《地球物理測(cè)井》-整理解析
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1、?中國(guó)石油大學(xué)測(cè)井資料整理易考點(diǎn)整理 ?儲(chǔ)集層的基本參數(shù)(孔、滲、飽、有效厚度)、相關(guān)參數(shù)的定義 匚孔隙度甲:巖石內(nèi)孔隙體積占巖石總體積的百分比(%) (1)總孔隙度:總孔隙體積/巖石總體積(cpt) (2)有效孔隙度:有效孔隙體積/巖石總體積(cpe) (3)次生孔隙度:次生孔隙體積/巖石總體積(cp2) o 匚滲透率k:描述巖石允許流體通過(guò)能力的參數(shù), 單位:Mm2 (或達(dá)西D ),常用10-3 pm2 (毫達(dá)西mD) (1)絕對(duì)滲透率:只有一種流體時(shí)測(cè)得。測(cè)井上一般指絕對(duì)滲 透率; (2)有效滲透率(相滲透率):存在多種流體時(shí)對(duì)其中一種所 測(cè),一般用ko、kg、kw
2、表示; (3)相對(duì)滲透率:有效/絕對(duì),用kro、krg、krw表示。 匚飽和度S:儲(chǔ)層中某相流體體積占孔隙體積的百分比(%)。 含水飽和度Sw,含油氣飽和度Sh (So、Sg) (1)原狀地層:Sh=l-Sw (Sh=So+Sg) (2)沖洗帶:Shr=l-Sxo (殘余油氣Shr、含水Sxo) (3)可動(dòng)油氣:Shm=Sxo —Sw , Shm=Sh —Shr (4)束縛水 Swirr: Sw=Swm+Swirr 匚有效厚度he: (1)巖層厚度:巖層上、下界面間的距離。界面常以巖性、孔隙 度、滲透率等參數(shù)的變化為顯示特征; (2)有效厚度:目前經(jīng)濟(jì)技術(shù)條件下能產(chǎn)出工業(yè)
3、價(jià)值油氣的儲(chǔ)層 實(shí)際厚度。常由確認(rèn)的油氣層總厚度扣除無(wú)生產(chǎn)價(jià)值的夾層厚度 后得到。 □孔隙度、飽和度和有效厚度等還可用來(lái)計(jì)算地質(zhì)儲(chǔ)量; □孔隙度、滲透率合稱儲(chǔ)層物性; 0孔隙度與飽和度的乘積表示某相流體占巖石體積的百分比, 如cpSw表示巖石中水的相對(duì)體積。 ?儲(chǔ)集層分類(主要兩大類)、特點(diǎn)(巖性、物性、電性等) 1 .儲(chǔ)集層:(儲(chǔ)層、滲透層) □具有儲(chǔ)存油氣水的空間,同時(shí)這些空間又互相連通(流體可在 其中運(yùn)移)的巖層。 □兩大特點(diǎn):孔隙性、滲透性。 2 .儲(chǔ)集層分類及特點(diǎn) □碎屑巖儲(chǔ)集層:(40%儲(chǔ)量,也稱孔隙性儲(chǔ)集層) (1)巖石類型:砂巖為主,礫巖、粉砂巖、泥質(zhì)
4、砂巖等; (2)圍巖:一般為泥巖,性質(zhì)穩(wěn)定,常做為參考值; (3)特點(diǎn):粒間孔隙為主,孔隙度較大(10-30%),分布均勻,各種物性和 泥漿侵入等基本為各向同性;測(cè)井評(píng)價(jià)效果較好、技術(shù)較成熟。 □碳酸鹽巖儲(chǔ)集層:(50%儲(chǔ)量、60%產(chǎn)量,裂縫性儲(chǔ)集層) (1)巖石類型:滲透性石灰?guī)r、白云巖及其過(guò)渡巖性; (2)圍巖:致密的碳酸鹽巖; (3)特點(diǎn):儲(chǔ)層空間包括孔隙、裂縫、溶洞等,原生孔隙一般較 小且分布均勻,滲透率低;次生孔隙相對(duì)較大,形狀不規(guī)則、分 布不均勻,滲透性較高;測(cè)井評(píng)價(jià)難度大、效果較差。 □其它類型儲(chǔ)集層: 包括火山巖儲(chǔ)層、泥巖儲(chǔ)層、礫巖儲(chǔ)層等。 自然電位SP
