)，該測(cè)試車(chē)的其他功能，用于信號(hào)傳輸?shù)臏y(cè)量，還沒(méi)有被證明，對(duì)電容器和負(fù)載的各種組合，以及電流上升時(shí)間，進(jìn)行了測(cè)試。測(cè)量結(jié)果將在后面介紹。 圖 7 中所示的的 號(hào)傳輸環(huán)境。每根信號(hào)線之間交流接地導(dǎo)體相同的金屬平面上，通過(guò)正交功率，接地和信號(hào)導(dǎo)體上的其它金屬平面。由于交流接地導(dǎo)體，在所述第二平面還到信號(hào)線正交，返回電流流僅在共面導(dǎo)體 ;正交導(dǎo)體適度降低線路阻抗，通過(guò)電容加載。這初步證明了建設(shè)大型物理模型（ 寸大小的 160 倍）做 量 ，并已被證實(shí) 試車(chē)輛上的測(cè)量如下所述。 圖 7號(hào)的傳輸環(huán)境 示于圖的則該測(cè)試車(chē)輛，在一個(gè)發(fā)達(dá)的 設(shè)計(jì)及金屬制品業(yè)的，具有四種掩模過(guò)程中使用鋁中導(dǎo)體和光可聚酰亞胺介電 5 硅襯底。 硅片上用 積，或杜邦 2721 聚酰亞胺層制造工藝。并通過(guò)光刻法和 4 濕法刻蝕定義。接著，將聚酰亞胺的層上旋轉(zhuǎn)，曝光，和發(fā)展。金屬重復(fù)沉積和圖案化，以形成第二金屬層和一個(gè)最終的聚酰亞胺的步驟形成了保護(hù)大衣，對(duì)幾個(gè)中間層和基礎(chǔ)層厚度介質(zhì)進(jìn)行了比較。 33 x 26 毫米基板填充去耦電 容和端接電阻器和使用的，無(wú)包裝的，傳輸線和配電阻抗測(cè)量接收功率 片，去耦電容器，和負(fù)載電阻器，并且被安裝在一個(gè) 256 引領(lǐng) 和 量 配電噪聲。用于固體平面版本同樣配置的功率分布測(cè)量。兩個(gè)基板的制作中，使用相同的四個(gè)掩模，與板占據(jù)六個(gè)八個(gè)可能的， 5 晶圓網(wǎng)站，和固體的平面基片的其余兩個(gè)網(wǎng)絡(luò)。 有幾種不同的信號(hào)傳輸測(cè)試結(jié)構(gòu)被列入在 驗(yàn)車(chē)輛。所有有微波探頭墊 150 點(diǎn)間距在任一端，并提供終止該行使用 50 R 0603 尺寸（ 導(dǎo)電基 體結(jié)合的片式電阻器環(huán)氧樹(shù)脂。對(duì)于所有的傳輸線測(cè)量，去 圖 8 試車(chē)輛 耦電容，足以容納配電阻抗下面 從 1 1 安裝。（請(qǐng)參閱以 5 下部分配電阻抗）第二水平金屬線無(wú)論是 米或 米長(zhǎng)配置為信號(hào)電源和地線之間（ 信號(hào)分割內(nèi)電力導(dǎo)體（ 信號(hào)內(nèi)部分裂的接地導(dǎo)體（ 這里還設(shè)有一個(gè)串?dāng)_測(cè)量線設(shè)置，下午 80 點(diǎn)間距，從動(dòng)線躺在電源和地之間，與受害人線內(nèi)相鄰的分割接地導(dǎo)體。第一級(jí)線（躺在聚酰亞胺介電） 米長(zhǎng)，配置 進(jìn)行了測(cè)量，看是否線阻抗不同于第二金屬。 撲的一個(gè)方面，提出了特別的關(guān)注。這是對(duì)阻抗的影響，特別是在傳播速度，改變從，例如，一個(gè) X 去 的 的。有一個(gè)不連續(xù)返回電流路徑變化的點(diǎn)，其中有一些效果根據(jù) P 和 G 頻率脫鉤的興趣。這還沒(méi)有出現(xiàn)的一個(gè)問(wèn)題在許多 信號(hào)層，其中經(jīng)常引用電源或接地平面沒(méi)有效果。如果要判斷 存在問(wèn)題，五段創(chuàng)建路徑， 米 米 米， 米 米的 分串聯(lián)。 層間和大衣聚酰亞胺基板厚度為 ， 下午 2 點(diǎn)和初始 質(zhì)厚度，建立和計(jì)量。實(shí)驗(yàn)采用泰克 10 互連參數(shù)分析儀。該結(jié)果如下表所示。 4 90 4 90 4 75 4 75 4 75 錯(cuò)誤 !未 找 到 引 用源。 54 75 這些測(cè)量結(jié)果表明之間的重大差異 傳輸線，所造成的薄介 6 電 下，將得到的字段存在于部分導(dǎo)電的硅襯底。的阻抗 是高于預(yù)期，因?yàn)槊婢咤e(cuò)誤導(dǎo)致線的寬度，而不是所期望的。 傳播延遲確定的值 肯定是類(lèi)似于其他 板 ;貨幣供應(yīng)量 數(shù)字均高于由于在基板的接近。沒(méi)有問(wèn)題，所造成的被引用到電源或接地的信號(hào)延遲，五段線是從其他 沒(méi)有什么不同。 掩模組進(jìn)行了修改和重復(fù)實(shí)驗(yàn)以 8 分厚的聚酰亞胺的初始介電層，并 間 的聚酰亞胺。下面結(jié)果，得到： 2 70 2 70 2 70 2 66 2 66 2 66 錯(cuò)誤 !未 找 到 引 用源。 52 68 即使 有一個(gè) 8 點(diǎn)層的聚酰亞胺中，所述半導(dǎo)體硅仍然具有效果。由于我們目前使用的測(cè)試作為基板的晶片，晶片的電阻率是未知的。進(jìn)一步制作將使用測(cè)得的電阻率硅片確定的電阻率要消除的區(qū)別 傳輸線。詳細(xì)的模擬線上述半導(dǎo)體基板也正在進(jìn)行中。當(dāng)然，不同的實(shí)現(xiàn)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中，對(duì)一個(gè)不會(huì)有低介電常數(shù)的絕緣基板的這個(gè)問(wèn)題。 串?dāng)_測(cè)量 米耦合長(zhǎng)度。受害者線兩端終止。測(cè)量是在 “近期 7 行動(dòng)計(jì)劃 ”310 注入 20上升時(shí)間 沖，從動(dòng)線和測(cè)量的受害者線。串?dāng)_峰值小于這一套耦合線長(zhǎng) 這一結(jié)果表明，串?dāng)_以合理的時(shí)鐘 不應(yīng)該是一個(gè)問(wèn)題頻率和線的長(zhǎng)度。 同時(shí)使用功率分布測(cè)量阻抗 510 網(wǎng)絡(luò)分析儀和 291A 阻抗米?？梢詼y(cè)量 45 1 一系列 8510 。圖 9 示出了測(cè)量的阻抗為幾種 圖 9 使用 510 網(wǎng)絡(luò)分析儀測(cè)出的配電阻抗頻率特性 8 圖 10 使用 抗測(cè)量?jī)x測(cè)出的功率分布阻抗頻率特性 底物的各種組合去耦電容。