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2020高考物理一輪總復(fù)習(xí) 第九章 磁場 能力課1 帶電粒子在組合場中的運(yùn)動(dòng)練習(xí)(含解析)新人教版

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1、能力課1 帶電粒子在組合場中的運(yùn)動(dòng) 一、選擇題 1.(2016年全國卷Ⅰ)現(xiàn)代質(zhì)譜儀可用來分析比質(zhì)子重很多倍的離子,其示意圖如圖所示,其中加速電壓恒定.質(zhì)子在入口處從靜止開始被加速電場加速,經(jīng)勻強(qiáng)磁場偏轉(zhuǎn)后從出口離開磁場.若某種一價(jià)正離子在入口處從靜止開始被同一加速電場加速,為使它經(jīng)勻強(qiáng)磁場偏轉(zhuǎn)后仍從同一出口離開磁場,需將磁感應(yīng)強(qiáng)度增加到原來的12倍.此離子和質(zhì)子的質(zhì)量比約為(  ) A.11 B.12 C.121 D.144 解析:選D 設(shè)質(zhì)子的質(zhì)量和電荷量分別為m1、q1,一價(jià)正離子的質(zhì)量和電荷量為m2、q2.對于任意粒子,在加速電場中,由動(dòng)能定理得qU=mv2-0

2、,得v=① 在磁場中qvB=m② 由①②式聯(lián)立得m=,由題意知,兩種粒子在磁場中做勻速圓周運(yùn)動(dòng)的半徑相同,加速電壓U不變,其中B2=12B1,q1=q2,可得==144,故選項(xiàng)D正確. 2.(多選)(2019屆揚(yáng)州期末)回旋加速器工作原理示意圖如圖所示,磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場與盒面垂直,兩盒間的狹縫很小,粒子穿過的時(shí)間可忽略,它們接在電壓為U、頻率為f的交流電源上,若A處粒子源產(chǎn)生的質(zhì)子在加速器中被加速,下列說法正確的是(  ) A.若只增大交流電壓U,則質(zhì)子獲得的最大動(dòng)能增大 B.若只增大交流電壓U,則質(zhì)子在回旋加速器中運(yùn)行時(shí)間會變短 C.若磁感應(yīng)強(qiáng)度B增大,交流電頻率f必

3、須適當(dāng)增大才能正常工作 D.不改變磁感應(yīng)強(qiáng)度B和交流電頻率f,該回旋加速器也能用于加速α粒子 解析:選BC 當(dāng)粒子從D形盒中出來時(shí)速度最大,根據(jù)qvmB=m,得vm=,那么質(zhì)子獲得的最大動(dòng)能Ekm=,則最大動(dòng)能與交流電壓U無關(guān),故A錯(cuò)誤;根據(jù)T=,若只增大交變電壓U,不會改變質(zhì)子在回旋加速器中運(yùn)行的周期,但加速次數(shù)減少,則運(yùn)行時(shí)間也會變短,故B正確;根據(jù)T=,若磁感應(yīng)強(qiáng)度B增大,那么T會減小,只有當(dāng)交流電頻率f適當(dāng)增大才能正常工作,故C正確;帶電粒子在磁場中運(yùn)動(dòng)的周期與加速電場的周期相等,根據(jù)T=知,換用α粒子,粒子的比荷變化,周期變化,回旋加速器需改變交流電的頻率才能加速α粒子,故D錯(cuò)誤