5、?自然電動(dòng)勢(shì)產(chǎn)生的基本原理(電荷聚集方式、結(jié)果)、等效電路 產(chǎn)生自然電場(chǎng)的主要原因: □ 地層水溶液離子濃度與泥漿濾液的離子濃度不同,產(chǎn)生 離子擴(kuò)散; □ 巖石顆粒表面對(duì)離子有吸附作用; □ 泥漿濾液向地層中滲透作用。 1 .擴(kuò)散電動(dòng)勢(shì) ——純巖石中地層水與泥漿之間的直接擴(kuò)散砂巖孔隙中的地層水與井內(nèi)泥漿之 間,相當(dāng)于不同濃度的兩種NaCl溶液直接接觸。離子將從高濃度的巖層一方朝 著井內(nèi)直接擴(kuò)散。由于C1-的遷移率大于Na+,擴(kuò)散結(jié)果:低濃度的泥漿一方 出現(xiàn)過(guò)多的C1—,帶負(fù)電,高濃度的巖層一方,相對(duì)剩余Na+離子,帶正電。 從而產(chǎn)生了電位差——地層一方的電位高于泥漿 2 .擴(kuò)散吸
6、附電動(dòng)勢(shì) ——泥質(zhì)巖石中地層水與泥漿之間的擴(kuò)散擴(kuò)散的另一個(gè)渠道是地層水中的離子 泥質(zhì)隔膜或周圍的泥巖向低濃度的泥漿(井眼)一方進(jìn)行擴(kuò)散。(上頁(yè)圖)粘土 顆粒表面帶有較多的負(fù)電荷,在鹽溶液中吸附陽(yáng)離子形成吸附層和擴(kuò)散層。泥巖 中存在很厚的雙電層(內(nèi)負(fù)外正),能夠移動(dòng)的地層水在壓實(shí)過(guò)程中排出去了, 基本不存在雙電層以外的自由水一方的電位。 □泥質(zhì)巖石中,一方面仍存在正常的擴(kuò)散電動(dòng)勢(shì);另一方面,當(dāng)粘 土將同樣性質(zhì)的兩種不同濃度的溶液分開時(shí),在濃度大的一邊 (Cw),粘土顆粒表面的擴(kuò)散層中將有更多的陽(yáng)離子,這些陽(yáng)離 子通過(guò)與雙電層表面的陽(yáng)離子交換而向低濃度溶液一方移動(dòng),低 濃度溶液(Cm)
7、 一方的陽(yáng)離子將不斷增多而帶正電,另一方 (Cw)則帶負(fù)電,此電動(dòng)勢(shì)與擴(kuò)散電動(dòng)勢(shì)極性相反。這樣共同形 成擴(kuò)散吸附電動(dòng)勢(shì)。 □泥質(zhì)就象一種只許帶正點(diǎn)荷的Na+通過(guò),而不允許C1—通過(guò)的離子 選擇薄膜一樣,有時(shí)稱為選擇吸附作用。 3 .井內(nèi)總的自然電動(dòng)勢(shì) (1)井壁附近電荷分布 實(shí)際地層水和泥漿濾液中的主要鹽類常為NaCl,且地層水的礦化度比泥漿濾液 高(淡水泥漿)。因此,夾于泥巖中的砂巖層被充滿泥漿的井孔穿過(guò)時(shí),地層水與 泥 漿之間的擴(kuò)散結(jié)果是: □砂巖與泥漿直接接觸處產(chǎn)生擴(kuò)散電動(dòng)勢(shì),井孔一方為負(fù),巖層一方為正; □砂巖中地層水通過(guò)泥巖向井中擴(kuò)散,產(chǎn)生擴(kuò)散吸附電動(dòng)勢(shì),井孔一方
