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可編程只讀存儲器

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1、本文格式為Word版,下載可任意編輯 可編程只讀存儲器   1.一次編程型只讀存儲器(PROM)       我們已經(jīng)知道ROM是一個(gè)“與”、“或”、規(guī)律陣列結(jié)構(gòu),當(dāng)ROM制造完畢,用戶不能轉(zhuǎn)變其已經(jīng)存儲的內(nèi)容。而PROM則不同,制造這種器件時(shí),使存儲陣列(“或”陣列)的全部存儲單元的內(nèi)容全為1(或0),用戶依據(jù)自己的需要可以對全部的存儲單元進(jìn)行一次性改寫。   圖1是熔斷絲結(jié)構(gòu)的PROM基本存儲單元示意圖。出廠時(shí)全部的基本存儲單元為1,即存儲陣列中的熔絲都是通的。若用戶通過大電流將當(dāng)熔絲燒斷,則該基本存儲單元改寫成為0。PROM的熔絲燒斷不能再接上,因而只能編程一次,故稱為一次編程型

2、只讀存儲器。     圖1 熔斷絲構(gòu)成的   PROM基本存儲單元圖2 PROM的陣列圖  為了表明PLD存儲內(nèi)容狀況,經(jīng)常用陣列圖表示。圖2所示的是PROM陣列圖。它由一個(gè)固定的“與”陣列(地址譯碼器)和一個(gè)可編程的“或”陣列(存儲陣列)構(gòu)成。同ROM相比,二者差別在于“或”陣列是否能用戶編程。圖中黑點(diǎn)表示固定連接,叉點(diǎn)表示編程點(diǎn)。為了表示的便利,經(jīng)常把PROM不行編程的“或”陣列(地址譯碼器)表示成象ROM那樣,用一方框示出。圖3 用PROM構(gòu)成階梯波發(fā)生器圖4 階梯波   圖5 PROM編程陣列圖同ROM一樣,利用PROM可以實(shí)現(xiàn)任何組合規(guī)律函數(shù)。二者區(qū)分在于前者由制造器件時(shí)確定,后

3、者可以由用戶一次性編程確定。PROM廣泛應(yīng)用于波形轉(zhuǎn)換、字符集組建等。如圖3,利用PROM構(gòu)成的階梯波信號發(fā)生器,輸出電壓vO的波形由PROM存儲內(nèi)容打算。PROM的四個(gè)輸出端掌握反相比例運(yùn)算的運(yùn)放輸入端的四個(gè)電子開關(guān)(實(shí)際中可可由D/A轉(zhuǎn)換器實(shí)現(xiàn),見第11章)。當(dāng)D=1時(shí),開關(guān)接基準(zhǔn)電壓-VR;當(dāng)D=0時(shí),開關(guān)接“地”。若要產(chǎn)生如圖4所示的周期階梯波信號,則PROM的編程表如下表所示。PROM的編程陣列圖如圖6所示。                                    圖6中PROM包含了一個(gè)4/16線固定的“與”陣列地址譯碼器及一個(gè)16字×4位的可編程“或”存儲陣列。

4、   2.可改寫型只讀存儲器(EPROM) 圖7 EPROM2716管腳排列及功能說明   PROM只能一次編程,而可改寫型只讀存儲器可多次擦除并重新寫入新內(nèi)容。最為典型的是紫外線擦除,在EPROM器件外殼上有透亮?????的石英窗口,用紫外線(或X射線)照耀,來完成擦除操作。   EPROM2716是一種常見的容量為2K(2048×8Bit)的可改寫型只讀存儲器。圖7是其外引線排列和功能說明。編程時(shí),VPP接25V電源,片選信號端 接高電平,在編程掌握端PD/PGM加脈寬為50ms的正脈沖。工作使用中,VPP與VCC一起接5V電源,PD/PGM與 連接一起作為片選信號,當(dāng)消失低電平0時(shí)

5、便選中該片,可從該片讀取數(shù)據(jù)。   在實(shí)際設(shè)計(jì)的工業(yè)掌握機(jī)等應(yīng)用中,經(jīng)常是RAM和EPROM(往往固化系統(tǒng)程序)一起使用,完成信息處理任務(wù)。如圖8,采納1片EPROM2716和3片RAM6116將字?jǐn)?shù)擴(kuò)展8K存儲器的接線圖,圖中4個(gè)芯片由2/4線譯碼器低電平有效輸出端選擇,各芯片所占據(jù)的地址范圍和對應(yīng)單元號見表2。 端、I/O(數(shù)據(jù))端、A10~A0地址輸入端都對應(yīng)并聯(lián)在一起。 圖8 由1片EPROM2716和4片RAM6116組成的64K存儲器                  表2 各芯片所占據(jù)的地址范圍和對應(yīng)單元號       3.電擦除型只讀存儲器(EEPROM)   EEPROM是在EPROM基礎(chǔ)上進(jìn)展而來的一種可以實(shí)現(xiàn)快速擦除只讀存儲器。它克服了EPROM對比射時(shí)間和照s度的技術(shù)要求及擦除的速度也比較慢的缺陷,所以這種擦除方式操作起來非常便利。EEPROM的內(nèi)部“與”陣列和“或”陣列和EPROM相像,只是寫入方式不同。 第 2 頁 共 2 頁

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