即使是低電感 效果電容只出現(xiàn)高于這個(gè)頻率低于 300 固有電容，無(wú)論是固體（ 版本中，占主導(dǎo)地位的測(cè)量 阻抗。阻抗的上升，從 600 到 900 于電感的影響。 4291A，測(cè)量從 1 至 500 圖所示。共振 0.1 片電容是清楚地看到大約 20些測(cè)量是在不 容放置，以便確認(rèn)的 測(cè)阻抗的上升，與正常上限之間 200 和 300 兆赫。 結(jié)果表明，有什么區(qū)別 電結(jié)構(gòu)和一個(gè)使用固體。任何平面效果的附件或?qū)⒈黄帘我€鍵合阻抗的數(shù)量和類(lèi)型使用的電容器。該程序用來(lái)連接芯片電容器是極其重要的，因?yàn)樵谝r底的鋁系迅速形成原生的三氧化二鋁，甚至這大約 80 A 的氧化物能產(chǎn)生可測(cè)量功率電阻路 徑。這可能占到無(wú)法實(shí)現(xiàn)極其低阻抗。 圖中所示的測(cè)試車(chē)。 6 始建于兩個(gè) 固體平面設(shè)計(jì)。兩個(gè) 0.1 個(gè) 135 容去耦。六并聯(lián) 50R 電阻被用作負(fù)載（ 每四個(gè)功率 電阻）。在基片 110 地面組裝成 256 鉛 80 電源連接，以保證固體配電到基板上。這些軟件包被焊接到習(xí)俗，脫鉤的測(cè)試板。生成的程序集直流電壓的下降，大電流流經(jīng)負(fù)載電阻，在基板上平 9 面的交流噪聲大的 di/起的脈沖驅(qū)動(dòng) 發(fā)電機(jī)。 因?yàn)檠b配問(wèn)題，只有三四個(gè) 載部分 可以被激活，而一些負(fù)載電阻不起作用，所以這些測(cè)試車(chē)輛的有效電阻 而，這是足夠低的，充足的電流可以得出，即使采用 10 V 最大口授去耦電容。測(cè)量直流滴 底電流和電壓降封裝的引線鍵合架的中心之間的基板，其中測(cè)試點(diǎn)提供。的總電壓下降分別為 12 固體飛機(jī)和 21 以固態(tài)和每架飛機(jī)的 3 效地抵抗 R?；诮饘俚牧吭谶@兩個(gè)幾何形狀，這是預(yù)料之中的。 聲進(jìn)行了測(cè)量，總基板 di/前緣處的導(dǎo)通脈沖。固體平面和 本具有峰 為 是取決于在飛機(jī)上測(cè)量了。這樣的結(jié)果，如配電阻抗的測(cè)量，是一個(gè)反射的電容和附件的方法超過(guò)它是平面配電任何固有的局限性的結(jié)構(gòu)。 五 用范圍 撲結(jié)構(gòu)可以提供，容易制造 設(shè)計(jì)規(guī)則，變量信號(hào)線密度高達(dá) 250cm/中兩個(gè)金屬層（ 80 時(shí)），這是與其他 現(xiàn)。這些被控制可以根據(jù)阻抗的阻抗線 50圍內(nèi)適當(dāng)?shù)膸缀涡螤?。由于?duì)其間交流接地導(dǎo)體，它們具有極低的串?dāng)_。如果需要更大的密度，選擇性刪除配電連接，或者，一個(gè)四層的 構(gòu)可以產(chǎn)生。這將是一個(gè) 更有效地利用金屬比傳統(tǒng)的四層堆棧。 由這些線表現(xiàn)出的損失的函數(shù)，自己材料和橫截面。厚銅鍍線將遠(yuǎn)遠(yuǎn)比鋁薄線損耗少，內(nèi)幾個(gè) 應(yīng)商的工藝能力。 功率分布特征比較與傳統(tǒng)的固體平面，無(wú)論是在阻抗和噪音測(cè)量。直流電阻滴如與更大比固體平面，但只會(huì)是一個(gè)模塊的問(wèn)題非常高的功率密度，并可以減少到較厚的電鍍金屬的無(wú)關(guān)緊要的水平。如果有 撲結(jié)構(gòu)的限制，他們的上述檢查的頻率和功率密度測(cè)試，大概以上的時(shí)鐘頻率，線密度和模塊的權(quán)力感興趣的近期高點(diǎn)批量應(yīng)用。盡管需要額外的工作細(xì)化這里提出的測(cè)量，它似乎沒(méi)有采用這種 有效的降低成本的大多數(shù)用的方法。 致謝 再此對(duì)設(shè)計(jì)和制造專(zhuān)業(yè)的 P. Y. 及 10 以誠(chéng)摯謝意。 倫納德 ·沙佩爾（ S'65 M'92）獲得 1967 在紐瓦克工程學(xué)院就讀， 1968 年于麻省理工電氣工程技術(shù)研究所，博士學(xué)位于 1973年在新澤西技術(shù)研究所獲得。他在加入美國(guó)麻省理工學(xué)院之前，自 1978 年以來(lái)任教于 T 貝爾實(shí)驗(yàn)室。自 1980 年以來(lái)他一直活躍在電子封裝。他于1990 年加入美鋁電子封裝，指導(dǎo)他們的活動(dòng)在薄 膜的 1992 年，他在阿肯色大學(xué)的中心被任命為高密度電子 氣工程教授主任，在那里他領(lǐng)導(dǎo)的研究活動(dòng)是超過(guò) 30 個(gè)研究生參與的先進(jìn)的多芯片模塊技術(shù)。他是 公司的薄膜硅 術(shù)的共同發(fā)明者。彼持有四項(xiàng)專(zhuān)利，并撰寫(xiě)了大量的講座和論文。沙佩爾博士曾擔(dān)任多年 序委員會(huì)，以及 算機(jī)包裝委員會(huì)。他目前是 事的董事會(huì)成員。 西蒙 ·昂在阿肯色大學(xué)獲得了電子工程學(xué)士學(xué)位（ 分別從佐治亞理工學(xué)院和南方衛(wèi)理公會(huì)大學(xué)（ 得了 電子工程碩士學(xué)位博士學(xué)位。他于 1981 年加入了美國(guó)德州半導(dǎo)體組儀器，致力于設(shè)計(jì)功率集成電路和電壓調(diào)節(jié)器和工藝開(kāi)發(fā)。他在 1983 年被晉升為科長(zhǎng)。1988 年他加入阿肯色大學(xué)電機(jī)系，他目前是那里擁有超過(guò) 85 份在在微電子，固態(tài)材料，以及開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的簡(jiǎn)報(bào)和會(huì)議論文期刊或合著文件的作者。他擁有三項(xiàng)美國(guó)專(zhuān)利。他出版了一部著作，題為 “電源開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器 ” 馬塞爾 ·德克爾，分別于 1991 年和 1993 年在阿肯色大學(xué)獲得電工程學(xué)士學(xué)位和碩士學(xué)位。 1991 年，他加入 究介電鉆石 板的性能。