8、為正巖 層一方為負(fù)。 (2)井內(nèi)總自然電位(SSP) 0井內(nèi)自然電動(dòng)勢(shì)形成之后,與周圍的導(dǎo)電介質(zhì)就構(gòu)成了電流流動(dòng)的閉合回路。 在巖層中心的上下有兩個(gè)這樣的閉合回路,均由擴(kuò)散電動(dòng)勢(shì)Ed、擴(kuò)散吸附電動(dòng) 勢(shì)Eda以及井孔泥漿柱、砂巖和泥巖這幾部分的等效電阻rm、rt和rs組成。 公式及圖形參考課件 ?主要影響因素(礦化度、油氣、泥質(zhì)含量,等) 1 .影響靜自然電位SSP的因素 自然電位異常幅度值A(chǔ)Usp與總自然電位SSP成正比,而SSP就決定于地層的巖 性、泥漿和地層水的性質(zhì)、泥漿濾液電阻率Rmf與地層水電阻率Rw的比值 Rmf/Rw以及地層溫度等。因此這些因素都會(huì)直接影響自然電位的異常
9、幅度。 其中巖性和Rmf/Rw影響最大: □巖性:泥巖“基線”,砂巖“異常”等; □ Rmf/Rw(或Cw/Cmf):淡水泥漿時(shí)儲(chǔ)層顯示負(fù)異常,鹽水泥漿時(shí)顯示正異常。 2 .地層厚度、井徑的影響 □當(dāng)?shù)貙雍穸萮>4d時(shí),自然電位異常幅度近似等于靜自然電位;當(dāng)?shù)貙雍穸?h<4d時(shí),自然電位異常幅度小于靜自然電位,厚度越小,差別越大。 匚厚層可以用“半幅點(diǎn)”確定地層界面。半幅點(diǎn)即幅度之半 地層電阻率的影響 匚含油氣飽和度比較高的儲(chǔ)集層,其電阻率比它完全含水時(shí)rsd明顯升高,SP略 有下降。一般油氣層的SP略小于相鄰的水層。Rt/Rm增大,曲線幅度減小。 口圍巖電阻率Rs增大,則rs
10、h增大,使自然電位異常幅度減小。 4 .泥漿侵入帶的影響 匚在滲透性地層,泥漿濾液滲入到地層孔隙中,使泥漿濾液與地層水的接觸面向 地層方向移動(dòng)了一個(gè)距離。 匚侵入帶的存在,相當(dāng)于井徑擴(kuò)大,因而使自然電位異常幅度值降低。隨著泥漿 侵入的增大,自然電位異常幅度減小 5 .巖性剖面的影響 □自然電位是一種以泥巖為背景來(lái)顯示儲(chǔ)集層性質(zhì)的測(cè)井方法,SP大小不只與儲(chǔ) 集層性質(zhì)有關(guān),而且與相鄰泥巖的性質(zhì)有關(guān)。因此,這種方法只能用于儲(chǔ)集層與 泥巖交替出現(xiàn)的巖性剖面,最常見的是砂泥巖剖面。 匚這種測(cè)井方法不能用于巨厚的碳酸鹽巖剖面。因?yàn)檫@類剖面沒(méi)有或很少有泥 巖,裂縫較發(fā)育的儲(chǔ)集層以致密碳酸鹽巖為圍
11、巖,許多儲(chǔ)層要通過(guò)遠(yuǎn)處的泥巖才 能形成自然電流回路,因而在相鄰泥巖間形成巨厚的大片SP異常,不能用來(lái)劃 分和研究?jī)?chǔ)集層。 ?應(yīng)用(正、負(fù)異常劃分儲(chǔ)層,劃分油水層,求vsh、Rw等) 普通電阻率(電極系) 3.4 SP資料的主要應(yīng)用 >定性解釋(后面圖示) (1)劃分儲(chǔ)集層:厚層“半幅點(diǎn)”指示 (2)判斷油氣水層:水層SP幅度大于油層 (3)判斷巖性:主要區(qū)分砂巖和泥巖 (4)地層對(duì)比和研究沉積相:利用曲線形態(tài) ⑸指示地層水礦化度變化(包括水淹層等):曲線異常的變化 ? 估算泥質(zhì)含量 匕=1 _些_ = SSP-SP (相對(duì)值法) 助 SSP SSP ? 確定地層水電阻率