4、.故選BC. 3.(多選)在半導(dǎo)體離子注入工藝中,初速度可忽略的磷離子P+和P3+,經(jīng)電壓為U的電場加速后,垂直進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B、方向垂直紙面向里、有一定寬度的勻強(qiáng)磁場區(qū)域,如圖所示.已知離子P+在磁場中轉(zhuǎn)過θ=30°后從磁場右邊界射出.在電場和磁場中運(yùn)動(dòng)時(shí),離子P+和P3+(  ) A.在電場中的加速度之比為1∶1 B.在磁場中運(yùn)動(dòng)的半徑之比為 ∶1 C.在磁場中轉(zhuǎn)過的角度之比為1∶2 D.離開電場區(qū)域時(shí)的動(dòng)能之比為1∶3 解析:選BCD 離子P+和P3+質(zhì)量之比為1∶1,電荷量之比等于1∶3,故在電場中的加速度(a=qE/m)之比等于1∶3,則A項(xiàng)錯(cuò)誤;離子在離開電場

5、區(qū)域時(shí)有qU=mv2,在磁場中做勻速圓周運(yùn)動(dòng),有qvB=m,得半徑r== ,則半徑之比為1∶=∶1,則B項(xiàng)正確;設(shè)磁場寬度為d,由幾何關(guān)系d=rsinα,可知離子在磁場中轉(zhuǎn)過的角度正弦值之比等于半徑倒數(shù)之比,即1∶,因θ=30°,則θ′=60°,故轉(zhuǎn)過的角度之比為1∶2,則C項(xiàng)正確;離子離開電場區(qū)域時(shí)有qU=Ek,離子離開電場時(shí)的動(dòng)能之比等于電荷量之比,即1∶3,則D項(xiàng)正確. 4.(多選)(2018屆廣西三市聯(lián)考)在第二象限內(nèi)有水平向右的勻強(qiáng)電場,在第一、第四象限內(nèi)分別存在如圖所示的勻強(qiáng)磁場,磁感應(yīng)強(qiáng)度大小相等.在該平面有一個(gè)質(zhì)量為m、電荷量為q的帶正電粒子以垂直x軸的初速度v0從x軸上的P

6、點(diǎn)進(jìn)入勻強(qiáng)電場,恰好與y軸成45°角射出電場,再經(jīng)過一段時(shí)間恰好垂直于x軸進(jìn)入下面的磁場,已知OP之間的距離為d,不計(jì)粒子的重力,則(  ) A.磁感應(yīng)強(qiáng)度B= B.電場強(qiáng)度E= C.粒子自進(jìn)入磁場至在磁場中第二次經(jīng)過x軸所用時(shí)間為 D.粒子自進(jìn)入磁場至在磁場中第二次經(jīng)過x軸所用時(shí)間為 解析:選BD 根據(jù)題述情境,畫出帶電粒子在勻強(qiáng)電場中的運(yùn)動(dòng)軌跡和在勻強(qiáng)磁場中的運(yùn)動(dòng)軌跡,如圖所示.帶電粒子在勻強(qiáng)電場中做類平拋運(yùn)動(dòng),豎直方向有y0=v0t,水平方向有d=at2,又qE=ma,tan45°=,聯(lián)立解得E=,y=2d,選項(xiàng)B正確;帶電粒子進(jìn)入勻強(qiáng)磁場時(shí)的速度v=v0,由圖中幾何關(guān)系可

7、得,帶電粒子在勻強(qiáng)磁場中運(yùn)動(dòng)的軌跡半徑R=2d,由洛倫茲力提供向心力可得,qvB=m,聯(lián)立解得B=,選項(xiàng)A錯(cuò)誤;帶電粒子在第一象限內(nèi)的運(yùn)動(dòng)時(shí)間t1==,在第四象限內(nèi)的運(yùn)動(dòng)時(shí)間t2==,帶電粒子自進(jìn)入磁場至在磁場中第二次經(jīng)過x軸所用時(shí)間為t總=t1+t2=,選項(xiàng)D正確,C錯(cuò)誤. 5.(多選)某一空間存在著磁感應(yīng)強(qiáng)度為B且大小不變、方向隨時(shí)間t做周期性變化的勻強(qiáng)磁場(如圖甲所示),規(guī)定垂直紙面向里的磁場方向?yàn)檎疄槭轨o止于該磁場中的帶正電的粒子能按a→b→c→d→e→f的順序做橫“∞”字曲線運(yùn)動(dòng)(即如圖乙所示的軌跡),下列辦法可行的是(粒子只受磁場力的作用,其他力不計(jì))(  ) A.若