目前，他是阿肯色大學(xué)的一 名博士生，研究信號(hào)傳輸和供電工作 撲的分布特性。 丹尼 ·奧爾德姆于 1992 年在阿肯色大學(xué)獲得電氣工程學(xué)士學(xué)位的。他一直負(fù)責(zé)聚酰亞胺 /鋁的 工藝開(kāi)發(fā)，以及 板的制造和研究聚酰亞胺薄膜。他目前正在攻讀碩士學(xué)位。 外文資料譯文 1 互連網(wǎng)絡(luò)電力系統(tǒng)（ 撲結(jié)構(gòu)的電氣特性 L. W. S. . . 、 撲 結(jié)構(gòu) 實(shí)現(xiàn) 撲結(jié)構(gòu)用傳統(tǒng)的 藝很容易實(shí)現(xiàn)，細(xì)線條光刻和批處理文件通過(guò)制造是固有的正常生產(chǎn)。 現(xiàn)相當(dāng)實(shí)用，如果通孔制造是通過(guò)其他常規(guī)的機(jī)械鉆孔，并且通孔尺寸足夠小，不足以影響行間距。 一個(gè)兩層的過(guò)程，盡管開(kāi)辟了可能性，制造導(dǎo)體的任一側(cè)上的一塊聚合物影像，可以處理卷到卷格式 （圖 5（ a）），得到的結(jié)果基片可以進(jìn)行填充和測(cè)試，然后申請(qǐng)封裝以形成剛性結(jié)構(gòu)（圖 5（ b）），廉價(jià)的絲網(wǎng)印刷的材料和方法可用于該模塊的底部上可以形成一個(gè)球柵陣列（ 提供了一個(gè)方便的系統(tǒng)接口（圖 5（ c））。這種模塊可以非常便宜，但仍然產(chǎn)生高性能。 圖 5 像載體 四、 析和實(shí)驗(yàn) 由于 撲是從根本上不同于傳統(tǒng)的微帶線或有固體電源和地平面外文資料譯文 2 帶狀線的 輸線環(huán)境，進(jìn)行了一項(xiàng)確定電源和信號(hào)環(huán)境的特點(diǎn)的詳細(xì)研究 。 正常 率分布是由固體金屬的電源和地平面 ， 有時(shí)具有介于其間的創(chuàng)建的平行板的去耦電容，提供所有或部分的瞬時(shí)電流需求的薄介電 。在大多數(shù)情況下，然而，表面安裝的陶瓷電容需要為充電水庫(kù)，以保持這些瞬態(tài)的 di/聲 低于可接受的利潤(rùn)率。傳統(tǒng)的貼片電容具有相對(duì)較高的寄生電感和低共振頻率，但是。特別低電感電容 初設(shè)計(jì)用于 傳導(dǎo)模塊，提供了更好的去耦。平行板 P/G 本身形成了 一個(gè)低電感分布結(jié)構(gòu)。引線鍵合從這些 芯片的，盡管許多并聯(lián)，有助于更多的電感和批判影響片上的噪音。 圖 6 測(cè)試車(chē)輛功率瞬態(tài)測(cè)量設(shè)置 撲結(jié)構(gòu)取代了堅(jiān)實(shí)的平面網(wǎng)狀導(dǎo)線。在雙網(wǎng)平面寬 100 點(diǎn)，導(dǎo)線 320 點(diǎn)的間距，降低至 62％，純金屬覆蓋了堅(jiān)實(shí)的平面。即使有大量的電源和接地的導(dǎo)體切割，以適應(yīng)信號(hào)線，金屬覆蓋為 40％，可以實(shí)現(xiàn)的。增加外文資料譯文 3 電阻和電感因此，預(yù) 測(cè) 寄生效應(yīng)。然而，由于貢獻(xiàn)這些寄生到 在堅(jiān)實(shí)的平面上的情況下，往往是微不足道的，這種性能下降 在幾乎所有的情況下 都 是可控的。附件的正常及低以傳統(tǒng)的方式的電感的去耦電容 在很寬的的頻率范圍內(nèi)提供了必要的去耦電容 。 要檢查有效性 電，兩個(gè)測(cè)試車(chē)輛設(shè)計(jì)和建造一個(gè)與固體 在每四個(gè) n 溝道功率 安排連接模塊上的阻性負(fù)載電源和地之間，從而誘導(dǎo)到大的 di/電結(jié)構(gòu)。如該圖所示。有幾個(gè)網(wǎng)站所提供的正常的陶瓷，以及低電感片狀電容器。為清楚起見(jiàn)，該測(cè)試車(chē)的其他功能，用于信號(hào)傳輸?shù)臏y(cè)量，還沒(méi)有被證明 ，對(duì) 電容器和負(fù)載 的各種組合 ，以及電流上升時(shí)間，進(jìn)行了 測(cè) 試。測(cè)量結(jié)果 將 在后面介紹。 圖 7 中所示的的 號(hào)傳輸環(huán)境。每根信號(hào)線之間交流接地導(dǎo)體相同的金屬平面上，通過(guò)正交功率，接地和信號(hào)導(dǎo)體上的其它金屬平面。由于交流接地導(dǎo)體，在所述第二平面還到信號(hào)線正交，返回電流流僅在共面導(dǎo)體 ;正交導(dǎo)體適度降低線路阻抗，通過(guò)電容加載。這初步證明了建設(shè) 大型物理模型（ 寸大小的 160 倍）做 量，并已被證實(shí) 試車(chē)輛上的測(cè)量如下所述。 圖 7 號(hào)的傳輸環(huán)境 示于圖的則該測(cè)試車(chē)輛 ，在一個(gè)發(fā)達(dá)的 設(shè)計(jì)及金屬制品業(yè)的，具有四種掩模過(guò)程中使用鋁中導(dǎo)體和光可聚酰亞胺介電 5 硅襯底。 硅片上用 積，或 杜邦 2721 聚酰亞胺層 制造工藝。并通過(guò)光刻法和外文資料譯文 4 濕法刻蝕定義。接著，將聚酰亞胺的層上旋轉(zhuǎn)，曝光，和發(fā)展 。 金屬重復(fù)沉積和圖案化，以形成第二金屬層和一個(gè)最終的聚酰亞胺的步驟形成了保護(hù)大衣 ，對(duì) 幾個(gè)中間層和基礎(chǔ)層厚度介質(zhì)進(jìn)行了比較。 33 x 26 毫米基板填充去耦電容和端接電阻器和使用的，無(wú)包裝的，傳輸線和配電阻抗測(cè)量接收功率 片，去耦電容器，和負(fù)載電阻器，并且被安裝在一個(gè) 256 引領(lǐng) 和 量 配電噪聲。用于固體平面版本同樣配置的功率分布測(cè)量。兩個(gè)基板的制作中，使用相同 的四個(gè)掩模，與板占據(jù)六個(gè)八個(gè)可能的， 5 晶圓網(wǎng)站，和固體的平面基片的其余兩個(gè)網(wǎng) 絡(luò) 。 有幾種不同的信號(hào)傳輸測(cè)試結(jié)構(gòu)被列入在 驗(yàn)車(chē)輛。所有有微波探頭墊 150 點(diǎn)間距在任一端，并提供終止該行使用 50 R 0603 尺寸（ 導(dǎo)電基體結(jié)合的片式電阻器環(huán)氧樹(shù)脂。對(duì)于所有的傳輸線測(cè)量，去 圖 8 試車(chē)輛 耦電容，足以容納配電阻抗下面 從 1 1 安裝。