12、SSP = K = K - 1g— 「 R I 何 A>v ? 巖石骨架、泥質(zhì)等概念(聯(lián)系泥質(zhì)的三種存在形式及其對(duì)。的影響),聯(lián) 系到巖石體積物理模型 匚巖石骨架:組成沉積巖石的固體顆粒部分。更一般地,指巖石中除泥質(zhì)以外的 固體顆粒部分。 匚泥質(zhì):巖石中濕粘土和細(xì)粉砂的混合物。 匚巖石骨架幾乎不導(dǎo)電,沉積巖石的導(dǎo)電能力主要取決于地層水電阻率。 匚地層水性質(zhì)主要包括含鹽成分、礦化度、溫度等。 匚課本實(shí)例說(shuō)明了利用水樣分析資料確定地層水電阻率的方法:等效NaCI溶液礦 化度、溫度??>Rw ? 阿爾奇公式(公式、參數(shù)、含義、用途等) 5與稱為阿爾奇公式 0意義:將孔隙度測(cè)井
13、與電阻率測(cè)井聯(lián)系起來(lái),用于il算流體飽和度,是測(cè)井 定量解釋油水層的基礎(chǔ)。 □ 適用條件:純巖石(不含泥質(zhì))或含泥質(zhì)很少的巖石。 □ 用法:孔隙度測(cè)井+電阻率測(cè)井+阿爾奇公式,在水層(電阻率測(cè)井得出 R0)可求出Rw;在油層可求出其RO并進(jìn)而確定Sw。 □ 參數(shù)的意義:F、I的定義及其主要影響因素,各參數(shù)、資料的來(lái)源 ?電極系分類(底梯、頂梯、電位)、參數(shù)(深度記錄點(diǎn)、電極距、探測(cè)范 圍,等)、曲線特點(diǎn)(梯度特征位置,等) (3)電極系分類 通常供電和測(cè)量共4個(gè)電極,一個(gè)在地面,井下三個(gè)組成電極系。 “梯度:?jiǎn)坞姌O到相鄰成對(duì)電極的距離大于成對(duì)電極間的距離 〃電位:?jiǎn)坞姌O到相鄰
14、成對(duì)電極的距離小于成對(duì)電極間的距離 梯度電極系進(jìn)一步分為:底部(正裝)梯度、頂部(倒裝)梯度 突 電他密極暴 畀次電杈里 單依供電 雙聶供電 江極儀電 ES 閏裝 瀏裝 正裝 ftU S A 0 M N N M 心 ? M Ja n A 0, M A ? M 0 N M 0? M 1 A ■ M ( A 。一 , A / r AM AM AM 735 AO R0 KIO 一 單做供電正 冢 a筱供電網(wǎng) 我電位電做 系 華欣伏電正 裝皿晶) 樽支電校系 及蓑便電正
15、裝鵬輸 算工電曼系 雙收供電倒 律度電世戊 ?深度記錄點(diǎn): (圖示點(diǎn)O) ?電極距: 電位AM、梯度AO ?名稱:區(qū)分為3種 ?書寫:自上而下, 并標(biāo)明間距,如: A2.25M0.5N 理想電極系: 梯度:W->0 ,則 am = an = 7o AM AN 乂嬴 —2 1 6 17?直 Ka = 4^—— 二 47?”。?卜 十一二 47r 二4。 MN I “W | I I 電位:曲—力,則 iN/MN^t AUgf U” AL、 Al ? , AM^AN AU , —\u2 Ra = \7i 4=4)?.處/ MN 1 I 電極互換原理:
16、 保持電極系中各電極之間的相對(duì)位置不變,只改變其功能(供電或 演1量),則當(dāng)測(cè)量條件不變時(shí)所測(cè)曲線完全相同,稱為電極互換原理。 補(bǔ)充:理論計(jì)算一般用AMN;實(shí)際生產(chǎn)中小尺寸電極系用雙極供電, 大尺寸電極系用單極供電減小干擾o 曲線特點(diǎn): 梯度:非對(duì)稱,地層界面處出現(xiàn)極值(實(shí)測(cè)曲線中只有極大 值明顯,底部梯度的極大值對(duì)應(yīng)地層底界面);層的代表值在中 部平直段; 電位:對(duì)稱,層界面不明顯,中部極值(層的代表值)。 探測(cè)范 (按貢獻(xiàn)為50%定義的球體半徑): 梯度電極系:等于其電極距(AO),如M2.25A0.5B探測(cè) 半徑約為2.5m; 電位電極系:等于其電極距2倍(2AM),
17、如N2.25M0.5A 的探測(cè)半徑約為l.0m。 ?泥漿侵入(高侵、低侵及其應(yīng)用) ?微電極測(cè)井(Rmc、Rxo,應(yīng)用) (1)微電極(ML):主要依據(jù)是否存在泥漿侵入作用 □ 滲透層:有侵入,存在泥餅、沖洗帶等,<>(3?5)、, 口非滲透層:不存在泥餅和沖洗帶。 □ 測(cè)量曲線:微電位(&O)、微梯度(尺」 口微梯度: A0.025M10.025M2 探測(cè)深度4cm,反映『 □ 微電位:A0.05M2 探測(cè)深度10cm,反映. 3.微電極曲線的主要應(yīng)用 ?tfi 1SW 微電極最初設(shè)計(jì)用于確定 耳。,但受泥餅影響較大, 現(xiàn)基本不用來(lái)求取耳。。 主要用途:
18、 口劃分滲透層和巖性; 口確定層界面:曲線“分歧點(diǎn)”; 口扣除夾層,確定有效厚度等。 側(cè)向、感應(yīng)測(cè)井 ?側(cè)向測(cè)井基本原理、應(yīng)用(油水層劃分、Sw計(jì)算)、適用條件分析;各 種微聚焦電阻率Rxo測(cè)井方法 側(cè)向測(cè)井與感應(yīng)測(cè) 井是常規(guī)測(cè)量原狀地層 電阻率的主要方法,都 采用了聚焦工作方式。 側(cè)向測(cè)井提出的主要原因: 口井眼中低阻泥漿分流作用 顯著; □泥漿侵入造成單條曲線難 以準(zhǔn)確反映地層電阻率。 側(cè)向電阻率測(cè)井 電流聚焦示意圖 Unfocu sed Scli ? e aW 23 3?2 .%三例向測(cè)井的電流力市 田3 3法三他向趙井的電感分布 海三國(guó)!向中銀耳 玲r胸的電
19、的甚 圖37 三何冏電極天結(jié)峋 1.側(cè)向測(cè)井原理(三側(cè)向?yàn)槔? Ao:主電極(供主電流I。) A]、A2:屏蔽電極(供屏蔽電流L,與I。同極性) BP B2:回路電極; N:對(duì)比(參考)電極 (1)測(cè)井原理 >測(cè)井時(shí)保持I。不變,調(diào)整L,滿足UaomUaimU2平衡條件; j記錄主電極Ao與對(duì)比電極N之間的電位差△1;(即Uao); 》視電阻率表達(dá)式:Ra = K; (電極系系數(shù)K一般由實(shí)設(shè)室測(cè)得或理論計(jì)算得到) (2)測(cè)井曲線深:K33反映原狀地層J 淺: 反映侵入帶R (3)探測(cè)特性 ,縱向分辨率:主電流厚度(絕緣環(huán)中點(diǎn)。。2間距),約02m