8、粒子的初始位置在a處,在t=T時(shí)給粒子一個(gè)沿切線方向水平向右的初速度 B.若粒子的初始位置在f處,在t=時(shí)給粒子一個(gè)沿切線方向豎直向下的初速度 C.若粒子的初始位置在e處,在t=T時(shí)給粒子一個(gè)沿切線方向水平向左的初速度 D.若粒子的初始位置在b處,在t=時(shí)給粒子一個(gè)沿切線方向豎直向上的初速度 解析:選AD 要使粒子的運(yùn)動(dòng)軌跡如題圖乙所示,由左手定則知粒子做圓周運(yùn)動(dòng)的周期應(yīng)為T0=,若粒子的初始位置在a處時(shí),對應(yīng)時(shí)刻應(yīng)為t=T0=T,同理可判斷B、C、D選項(xiàng),可得A、D正確. 二、非選擇題 6.(2018屆成都外國語學(xué)校模擬)如圖所示,在xOy坐標(biāo)系的0≤y≤d的區(qū)域內(nèi)分布著沿y軸正

9、方向的勻強(qiáng)電場,在d≤y≤2d的區(qū)域內(nèi)分布著垂直于xOy平面向里的勻強(qiáng)磁場,MN為電場和磁場的交界面,ab為磁場的上邊界.現(xiàn)從原點(diǎn)O處沿x軸正方向發(fā)射出速率為v0、比荷(電荷量與質(zhì)量之比)為k的帶正電粒子,粒子運(yùn)動(dòng)軌跡恰與ab相切并返回磁場.已知電場強(qiáng)度E=,不計(jì)粒子重力和粒子間的相互作用.試求: (1)粒子第一次穿過MN時(shí)的速度大小和水平位移的大?。? (2)磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大?。? 解析:(1)根據(jù)動(dòng)能定理, 得qEd=mv2-mv02, 解得v=2v0 粒子在電場中做類平拋運(yùn)動(dòng), 有F=qE,a=,d=at12,x=v0t1 解得t1=,x=. (2)粒子運(yùn)動(dòng)的軌跡

10、如圖所示,設(shè)粒子以與x軸正方向成θ角進(jìn)入磁場 tanθ==,解得θ=60° 根據(jù)R+Rcosθ=d,得R= 由牛頓第二定律可得qvB=m, 解得B=. 答案:(1)2v0  (2) 7.空間中有一直角坐標(biāo)系,其第一象限在圓心為O1、半徑為R、邊界與x軸和y軸相切的圓形區(qū)域內(nèi),有垂直于紙面向里的勻強(qiáng)磁場(圖中未畫出),磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B;第二象限中存在方向豎直向下的勻強(qiáng)電場.現(xiàn)有一群質(zhì)量為m、電荷量為q的帶正電的粒子從圓形區(qū)域邊界與x軸的切點(diǎn)A處沿紙面上的不同方向射入磁場中,如圖所示.已知粒子在磁場中做勻速圓周運(yùn)動(dòng)的半徑均為R,其中沿AO1方向射入的粒子恰好到達(dá)x軸上與O點(diǎn)距離為

11、2R的N點(diǎn),不計(jì)粒子的重力和它們之間的相互作用力,求: (1)粒子射入磁場時(shí)的速度大小及電場強(qiáng)度的大?。? (2)速度方向與AO1夾角為60°(斜向右上方)的粒子到達(dá)y軸所用的時(shí)間. 解析:(1)設(shè)粒子射入磁場時(shí)的速度大小為v,因在磁場中做勻速圓周運(yùn)動(dòng)的半徑為R,由牛頓第二定律得qvB=m,得v= 如圖甲所示,因粒子的軌跡半徑是R,故沿AO1方向射入的粒子一定從與圓心等高的D點(diǎn)沿x軸負(fù)方向射入電場,則粒子在電場中從D點(diǎn)到N點(diǎn)做類平拋運(yùn)動(dòng),有2R=vt, 又因?yàn)镽=··t2 解得E=. (2)軌跡如圖乙所示,軌跡圓心為C,從M點(diǎn)射出磁場,連接O1M,四邊形O1MCA是菱形,故