（請(qǐng)參閱以外文資料譯文 5 下部分配電阻抗）第二水平金屬線無(wú)論是 米或 米長(zhǎng)配置為信號(hào)電源和地線之間（ 信號(hào)分割內(nèi)電力導(dǎo)體（ 信號(hào)內(nèi)部分裂的接地導(dǎo)體（ 這里還設(shè)有一個(gè)串?dāng)_測(cè)量線設(shè)置，下午 80 點(diǎn)間距，從動(dòng)線躺在電源和地之間，與受害人線內(nèi)相鄰的分割接地導(dǎo)體。第一級(jí)線（躺在聚酰亞胺介電） 米長(zhǎng)，配置 進(jìn)行了測(cè)量，看是否線阻抗不同于第二金屬。 撲的一個(gè)方面，提出了特別的關(guān)注。這是對(duì)阻抗的影響，特別是在傳播速度，改變從，例如，一個(gè) X 去 的 的。有一個(gè)不連續(xù)返回電流路徑變化的點(diǎn)，其中有一些效果根據(jù) P 和 G 頻率脫鉤的興趣。這還沒(méi)有出現(xiàn)的一個(gè)問(wèn)題在許多 信號(hào)層，其中經(jīng)常引用電源或接地平面沒(méi)有效果。如果要判斷 存在問(wèn)題，五段創(chuàng)建路徑， 米 米 米， 米 米的 分串聯(lián)。 層間和大衣聚酰亞胺基板厚度為 午 2 點(diǎn)和初始 質(zhì)厚度，建立和計(jì)量。實(shí)驗(yàn)采用泰克 10 互連參數(shù)分析儀。該結(jié)果如下表所示。 4 90 4 90 4 75 4 75 4 75 54 75 這些測(cè)量結(jié)果表明之間的重大差異 傳輸線，所造成的薄介電 下，將得到的字段存在于部分導(dǎo)電的硅襯底。的阻抗 是高于預(yù)期，因?yàn)槊婢咤e(cuò)誤導(dǎo)致線的寬度，而不是所期望的。 傳播延遲確定的值肯定是類(lèi)似于其他 板 ;貨幣供應(yīng)量 數(shù)字均高于由于在基外文資料譯文 6 板的接近。沒(méi)有問(wèn)題，所造成的被引用到電源或接地的信號(hào)延遲 ， 五段線是從其他 沒(méi)有什么不同。 掩模組進(jìn)行了修改和重復(fù)實(shí)驗(yàn)以 8 分厚的聚酰亞胺的初始介電層，并 間 的聚酰亞胺。下面結(jié)果，得到： 2 70 2 70 2 70 2 66 2 66 2 66 52 68 即使有一個(gè) 8 點(diǎn)層的聚酰亞胺中，所述半導(dǎo)體硅仍然具有效果。由于我們目前使用的測(cè)試作為基板的晶片，晶片的電阻率是未知的。進(jìn)一步制作將使用測(cè)得的電阻率硅片確定的電阻率要消除的區(qū)別 傳輸線。詳細(xì)的模擬線上述半導(dǎo)體基板也正在進(jìn)行中。當(dāng)然，不同的實(shí)現(xiàn)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中，對(duì)一個(gè)不會(huì)有低介電常數(shù)的絕緣基板的這個(gè)問(wèn)題。 串?dāng)_測(cè)量 米耦合長(zhǎng)度。受害者線兩端終止。測(cè)量是在 “近期行動(dòng)計(jì)劃 ”310 注入 20上升時(shí)間 沖，從動(dòng)線和測(cè)量的受害者線。串?dāng)_峰值小于這一套耦合線長(zhǎng) 這一結(jié)果表明，串?dāng)_以合理的時(shí)鐘不應(yīng)該是一個(gè)問(wèn)題頻率和線的長(zhǎng)度。 同時(shí)使用功率分布測(cè)量阻抗 510 網(wǎng)絡(luò)分析儀和 291A 阻抗米?？梢詼y(cè)量 45 1 一系列 8510 。 圖 9 示出了測(cè)量的阻抗為幾種 外文資料譯文 7 圖 9 使用 510 網(wǎng)絡(luò)分析儀測(cè)出的配電阻抗頻率 特性 圖 10 使用 291A 阻抗測(cè)量?jī)x 測(cè)出的 功率分布 阻抗頻率特性 底物的各種組合去耦電容。即使是低電感 效果電容只出現(xiàn)高于這個(gè)頻率低于 300 固有電容，無(wú)論是固體（ 版本中，占主導(dǎo)地位的測(cè)量阻抗。阻抗的上升，從 600 到 900 于電感的外文資料譯文 8 影響。 4291A，測(cè)量從 1 至 500 圖所示。共振 0.1 片電容是清楚地看到大約 20些測(cè)量是在不 容放置，以便確認(rèn)的 測(cè)阻抗的上升，與正常上限之間 200 和 300 兆赫。 結(jié)果表明，有什么區(qū)別 電結(jié)構(gòu)和一個(gè)使用固體。任何平面效果的附件或?qū)⒈黄帘我€鍵合阻抗的數(shù)量和類(lèi)型使用的電容器。該程序用來(lái)連接芯片電容器是極其重要的，因?yàn)樵谝r底的鋁系迅速形成原生的三氧化二鋁，甚至這大約 80 A 的氧化物能產(chǎn)生可測(cè)量功率電阻路徑。這可能占到無(wú)法實(shí)現(xiàn)極其低阻抗。 圖中所示的測(cè)試車(chē)。 6 始建于兩個(gè) 固體平面設(shè)計(jì)。兩個(gè) 0.1 個(gè) 135 容 去耦。六并聯(lián) 50R 電阻被用作負(fù)載（ 每四個(gè)功率 電阻）。在基片 110 地面組裝成 256 鉛 80 電源連接，以保證固體配電到基板上。這些軟件包被焊接到習(xí)俗，脫鉤的測(cè)試板。生成的程序集直流電壓的下降，大電流流經(jīng)負(fù)載電阻，在基板上平面的交流噪聲大的 di/起的脈沖驅(qū)動(dòng) 發(fā)電機(jī)。 因?yàn)檠b配問(wèn)題，只有三四個(gè) 載部分可以被激活，而一些負(fù)載電阻不起作用，所以這些測(cè)試車(chē)輛的有效電阻 然而，這是足夠低的，充足的電流可以得出，即使采用 10 V 最大口授去耦電容。測(cè)量直流滴 底電流和 電壓降封裝的引線鍵合架的中心之間的基板，其中測(cè)試點(diǎn)提供。的總電壓下降分別為 12 固體飛機(jī)和 21 以固態(tài)和每架飛機(jī)的 3 效地抵抗 R?；诮饘俚牧吭谶@兩個(gè)幾何形狀，這是預(yù)料之中的。 聲進(jìn)行了測(cè)量，總基板 di/前緣處的導(dǎo)通脈沖。固體平面和 本具有峰 200是取決于在飛機(jī)上測(cè)量了。這樣的結(jié)果，如配電阻抗的測(cè)量，是一個(gè)反射的電容和附件的方法超過(guò)它是平面配電任何固有的局限性的結(jié)構(gòu)。 