《高考化學(xué)二輪復(fù)習(xí)考點(diǎn)專(zhuān)項(xiàng)突破練習(xí)： 專(zhuān)題十一 物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì) 1含解析》由會(huì)員分享，可在線(xiàn)閱讀，更多相關(guān)《高考化學(xué)二輪復(fù)習(xí)考點(diǎn)專(zhuān)項(xiàng)突破練習(xí)： 專(zhuān)題十一 物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì) 1含解析（5頁(yè)珍藏版）》請(qǐng)?jiān)谘b配圖網(wǎng)上搜索。

1、 2020屆高考化學(xué)二輪復(fù)習(xí)考點(diǎn)專(zhuān)項(xiàng)突破練習(xí) 專(zhuān)題十一 物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)（1） 1、已知A、B、C、D、E都是周期表中前四周期的元素,它們的核電荷數(shù)依次增大。其中A原子核外有三個(gè)未成對(duì)電子;A與B可形成離子化合物B3A2;C元素是地殼中含量最高的金屬元素;D原子核外的M層中有兩對(duì)成對(duì)電子;E原子核外最外層只有1個(gè)電子,其余各層電子均充滿(mǎn)。請(qǐng)根據(jù)以上信息,回答下列問(wèn)題(答題時(shí),A、B、C、D、E用所對(duì)應(yīng)的元素符號(hào)表示): 1.B的軌道排布式是????????? ,A、B、C、D的第一電離能由小到大的順序?yàn)???????????????? 。 2.B的氯化物的熔點(diǎn)遠(yuǎn)高于C的氯化物的熔點(diǎn)

2、,理由是??????????????。 3.A的最高價(jià)含氧酸根離子中,其中心原子采取?? 雜化,D的低價(jià)氧化物分子的空間構(gòu)型是?????? 。 4.A、E形成某種化合物的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,則其化學(xué)式為?????;(每個(gè)球均表示1個(gè)原子) 若相鄰A原子和E原子間的距離為a nm,阿伏伽德羅常數(shù)為NA,則該晶體的密度為_(kāi)______g/cm3(用含a、NA的符號(hào)表示)。 2、鈷及其化合物在生產(chǎn)中有重要作用，回答下列問(wèn)題 (1)鈷元素基態(tài)原子的電子排布式為_(kāi)_______________，未成對(duì)電子數(shù)為_(kāi)_______________。 (2)配合物[Co(NH3)4(H2O)2]

3、Cl3鈷重要化合物 ①H2O的沸點(diǎn)___ (填“高于”或“低于”)H2S,原因是_______；H2O中O的雜化形式為_(kāi)____。H2O是_____分子(填“極性”或“非極性”)。 ②[Co(NH3)4(H2O)2]Cl3中的Co3+配位數(shù)為_(kāi)__。陽(yáng)離子的立體構(gòu)型是___________。[Co(NH3)4(H2O)2]Cl3若其中有兩個(gè)NH3分子被Cl取代，所形成的[Co(NH3)2(H2O)2] 3+的幾何異構(gòu)體種數(shù)有(不考慮光學(xué)異構(gòu))___________種。 (3)一氧化鈷的晶胞如圖，則在每個(gè)Co2+的周?chē)c它最接近的且距離相等的Co2+共有_____個(gè)，若晶體中Co2+與O2

4、-的最小距離為acm，則CoO的晶體密度為_(kāi)______(用含NA和a的代數(shù)式表示。結(jié)果g/cm3,已知:M(Co)=59g/mol；M(O)=16g/mol，設(shè)阿伏加德羅常數(shù)為NA)。 3、[化學(xué)—選修3：物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)] 第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件，通常稱(chēng)為高溫半導(dǎo)體材料。回答下列問(wèn)題： （1）基態(tài)Ga原子價(jià)層電子的軌道表達(dá)式為_(kāi)________，第一電離能介于N和B之間的第二周期元素有____種。 （2）HCN分子中σ鍵與π鍵的數(shù)目之比為_(kāi)_____，其中σ鍵的對(duì)稱(chēng)方式為_(kāi)________。與CN—互為等電子體的分子為_(kāi)_____