12、CM垂直于x軸,速度方向偏轉(zhuǎn)角度等于圓心角θ=150°,粒子在磁場中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間為t2=T= 粒子離開磁場到y(tǒng)軸的距離MH=, 在無場區(qū)運(yùn)動(dòng)的時(shí)間t2== 故粒子到達(dá)y軸的時(shí)間為 t=t1+t2=. 答案:(1)  (2) 8.(2018屆秦皇島高三聯(lián)考)如圖所示,靜止于A處的正離子,經(jīng)電壓為U的加速電場加速后沿圖中圓弧虛線通過靜電分析器,從P點(diǎn)垂直CN進(jìn)入矩形區(qū)域的有界勻強(qiáng)電場,電場方向水平向左.靜電分析器通道內(nèi)有均勻輻向分布的電場,已知圓弧所在處場強(qiáng)為E0,方向如圖所示;離子質(zhì)量為m、電荷量為q;=2d、=3d,離子重力不計(jì). (1)求圓弧虛線對應(yīng)的半徑R的大??; (

13、2)若離子恰好能打在NQ的中點(diǎn)上,求矩形區(qū)域QNCD內(nèi)勻強(qiáng)電場場強(qiáng)E的值; (3)若撤去矩形區(qū)域QNCD的勻強(qiáng)電場,換為垂直紙面向里的磁場,要求離子能最終打在QN上,求磁場磁感應(yīng)強(qiáng)度B的取值范圍. 解析:(1)離子在加速電場中加速,根據(jù)動(dòng)能定理,有qU=mv2,離子在輻向電場中做勻速圓周運(yùn)動(dòng),電場力提供向心力,根據(jù)牛頓第二定律,有qE0=m,解得R=. (2)離子做類平拋運(yùn)動(dòng) d=vt 3d=at2 由牛頓第二定律得qE=ma,則E=. (3)離子在勻強(qiáng)磁場中做勻速圓周運(yùn)動(dòng),洛倫茲力提供向心力,根據(jù)牛頓第二定律,有 qBv=m 則r= 離子能打在QN上則既沒有從DQ邊出去也

14、沒有從PN邊上出去,則離子運(yùn)動(dòng)徑跡的邊界如圖Ⅰ和Ⅱ,由幾何關(guān)系知,離子能打在QN上,必須滿足:d<r≤2d 則有 ≤B< . 答案:(1) (2) (3) ≤B< |學(xué)霸作業(yè)|——自選 一、選擇題 1.(多選)(2019屆廣州畢業(yè)班綜合測試)如圖,正方形abcd中△abd區(qū)域內(nèi)存在方向垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場,△bcd區(qū)域內(nèi)有方向平行于bc的勻強(qiáng)電場(圖中未畫出).一帶電粒子從d點(diǎn)沿da方向射入磁場,隨后經(jīng)過bd的中點(diǎn)e進(jìn)入電場,接著從b點(diǎn)射出電場.不計(jì)粒子的重力,則(  ) A.粒子帶負(fù)電 B.電場的方向是由b指向c C.粒子在b點(diǎn)和d點(diǎn)的動(dòng)能相等 D.粒子在磁場、