五 用范圍 撲結(jié)構(gòu)可以提供，容易制造 設(shè)計(jì)規(guī)則，變量信號(hào)線密度高達(dá) 250cm/中兩個(gè)金屬層（ 80 時(shí)），這是與其他 現(xiàn)。這些被控制可以根據(jù)阻抗的阻抗線 50圍內(nèi)適當(dāng)?shù)膸缀涡螤?。由于?duì)其間外文資料譯文 9 交流接地導(dǎo)體，它們具有極低的串?dāng)_。如果需要更大的密度，選擇性刪除配電連接，或者，一個(gè)四層的 構(gòu)可以產(chǎn)生。這將是一個(gè)更有效地利用金屬比傳統(tǒng)的四層堆棧。 由這些線表現(xiàn)出的損失的函數(shù)，自己材料和橫截面。厚銅鍍線將遠(yuǎn)遠(yuǎn)比鋁薄線損耗少，內(nèi)幾個(gè) 應(yīng)商的工藝能力。 功率分布特征比較與 傳統(tǒng)的固體平面，無(wú)論是在阻抗和噪音測(cè)量。直流電阻滴如與更大比固體平面，但只會(huì)是一個(gè)模塊的問(wèn)題非常高的功率密度，并可以減少到較厚的電鍍金屬的無(wú)關(guān)緊要的水平。如果有 撲結(jié)構(gòu)的限制，他們的 上述檢查的頻率和功率密度測(cè)試，大概以上的時(shí)鐘頻率，線密度和模塊的權(quán)力感興趣的 近期高點(diǎn)批量應(yīng)用。盡管需要額外的工作細(xì)化這里提出的測(cè)量，它似乎沒(méi)有采用這種有效的降低成本的 大多數(shù)用的方法。 致謝 再此對(duì) 設(shè)計(jì)和制造專(zhuān)業(yè)的 P. Y. 及 以誠(chéng)摯謝意。 倫納德 ·沙佩爾（ S'65 M'92） 獲得 1967 在 紐瓦克工程學(xué)院 就讀 ， 1968 年于 麻省理工電氣工程技術(shù)研究所，博士 學(xué)位于 1973年 在新澤西技術(shù)研究所 獲得 。他 在加入 美國(guó)麻省理工學(xué)院之前， 自 1978 年以來(lái)任教于 T 貝爾實(shí)驗(yàn)室。 自 1980 年以來(lái) 他一直活躍在電子封裝。他 于1990 年 加入美鋁電子封裝，指導(dǎo)他們的活動(dòng)在薄膜的 1992 年，他 在阿肯色大學(xué)的中心 被任命為 高密度電子 氣工程教授主任，在那里他領(lǐng)導(dǎo)的研究活動(dòng) 是 超過(guò) 30 個(gè)研究生 參與的 先進(jìn)的多芯片模塊技術(shù)。他 是 公司的薄膜硅 術(shù)的共同發(fā)明者。彼持有四項(xiàng)專(zhuān)利，并撰寫(xiě)了大量的講座和論文。沙佩爾博士曾擔(dān)任多年 序委員會(huì)，以及 算機(jī)包裝委員會(huì)。他目前是 事的董事會(huì)成員。 西蒙 ·昂 在阿肯色大學(xué) 獲得了電子工程學(xué)士學(xué)位（ 分別從佐治亞理工學(xué)院和南方衛(wèi)理公會(huì)大學(xué)（ 獲得 了 電子工程碩士學(xué)位博士學(xué)位。他 于 1981 年 加入了美國(guó)德州半導(dǎo)體組儀器，致力于設(shè)計(jì) 功率集成電路 和電壓調(diào)節(jié)器和工藝開(kāi)發(fā)。他 在 1983 年 被晉升為科長(zhǎng)。1988 年他加入 阿肯色大 學(xué) 電機(jī)系，他目前 是那里擁有 超過(guò) 85 份在在微電子，外文資料譯文 10 固態(tài)材料，以及開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的簡(jiǎn)報(bào)和會(huì)議論文 期刊 或合著文件 的作者。他擁有 三項(xiàng)美國(guó) 專(zhuān)利。他 出版了一部著作 ，題為 “電源開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器 ” 馬塞爾 ·德克爾， 分別于 1991 年和 1993 年在 阿肯色大學(xué) 獲得 電工程 學(xué)士學(xué)位和碩士學(xué)位 。 1991 年，他加入 究介電鉆石 板的性能。目前，他是阿肯色大學(xué)的 一名 博士生， 研究 信號(hào)傳輸和供電工作 撲的分布特性。 丹尼 ·奧爾德姆 于 1992 年在阿肯色大學(xué) 獲得 電氣工程 學(xué)士學(xué)位的。他一直負(fù)責(zé) 聚酰亞胺 /鋁的 工藝 開(kāi)發(fā)， 以及 板的制造和研究聚酰亞胺薄膜 。 他目前正在攻讀碩士學(xué)位。 N , 18, I, 995 of . W. S. . . CM be by of or X Y to or as a of to on of of a of is in an on of de ac on a of CM I. CM in to of to is to of be by CM’s or or X Y a is a of s, no if it is a or a 1994; 3, 1994. is by 3at 4, 1994. 2701 407917. x Y Y 9 (b) 1. of 300 of is to of to of 11. is a as as in It of to a of is 1. a in CM’s or of as a as a l(a), on at a to ( 10705$995 00 N 2. “, 18, 1, ,is l(a) to of or of on l(b)). a of In of is no if be be at an of be as 2. in of a “( up to of at or An be of a or nP as a of .. . 5P .. 3P ... ... 2P or at A is to a “( in 0 pm a 00 pm 0 pm be (or 20 pm 3.) in be 20 pm 3. 