5、__。 （3）NaN3是汽車(chē)安全氣囊中的主要化學(xué)成分，其中陰離子中心原子的雜化軌道類(lèi)型為_(kāi)________。NF3的空間構(gòu)型為_(kāi)___________。 （4）GaN、GaP、GaAs都是很好的半導(dǎo)體材料，晶體類(lèi)型與晶體硅類(lèi)似，熔點(diǎn)如下表所示，分析其變化原因__________________________________。 GaN GaP GaAs 熔點(diǎn) 1700℃ 1480℃ 1238℃ （5）GaN晶胞結(jié)構(gòu)如下圖所示：晶胞中Ga原子采用六方最密堆積方式，每個(gè)Ga原子周?chē)嚯x最近的Ga原子數(shù)目為_(kāi)_______。 4、三氟化氮（NF3）是一種無(wú)色、無(wú)味、無(wú)毒

6、且不可燃的氣體，在半導(dǎo)體加工、太陽(yáng)能電池制造和液晶顯示器制造中得到廣泛應(yīng)用。它可在銅的催化作用下由F2和過(guò)量的NH3反應(yīng)得到，該反應(yīng)另一種產(chǎn)物為鹽。 （1）該反應(yīng)的化學(xué)方程式為_(kāi)__________________，生成物NF3中氮原子的雜化方式為_(kāi)_________； （2）N、F兩種元素的氫化物穩(wěn)定性比較，NH3_________HF（選填“>”或“<”）； （3）被稱(chēng)為類(lèi)鹵離子，寫(xiě)出2種與互為等電子體的分子的化學(xué)式_____________，____________； （4）元素A基態(tài)原子的核外電子排布式為1s22s22p63s23p64s2，A跟氟可形成離子化合物，其晶胞結(jié)構(gòu)如

7、圖，密度為a g·cm-3，則晶胞的體積是______________cm3（只要求列出計(jì)算式，阿伏加德羅常數(shù)用NA表示）。 （5）元素B的原子序數(shù)為29，則B2+的電子排布式為_(kāi)__________，向B元素的硫酸鹽溶液中通入NH3至過(guò)量，觀察到的現(xiàn)象是__________________。 5、以鐵礦石(Fe2O3)為起始物，經(jīng)過(guò)一系列反應(yīng)可以得到Fe3[Fe(CN)6]2和Fe(SCN)3，請(qǐng)回答下列問(wèn)題： 1.Fe3+的核外電子排布式為 ，O原子的價(jià)電子軌道表示式為 _。 2.KSCN是檢驗(yàn)Fe3+的試劑之一，與SCN－互為等電子體的一種分子和

8、一種離子為 。 3.K3[Fe(CN)6]晶體中Fe3+與CN?之間的鍵型_ _，該化學(xué)鍵能夠形成的原因是 _。 4.K3[Fe(CN)5NO]的組成元素中，屬于第2周期的元素的第一電離能由小到大的順序是 ，配合物中原子序數(shù)最小的元素與氫元素形成的相對(duì)分子質(zhì)量為92的芳香化合物中，中心原子的雜化軌道類(lèi)型是 。 5.把氯氣通入黃血鹽(K4[Fe(CN)6])溶液中，得到赤血鹽(K3[Fe(CN)6])，寫(xiě)出該變化的化學(xué)方程式 。 6.FeO晶胞結(jié)

9、構(gòu)如圖所示，F(xiàn)eO晶體中Fe2+配位數(shù)為_(kāi)___，若該晶胞邊長(zhǎng)為a cm，則該晶體密度為 g·cm?3(阿伏伽德羅常數(shù)的值為NA)。 答案以及解析 1答案及解析： 答案：1. ;Al

10、（3）12； 解析： 3答案及解析： 答案：（1）;3;（2）1:1;軸對(duì)稱(chēng);CO; （3）sp;三角錐形; （4）原子半徑NGa-As,故熔點(diǎn)降低;（5）12 解析： 4答案及解析： 答案：（1）3F2+4NH3 = NF3+3NH4F; sp3雜化 （2）＜ （3）N2O; CO2 （4） （5）1s22s22p63s23p63d9; 首先形成藍(lán)色沉淀，繼續(xù)滴加氨水，沉淀溶解，得到深藍(lán)色透明溶液 解析： 5答案及解析： 答案：1.1s22s22p63s23p63d5； 2.CO2、N2O、CS2、COS；OCN- ； 3.配位鍵；CN?能提供孤對(duì)電子，F(xiàn)e3+能接受孤對(duì)電子(或Fe3+有空軌道) 4.C＜O＜N；sp2、sp3雜化 5.2K4[Fe(CN)6]+Cl2=2K3[Fe(CN)6]+2KCl 6.6； 解析：