15、電場中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間之比為π∶2 解析:選ABD 根據(jù)題述,帶電粒子從d點(diǎn)沿da方向射入磁場,隨后經(jīng)過bd的中點(diǎn)e進(jìn)入電場,由左手定則可判斷出粒子帶負(fù)電,選項(xiàng)A正確;根據(jù)粒子經(jīng)過bd的中點(diǎn)e進(jìn)入電場,接著從b點(diǎn)射出電場,可知粒子所受電場力的方向?yàn)橛蒫指向b,電場的方向是由b指向c,選項(xiàng)B正確;帶電粒子在勻強(qiáng)磁場中運(yùn)動(dòng),洛倫茲力不做功,在勻強(qiáng)電場中運(yùn)動(dòng),電場力做正功,根據(jù)動(dòng)能定理,粒子在b點(diǎn)的動(dòng)能大于在d點(diǎn)的動(dòng)能,選項(xiàng)C錯(cuò)誤;畫出帶電粒子在勻強(qiáng)磁場和勻強(qiáng)電場中的運(yùn)動(dòng)軌跡如圖所示.設(shè)正方形abcd的邊長為L,則帶電粒子在磁場中運(yùn)動(dòng)的軌跡半徑R=,設(shè)粒子在勻強(qiáng)磁場中運(yùn)動(dòng)的速度為v,粒子在勻強(qiáng)磁場中運(yùn)動(dòng)

16、的軌跡所對的圓心角為θ=,在勻強(qiáng)磁場中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間t1==;粒子在勻強(qiáng)電場中的運(yùn)動(dòng)可分解為沿垂直電場方向的勻速直線運(yùn)動(dòng)和沿電場方向的初速度為零的勻加速直線運(yùn)動(dòng),由=vt2,解得在勻強(qiáng)電場中運(yùn)動(dòng)時(shí)間t2=,粒子在磁場、電場中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間之比為t1∶t2=∶=π∶2,選項(xiàng)D正確. 2.(多選)(2018屆河南開封一模)如圖所示,靜止的帶電粒子所帶電荷量為+q,質(zhì)量為m(不計(jì)重力),從P點(diǎn)經(jīng)電場加速后,通過小孔Q進(jìn)入N板右側(cè)的勻強(qiáng)磁場區(qū)域,磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B,方向垂直于紙面向外.CD為磁場邊界上的一絕緣板,它與N板的夾角為θ=30°,小孔Q到絕緣板的下端C的距離為L,當(dāng)滑動(dòng)觸頭移動(dòng)到B端時(shí),粒子恰

17、垂直打在CD板上,則(  ) A.兩板間電壓的最大值Umax= B.CD板上可能被粒子打中區(qū)域的長度為L C.粒子在磁場中運(yùn)動(dòng)的最長時(shí)間為 D.能打到N板上的粒子的最大動(dòng)能為 解析:選BD 滑動(dòng)觸頭移到B端時(shí),兩板間電壓最大,粒子垂直打在CD板上,所以粒子的軌跡半徑為L=,粒子在電場中運(yùn)動(dòng)時(shí),qUmax=mv2,解兩式得Umax=,A項(xiàng)錯(cuò)誤;粒子垂直打在CD板上的位置離C點(diǎn)最遠(yuǎn),距離為L,當(dāng)粒子運(yùn)動(dòng)軌跡恰好與CD相切時(shí),切點(diǎn)位置離C點(diǎn)最近,如圖所示,由幾何條件有sin30°=,故R=,KC=L,所以CD板上被粒子打中的區(qū)域的長度為L,B項(xiàng)正確;打在QE間的粒子在磁場中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間最