995 4. (a) (b) at 0 pm 160 pm 4(a)). In be or 4(b)) a 0 or to at to of on be 0 pm et F 01 5. on 5 pm 25 pm 0 pm on CM to by an ac of is in a to is if is by is to A up of on of a of be in 5(a)). be to a 5(b)). be to a on of a 5(c)). of be is or CM a to of A. CM is by an a to or of In as to di/dt on , a of In a 00 pm 20 pm is 2% of a to 0% be of to dc ac in 02 N , 18, 1, 995 111 6. is in of in a To On ET's to di/dt As 6, as as of of as as B. is 7. ac on on ac in to of in by 160 CM DR by on C. he 8 in a pm 7. on i or pm 721 pm i by a of 0 pm 5 pm to a a of 3 x 26 mm or it ET in a 256 of dc ac of D. in 50 pm at to a 50 R 0603 1.6 x 0.8 to to (on 4.6 mm 6.6 mm as a a is a of 0 pm on or 18.2 mm SG to if of on on of et F 108. to a SG is a at of on at of to be a in CM's, to or no To if a a .4 6.3 11.5 6.3 .4 SP in an .0 a 10 Z& 1 4 90 4 90 4 75 4 75 4 75 4 75 a 1 2 by 1, of of 2 a 6 pm of 0 of 2 is to 1 to of No 03 by to or of no 2 pm .4 pm of 1 2. t,ps/1 2 72 2 72 2 70 2 66 2 66 2 66 2 68 pm of an As we as is to to 1 2 of in Of a of on an of 2 8.5 mm of on 10 by 0 pS DR on of 04 N , 18, 1, 995 m c 12 - 1 ........................... 0 0 100 200 300 400 500 (P 4291A be a at E. P 8510 P 4291A A 5 be 510. 9 of of VX 00 of in 3.2 1.6 00 00 is to 291A, 00 as 10. of .1 pF is 0 VX in in to in in 00 00 is be by or by of to is as of 0 A of pro 1 互連網(wǎng)絡(luò)電力系統(tǒng)（ 撲結(jié)構(gòu)的電氣特性 L. W. S. . . 、 撲結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn) 撲結(jié)構(gòu)用傳統(tǒng)的 藝很容易實(shí)現(xiàn)，細(xì)線條光刻和批處理文件通過(guò)制造是固有的正常生產(chǎn)。 現(xiàn)相當(dāng)實(shí)用，如果通孔制造是通過(guò)其他常規(guī)的機(jī)械鉆孔，并且通孔尺寸足夠小，不足以影響行間距。 一個(gè)兩層的過(guò)程，盡管開(kāi)辟了可能性，制造導(dǎo)體的任一側(cè)上的一塊聚合物影像，可以處理卷到卷格式 （圖 5（ a）），得到的結(jié)果基片可以進(jìn)行填充和測(cè)試 ，然后申請(qǐng)封裝以形成剛性結(jié)構(gòu)（圖 5（ b）），廉價(jià)的絲網(wǎng)印刷的材料和方法可用于該模塊的底部上可以形成一個(gè)球柵陣列（ 提供了一個(gè)方便的系統(tǒng)接口（圖 5（ c））。這種模塊可以非常便宜，但仍然產(chǎn)生高性能。 圖 5像載體 四、 析和實(shí)驗(yàn) 由于 撲是從根本上不同于傳統(tǒng)的微帶線或有固體電源和地平面 2 帶狀線的 輸線環(huán)境，進(jìn)行了一項(xiàng)確定電源和信號(hào)環(huán)境的特點(diǎn)的詳細(xì)研究。 正常 率分布是由固體金屬的電源和地平面，有時(shí)具有介于其間的創(chuàng)建的平行板的去耦電容，提供所有或部分的瞬時(shí)電流需 求的薄介電。在大多數(shù)情況下，然而，表面安裝的陶瓷電容需要為充電水庫(kù)，以保持這些瞬態(tài)的 di/聲低于可接受的利潤(rùn)率。傳統(tǒng)的貼片電容具有相對(duì)較高的寄生電感和低共振頻率，但是。特別低電感電容 初設(shè)計(jì)用于 傳導(dǎo)模塊，提供了更好的去耦。平行板 P/G 本身形成了一個(gè)低電感分布結(jié)構(gòu)。引線鍵合從這些芯片的，盡管許多并聯(lián)，有助于更多的電感和批判影響片上的噪音。 圖 6 測(cè)試車(chē)輛功率瞬態(tài)測(cè)量設(shè)置 撲結(jié)構(gòu)取代了堅(jiān)實(shí)的平面網(wǎng)狀導(dǎo)線。在雙網(wǎng)平面寬 100 點(diǎn)，導(dǎo)線 320 點(diǎn)的間距，降低至 62％，純金屬覆蓋了堅(jiān)實(shí) 的平面。即使有大量的電源和接地的導(dǎo)體切割，以適應(yīng)信號(hào)線，金屬覆蓋為 40％，可以實(shí)現(xiàn)的。增加 3 電阻和電感因此，預(yù)測(cè)寄生效應(yīng)。然而，由于貢獻(xiàn)這些寄生到 在堅(jiān)實(shí)的平面上的情況下，往往是微不足道的，這種性能下降在幾乎所有的情況下都是可控的。附件的正常及低以傳統(tǒng)的方式的電感的去耦電容在很寬的的頻率范圍內(nèi)提供了必要的去耦電容。 要檢查有效性 電，兩個(gè)測(cè)試車(chē)輛設(shè)計(jì)和建造一個(gè)與固體 在每四個(gè) n 溝道功率 安排連接模塊上的阻性負(fù)載電源和地之間，從而誘導(dǎo)到大的 di/電結(jié)構(gòu)。如該圖所示。有幾個(gè) 網(wǎng)站所提供的正常的陶瓷，以及低電感片狀電容器。為清楚起見(jiàn)，該測(cè)試車(chē)的其他功能，用于信號(hào)傳輸?shù)臏y(cè)量，還沒(méi)有被證明，對(duì)電容器和負(fù)載的各種組合，以及電流上升時(shí)間，進(jìn)行了測(cè)試。測(cè)量結(jié)果將在后面介紹。 圖 7 中所示的的 號(hào)傳輸環(huán)境。