20、方探測(cè)半徑:橫向探測(cè)深度,深QQl.0m,淺qa0.3 m %:主電極(供主電流I。) A]、4:屏蔽電極(供屏蔽電流Is,與I。同極性) "八M:、肛、M\ :監(jiān)督電極 BP B2:回路電極; N:對(duì)比(參考)電極,無(wú)窮遠(yuǎn)處 七側(cè)向測(cè)井儀器聚焦原理圖 (4)雙側(cè)向儀器測(cè)井原理 2.感應(yīng)測(cè)井原理(雙線 系為例) 雙側(cè)向特點(diǎn) “深、淺側(cè)向同儀器; ”深、淺側(cè)向同時(shí)測(cè)量; ,縱向分層能力相同; ,探測(cè)深度差別大; “擴(kuò)大了測(cè)量范圍。 探測(cè)特性 縱向分辨率:根據(jù)電極距(0]。2間距),約為0.6m 橫向探測(cè)深度:深rd"L15m,淺7%0.30?
21、0.35 m 感應(yīng)測(cè)井原理描述、各種幾何因子的物理意義、應(yīng)用(同側(cè)向)、適用條 件分析 方法的提出:非導(dǎo)電泥漿時(shí),直流測(cè)井不能用今交流電測(cè)井 測(cè)量物理參數(shù):電導(dǎo)率 (COND或o,標(biāo)準(zhǔn)單位:S/m) (1)原理描述: 振蕩器給發(fā)射線圈T 提供交流電I今在T周 介質(zhì)中產(chǎn)生交變電磁場(chǎng) (一次磁場(chǎng))①19中1在 地層中產(chǎn)生交變電流L (閉合電流,即渦流)今 L在地層中產(chǎn)生二次交變 磁場(chǎng)02今中2在接收線圈 R中產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)E有用 (與。有關(guān),供測(cè)量、記 錄)。 口均勻介質(zhì)中接收線圈中感應(yīng)信號(hào): %=一 a>2 nTnA STSRI 式中兩項(xiàng):前者與
22、地層性質(zhì)有關(guān),為有用信號(hào),測(cè)量記錄;后者是T、R 互感信號(hào),為無(wú)用信號(hào),測(cè)井時(shí)壓制。 0r 二上有用/ K儀(A儀= co2 ^nTnRSTSR 為線圈系常數(shù)) □非均勻介質(zhì)中測(cè)井視電導(dǎo)率: 稱為單元環(huán)微分幾何因子,初以編為單元 環(huán)幾何因子,滿足歸一化條件 ,cc , +co LLg"M = l (2)幾何因子理論: “單元環(huán):儀器周圍介質(zhì)劃分為以井軸為中心、深度和半徑不同 的、截面積很小的圓環(huán),可看成導(dǎo)電線圈。 》幾何因子理論(要點(diǎn)): ①線圈周圍介質(zhì)看成單元環(huán)(r、z、drdz)組成; ②渦流分別在其中流動(dòng); ③每個(gè)單元環(huán)獨(dú)立存在,在R中
23、產(chǎn)生有用信號(hào)dep ④總有用信號(hào)E有用= 2deR。 3 .側(cè)向測(cè)井與感應(yīng)測(cè)井對(duì)比 (1)適用條件 口側(cè)向測(cè)井:R^GmRm+GiRj + GtR+GR (電阻率串聯(lián)) 適用條件:鹽水泥漿(低侵)、高阻地層、高阻(碳酸鹽巖)剖面 口感應(yīng)測(cè)井:4 = Gn0m + GQi+GQt +Gg,(電阻率并聯(lián)) 適用條件:淡水泥漿(高侵)、中低阻地層、砂泥巖剖面 側(cè)向測(cè)井 井眼 Rm 地層模型 4 .資料應(yīng)用 ,劃分滲透層(感應(yīng)曲線“半幅點(diǎn)”); >提供原狀地層電阻率Rt (常需校正); -定性判斷油水層(高侵、低侵,下頁(yè)圖示); ,用于地層對(duì)比(感應(yīng)比側(cè)向效果好); ,參