18、長,均為半周期,t=,C項(xiàng)錯(cuò)誤;打在N板上的粒子中,軌跡半徑越大則對應(yīng)的速度越大,即運(yùn)動(dòng)軌跡半徑最大的粒子的動(dòng)能最大,則有當(dāng)R=時(shí),Ekmax=,D項(xiàng)正確. 3.質(zhì)譜儀可以測定有機(jī)化合物分子結(jié)構(gòu),現(xiàn)有一種質(zhì)譜儀的結(jié)構(gòu)可簡化為如圖所示,有機(jī)物的氣體分子從樣品室注入離子化室,在高能電子作用下,樣品氣體分子離子化或碎裂成離子.若離子化后的離子帶正電,初速度為零,此后經(jīng)過高壓電源區(qū)、圓形磁場室(內(nèi)為勻強(qiáng)磁場)、真空管,最后打在記錄儀上,通過處理就可以得到離子比荷,進(jìn)而推測有機(jī)物的分子結(jié)構(gòu).已知高壓電源的電壓為U,圓形磁場區(qū)的半徑為R,真空管與水平面夾角為θ,離子進(jìn)入磁場室時(shí)速度方向指向圓心.則下

19、列說法正確的是(  ) A.高壓電源A端應(yīng)接電源的正極 B.磁場室的磁場方向必須垂直紙面向里 C.若離子化后的兩同位素X1、X2(X1質(zhì)量大于X2質(zhì)量)同時(shí)進(jìn)入磁場室后,出現(xiàn)圖中的軌跡Ⅰ和Ⅱ,則軌跡Ⅰ一定對應(yīng)X1 D.若磁場室內(nèi)的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B,當(dāng)記錄儀接收到一個(gè)明顯的信號時(shí),與該信號對應(yīng)的離子比荷= 解析: 選D 正離子在電場中加速,可以判斷高壓電源A端應(yīng)接負(fù)極,同時(shí)根據(jù)左手定則知,磁場室的磁場方向應(yīng)垂直紙面向外,A、B均錯(cuò)誤;設(shè)離子通過高壓電源后的速度為v,由動(dòng)能定理可得qU=mv2,離子在磁場中偏轉(zhuǎn),則qvB=m,聯(lián)立計(jì)算得出r= ,由此可見,質(zhì)量大的離子的運(yùn)動(dòng)軌跡

20、半徑大,即軌跡Ⅱ一定對應(yīng)X1,C錯(cuò)誤;離子在磁場中偏轉(zhuǎn)軌跡如圖所示,由幾何關(guān)系可知r=,可解得=,D正確. 二、非選擇題 4.(2019屆哈爾濱三中模擬)如圖甲所示,質(zhì)量為m、帶電荷量為-q的帶電粒子在t=0時(shí)刻由a點(diǎn)以初速度v0垂直進(jìn)入磁場,Ⅰ區(qū)域磁場磁感應(yīng)強(qiáng)度大小不變方向周期性變化,如圖乙所示(垂直紙面向里為正方向);Ⅱ區(qū)域?yàn)閯驈?qiáng)電場,方向向上;Ⅲ區(qū)域?yàn)閯驈?qiáng)磁場,磁感應(yīng)強(qiáng)度大小與Ⅰ區(qū)域相同均為B0.粒子在Ⅰ區(qū)域內(nèi)一定能完成半圓運(yùn)動(dòng)且每次經(jīng)過mn的時(shí)刻均為 整數(shù)倍,則 (1)粒子在Ⅰ區(qū)域運(yùn)動(dòng)的軌道半徑為多少? (2)若初始位置與第四次經(jīng)過mn時(shí)的位置距離為x,求粒子進(jìn)入Ⅲ區(qū)

21、域時(shí)速度的可能值(初始位置記為第一次經(jīng)過mn). 解析:(1)帶電粒子在Ⅰ區(qū)域做勻速圓周運(yùn)動(dòng),洛倫茲力提供向心力,即qv0B0=m 解得r=. (2)帶電粒子的運(yùn)動(dòng)軌跡有兩種可能. 第一種情況:粒子在Ⅲ區(qū)域運(yùn)動(dòng)半徑R= qv2B0=m 解得粒子在Ⅲ區(qū)域速度大?。簐2= 第二種情況: 粒子在Ⅲ區(qū)域運(yùn)動(dòng)半徑R= 粒子在Ⅲ區(qū)域速度大?。簐2=-2v0. 答案:(1) (2)?。?v0 5.如圖所示,一帶電粒子垂直射入勻強(qiáng)電場,經(jīng)電場偏轉(zhuǎn)后從磁場的左邊界上M點(diǎn)進(jìn)入垂直紙面向外的勻強(qiáng)磁場中,最后從磁場的左邊界上的N點(diǎn)離開磁場.已知帶電粒子的比荷=3.2×109 C/kg,電場強(qiáng)