每根信號(hào)線之間交流接地導(dǎo)體相同的金屬平面上，通過(guò)正交功率，接地和信號(hào)導(dǎo)體上的其它金屬平面。由于交流接地導(dǎo)體，在所述第二平面還到信號(hào)線正交，返回電流流僅在共面導(dǎo)體 ;正交導(dǎo)體適度降低線路阻抗，通過(guò)電容加載。這初步證明了建設(shè)大型物理模型（ 寸大小的 160 倍）做 量 ，并已被證實(shí) 試車(chē)輛上的測(cè)量如下所述。 圖 7號(hào)的傳輸環(huán)境 示于圖的則該測(cè)試車(chē)輛，在一個(gè)發(fā)達(dá)的 設(shè)計(jì)及金屬制品業(yè)的，具有四種掩模過(guò)程中使用鋁中導(dǎo)體和光可聚酰亞胺介電 5 硅襯底。 硅片上用 積，或杜邦 2721 聚酰亞胺層制造工藝。并通過(guò)光刻法和 4 濕法刻蝕定義。接著，將聚酰亞胺的層上旋轉(zhuǎn)，曝光，和發(fā)展。金屬重復(fù)沉積和圖案化，以形成第二金屬層和一個(gè)最終的聚酰亞胺的步驟形成了保護(hù)大衣，對(duì)幾個(gè)中間層和基礎(chǔ)層厚度介質(zhì)進(jìn)行了比較。 33 x 26 毫米基板填充去耦電 容和端接電阻器和使用的，無(wú)包裝的，傳輸線和配電阻抗測(cè)量接收功率 片，去耦電容器，和負(fù)載電阻器，并且被安裝在一個(gè) 256 引領(lǐng) 和 量 配電噪聲。用于固體平面版本同樣配置的功率分布測(cè)量。兩個(gè)基板的制作中，使用相同的四個(gè)掩模，與板占據(jù)六個(gè)八個(gè)可能的， 5 晶圓網(wǎng)站，和固體的平面基片的其余兩個(gè)網(wǎng)絡(luò)。 有幾種不同的信號(hào)傳輸測(cè)試結(jié)構(gòu)被列入在 驗(yàn)車(chē)輛。所有有微波探頭墊 150 點(diǎn)間距在任一端，并提供終止該行使用 50 R 0603 尺寸（ 導(dǎo)電基 體結(jié)合的片式電阻器環(huán)氧樹(shù)脂。對(duì)于所有的傳輸線測(cè)量，去 圖 8 試車(chē)輛 耦電容，足以容納配電阻抗下面 從 1 1 安裝。（請(qǐng)參閱以 5 下部分配電阻抗）第二水平金屬線無(wú)論是 米或 米長(zhǎng)配置為信號(hào)電源和地線之間（ 信號(hào)分割內(nèi)電力導(dǎo)體（ 信號(hào)內(nèi)部分裂的接地導(dǎo)體（ 這里還設(shè)有一個(gè)串?dāng)_測(cè)量線設(shè)置，下午 80 點(diǎn)間距，從動(dòng)線躺在電源和地之間，與受害人線內(nèi)相鄰的分割接地導(dǎo)體。第一級(jí)線（躺在聚酰亞胺介電） 米長(zhǎng)，配置 進(jìn)行了測(cè)量，看是否線阻抗不同于第二金屬。 撲的一個(gè)方面，提出了特別的關(guān)注。這是對(duì)阻抗的影響，特別是在傳播速度，改變從，例如，一個(gè) X 去 的 的。有一個(gè)不連續(xù)返回電流路徑變化的點(diǎn)，其中有一些效果根據(jù) P 和 G 頻率脫鉤的興趣。這還沒(méi)有出現(xiàn)的一個(gè)問(wèn)題在許多 信號(hào)層，其中經(jīng)常引用電源或接地平面沒(méi)有效果。如果要判斷 存在問(wèn)題，五段創(chuàng)建路徑， 米 米 米， 米 米的 分串聯(lián)。 層間和大衣聚酰亞胺基板厚度為 ， 下午 2 點(diǎn)和初始 質(zhì)厚度，建立和計(jì)量。實(shí)驗(yàn)采用泰克 10 互連參數(shù)分析儀。該結(jié)果如下表所示。 4 90 4 90 4 75 4 75 4 75 錯(cuò)誤 !未 找 到 引 用源。 54 75 這些測(cè)量結(jié)果表明之間的重大差異 傳輸線，所造成的薄介 6 電 下，將得到的字段存在于部分導(dǎo)電的硅襯底。的阻抗 是高于預(yù)期，因?yàn)槊婢咤e(cuò)誤導(dǎo)致線的寬度，而不是所期望的。 傳播延遲確定的值 肯定是類(lèi)似于其他 板 ;貨幣供應(yīng)量 數(shù)字均高于由于在基板的接近。沒(méi)有問(wèn)題，所造成的被引用到電源或接地的信號(hào)延遲，五段線是從其他 沒(méi)有什么不同。 掩模組進(jìn)行了修改和重復(fù)實(shí)驗(yàn)以 8 分厚的聚酰亞胺的初始介電層，并 間 的聚酰亞胺。下面結(jié)果，得到： 2 70 2 70 2 70 2 66 2 66 2 66 錯(cuò)誤 !未 找 到 引 用源。 52 68 即使 有一個(gè) 8 點(diǎn)層的聚酰亞胺中，所述半導(dǎo)體硅仍然具有效果。由于我們目前使用的測(cè)試作為基板的晶片，晶片的電阻率是未知的。進(jìn)一步制作將使用測(cè)得的電阻率硅片確定的電阻率要消除的區(qū)別 傳輸線。詳細(xì)的模擬線上述半導(dǎo)體基板也正在進(jìn)行中。當(dāng)然，不同的實(shí)現(xiàn)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中，對(duì)一個(gè)不會(huì)有低介電常數(shù)的絕緣基板的這個(gè)問(wèn)題。 串?dāng)_測(cè)量 米耦合長(zhǎng)度。受害者線兩端終止。測(cè)量是在 “近期 7 行動(dòng)計(jì)劃 ”310 注入 20上升時(shí)間 沖，從動(dòng)線和測(cè)量的受害者線。串?dāng)_峰值小于這一套耦合線長(zhǎng) 這一結(jié)果表明，串?dāng)_以合理的時(shí)鐘 不應(yīng)該是一個(gè)問(wèn)題頻率和線的長(zhǎng)度。 同時(shí)使用功率分布測(cè)量阻抗 510 網(wǎng)絡(luò)分析儀和 291A 阻抗米?？梢詼y(cè)量 45 1 一系列 8510 。圖 9 示出了測(cè)量的阻抗為幾種 圖 9 使用 510 網(wǎng)絡(luò)分析儀測(cè)出的配電阻抗頻率特性 8 圖 10 使用 抗測(cè)量?jī)x測(cè)出的功率分布阻抗頻率特性 底物的各種組合去耦電容。即使是低電感 效果電容只出現(xiàn)高于這個(gè)頻率低于 300 固有電容，無(wú)論是固體（ 版本中，占主導(dǎo)地位的測(cè)量 阻抗。阻抗的上升，從 600 到 900 于電感的影響。 4291A，測(cè)量從 1 至 500 圖所示。