24、與組合電阻率測(cè)井判斷可動(dòng)油氣(深、中、淺電阻率對(duì) 比,見后面2.4中的實(shí)例圖) 側(cè)向與感應(yīng)測(cè)井方法的選擇原則 口淡水泥漿井選用感應(yīng)好于側(cè)向:當(dāng)R1nl>3網(wǎng)時(shí),感應(yīng)測(cè)井較好; 尺“接近或小于J時(shí),優(yōu)先使用側(cè)向測(cè)井; 口高電阻率地層,側(cè)向測(cè)井效果好;中低阻地層,感應(yīng)測(cè)井好; □高阻碳酸鹽巖剖面或其它致密巖石剖面,選用側(cè)向測(cè)井;砂泥巖 剖面用感應(yīng)測(cè)井; 口考慮分層能力時(shí),側(cè)向好于感應(yīng); 口有時(shí)需耍兩者結(jié)合,同時(shí)使用。 聲波測(cè)井 ?滑行波的概念、產(chǎn)生條件、成為首波的措施 口滑行波:發(fā)射的聲波在井壁地層與井內(nèi)泥漿的分界面發(fā)生反、折射。 折射角為90。時(shí)沿界面在井壁地層中傳播的波稱
25、為滑行波。此時(shí)的 入射角稱為臨界角。 ,部分滑行波傳播時(shí)以臨界角折射回井內(nèi),由接收探頭測(cè)量,即 為聲速測(cè)井。 ,滑行波成為首波:在所有能接收到的波中最先到達(dá),便于區(qū)分 測(cè)量。措施:大于臨界源距;“隔聲體”設(shè)計(jì)等。 滑行波產(chǎn)生條件: > v2>vr >臨界角入射 ?聲速(時(shí)差)測(cè)井原理:?jiǎn)伟l(fā)雙收、雙發(fā)雙收補(bǔ)償原理(聯(lián)系到密度、中子 的補(bǔ)償) 2 .單發(fā)雙收聲速測(cè)井 ,通過(guò)測(cè)量到達(dá)接收探頭的時(shí)間差 反映地層速度; >聲系:一個(gè)發(fā)射探頭,兩個(gè)接收 探頭; ,聲波時(shí)差:聲波傳播單位距離所 用的時(shí)間。單位:s/m,常用 Us/m或us/ft o “通過(guò)測(cè)量滑行波到達(dá)兩個(gè)接收探 頭的
26、時(shí)間差,換算為聲波時(shí)差, 沿井剖面連續(xù)測(cè)量,記錄聲波時(shí) 差曲線,常用AC或At表示。 聲波時(shí)差測(cè)井原理 示意圖 (Schlumberger) 探測(cè)特性: □探測(cè)深度:與源距、 地層速度等因素有 關(guān)。常規(guī)約為 0.2?0.3m,基本 在沖洗帶范圍; □縱向分辨率:即間 距 I (如0.5m) o “NEAR RkCLIVIR SIGNALS 3Q Ak I Rmu” MR8IVALS COMkRFSSlOMai 4MIV4S MUD A9CIVAI $ 5rONCU t ARRIVALS LK.I. Kf 7 A A .ccbciiuViCof fhe 5o
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