共振 0.1 片電容是清楚地看到大約 20些測(cè)量是在不 容放置，以便確認(rèn)的 測(cè)阻抗的上升，與正常上限之間 200 和 300 兆赫。 結(jié)果表明，有什么區(qū)別 電結(jié)構(gòu)和一個(gè)使用固體。任何平面效果的附件或?qū)⒈黄帘我€鍵合阻抗的數(shù)量和類(lèi)型使用的電容器。該程序用來(lái)連接芯片電容器是極其重要的，因?yàn)樵谝r底的鋁系迅速形成原生的三氧化二鋁，甚至這大約 80 A 的氧化物能產(chǎn)生可測(cè)量功率電阻路 徑。這可能占到無(wú)法實(shí)現(xiàn)極其低阻抗。 圖中所示的測(cè)試車(chē)。 6 始建于兩個(gè) 固體平面設(shè)計(jì)。兩個(gè) 0.1 個(gè) 135 容去耦。六并聯(lián) 50R 電阻被用作負(fù)載（ 每四個(gè)功率 電阻）。在基片 110 地面組裝成 256 鉛 80 電源連接，以保證固體配電到基板上。這些軟件包被焊接到習(xí)俗，脫鉤的測(cè)試板。生成的程序集直流電壓的下降，大電流流經(jīng)負(fù)載電阻，在基板上平 9 面的交流噪聲大的 di/起的脈沖驅(qū)動(dòng) 發(fā)電機(jī)。 因?yàn)檠b配問(wèn)題，只有三四個(gè) 載部分 可以被激活，而一些負(fù)載電阻不起作用，所以這些測(cè)試車(chē)輛的有效電阻 而，這是足夠低的，充足的電流可以得出，即使采用 10 V 最大口授去耦電容。測(cè)量直流滴 底電流和電壓降封裝的引線鍵合架的中心之間的基板，其中測(cè)試點(diǎn)提供。的總電壓下降分別為 12 固體飛機(jī)和 21 以固態(tài)和每架飛機(jī)的 3 效地抵抗 R。基于金屬的量在這兩個(gè)幾何形狀，這是預(yù)料之中的。 聲進(jìn)行了測(cè)量，總基板 di/前緣處的導(dǎo)通脈沖。固體平面和 本具有峰 為 是取決于在飛機(jī)上測(cè)量了。這樣的結(jié)果，如配電阻抗的測(cè)量，是一個(gè)反射的電容和附件的方法超過(guò)它是平面配電任何固有的局限性的結(jié)構(gòu)。 五 用范圍 撲結(jié)構(gòu)可以提供，容易制造 設(shè)計(jì)規(guī)則，變量信號(hào)線密度高達(dá) 250cm/中兩個(gè)金屬層（ 80 時(shí)），這是與其他 現(xiàn)。這些被控制可以根據(jù)阻抗的阻抗線 50圍內(nèi)適當(dāng)?shù)膸缀涡螤?。由于?duì)其間交流接地導(dǎo)體，它們具有極低的串?dāng)_。如果需要更大的密度，選擇性刪除配電連接，或者，一個(gè)四層的 構(gòu)可以產(chǎn)生。這將是一個(gè) 更有效地利用金屬比傳統(tǒng)的四層堆棧。 由這些線表現(xiàn)出的損失的函數(shù)，自己材料和橫截面。厚銅鍍線將遠(yuǎn)遠(yuǎn)比鋁薄線損耗少，內(nèi)幾個(gè) 應(yīng)商的工藝能力。 功率分布特征比較與傳統(tǒng)的固體平面，無(wú)論是在阻抗和噪音測(cè)量。直流電阻滴如與更大比固體平面，但只會(huì)是一個(gè)模塊的問(wèn)題非常高的功率密度，并可以減少到較厚的電鍍金屬的無(wú)關(guān)緊要的水平。如果有 撲結(jié)構(gòu)的限制，他們的上述檢查的頻率和功率密度測(cè)試，大概以上的時(shí)鐘頻率，線密度和模塊的權(quán)力感興趣的近期高點(diǎn)批量應(yīng)用。盡管需要額外的工作細(xì)化這里提出的測(cè)量，它似乎沒(méi)有采用這種 有效的降低成本的大多數(shù)用的方法。 致謝 再此對(duì)設(shè)計(jì)和制造專(zhuān)業(yè)的 P. Y. 及 10 以誠(chéng)摯謝意。 倫納德 ·沙佩爾（ S'65 M'92）獲得 1967 在紐瓦克工程學(xué)院就讀， 1968 年于麻省理工電氣工程技術(shù)研究所，博士學(xué)位于 1973年在新澤西技術(shù)研究所獲得。他在加入美國(guó)麻省理工學(xué)院之前，自 1978 年以來(lái)任教于 T 貝爾實(shí)驗(yàn)室。自 1980 年以來(lái)他一直活躍在電子封裝。他于1990 年加入美鋁電子封裝，指導(dǎo)他們的活動(dòng)在薄 膜的 1992 年，他在阿肯色大學(xué)的中心被任命為高密度電子 氣工程教授主任，在那里他領(lǐng)導(dǎo)的研究活動(dòng)是超過(guò) 30 個(gè)研究生參與的先進(jìn)的多芯片模塊技術(shù)。他是 公司的薄膜硅 術(shù)的共同發(fā)明者。彼持有四項(xiàng)專(zhuān)利，并撰寫(xiě)了大量的講座和論文。沙佩爾博士曾擔(dān)任多年 序委員會(huì)，以及 算機(jī)包裝委員會(huì)。他目前是 事的董事會(huì)成員。 西蒙 ·昂在阿肯色大學(xué)獲得了電子工程學(xué)士學(xué)位（ 分別從佐治亞理工學(xué)院和南方衛(wèi)理公會(huì)大學(xué)（ 得了 電子工程碩士學(xué)位博士學(xué)位。他于 1981 年加入了美國(guó)德州半導(dǎo)體組儀器，致力于設(shè)計(jì)功率集成電路和電壓調(diào)節(jié)器和工藝開(kāi)發(fā)。他在 1983 年被晉升為科長(zhǎng)。1988 年他加入阿肯色大學(xué)電機(jī)系，他目前是那里擁有超過(guò) 85 份在在微電子，固態(tài)材料，以及開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的簡(jiǎn)報(bào)和會(huì)議論文期刊或合著文件的作者。他擁有三項(xiàng)美國(guó)專(zhuān)利。他出版了一部著作，題為 “電源開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器 ” 馬塞爾 ·德克爾，分別于 1991 年和 1993 年在阿肯色大學(xué)獲得電工程學(xué)士學(xué)位和碩士學(xué)位。 1991 年，他加入 究介電鉆石 板的性能。目前，他是阿肯色大學(xué)的一 名博士生，研究信號(hào)傳輸和供電工作 撲的分布特性。 丹尼 ·奧爾德姆于 1992 年在阿肯色大學(xué)獲得電氣工程學(xué)士學(xué)位的。他一直負(fù)責(zé)聚酰亞胺 /鋁的 工藝開(kāi)發(fā)，以及 板的制造和研究聚酰亞胺薄膜。他目前正在攻讀碩士學(xué)位。