22、度E=200 V/m,M、N間距MN=1 cm,金屬板長L=25 cm,粒子的初速度v0=4×105 m/s,帶電粒子重力忽略不計(jì),求: (1)粒子射出電場時(shí)的運(yùn)動(dòng)方向與初速度v0的夾角θ; (2)磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大?。? 解析:(1)由牛頓第二定律有qE=ma 粒子在電場中水平方向做勻速直線運(yùn)動(dòng),L=v0t 粒子在豎直方向做初速度為零的勻加速運(yùn)動(dòng),射出電場時(shí)的豎直分速度vy=at 速度偏轉(zhuǎn)角的正切值tan θ= 由以上各式代入數(shù)據(jù)解得θ=45°. (2)粒子射出電場時(shí)運(yùn)動(dòng)的速度大小為v= 在磁場中洛倫茲力提供向心力:Bqv=m 由幾何關(guān)系得MN=r 代入數(shù)據(jù)解得B=2.

23、5×10-2 T. 答案:(1)45° (2)2.5×10-2 T 6.如圖所示,兩平行極板MN、GH間的電壓為U,極板間存在水平向右的勻強(qiáng)電場,垂直于紙面向外的勻強(qiáng)磁場存在于兩虛線之外的區(qū)域,磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B(大小可變).極板MN和GH上有正對的兩個(gè)小孔O和A,PQ為鋁制薄板,ON=AH=PQ=d,NP=2d.質(zhì)量為m、電荷量為q的正離子從A點(diǎn)由靜止開始加速,經(jīng)小孔O進(jìn)入磁場區(qū)域,兩虛線之間的區(qū)域(除極板間)無電場存在,離子可勻速穿過.忽略相對論效應(yīng)和離子所受的重力. (1)磁感應(yīng)強(qiáng)度B為多大時(shí),離子只加速一次就能打到鋁板上? (2)在第(1)問中,若離子能打到鋁板上的

24、P點(diǎn),求離子從O到P所經(jīng)歷的時(shí)間. (3)若B= ,試通過計(jì)算說明離子需加速幾次后第一次打到鋁板上? 解析:(1)離子在電場中加速,根據(jù)動(dòng)能定理得qU=mv2 在磁場中,qvB=m 由幾何關(guān)系得離子打在P點(diǎn)時(shí)有R1=d 離子打在Q點(diǎn)時(shí)有R2=2d 聯(lián)立解得B1= B2= 故磁感應(yīng)強(qiáng)度B的取值范圍為 ≤B≤ . (2)離子在磁場中做圓周運(yùn)動(dòng)的周期為T= 離子從O運(yùn)動(dòng)到P的時(shí)間為t= 聯(lián)立解得t= . (3)根據(jù)qU=mv2,qvB=m,B=,得r=d 離子第一次加速后,在磁場中的軌跡半徑為r1=d,沒有打到鋁板上; 離子第二次加速后,在磁場中的軌跡半徑為r2=

25、d,沒有打到鋁板上; 離子第三次加速后,在磁場中的軌跡半徑為r3=d,打到鋁板上; 所以離子加速3次后第一次打到鋁板上. 答案:(1) ≤B≤  (2) (3)3次后 7.(2018年全國卷Ⅰ)如圖,在y>0的區(qū)域存在方向沿y軸負(fù)方向的勻強(qiáng)電場,場強(qiáng)大小為E;在y<0的區(qū)域存在方向垂直于xOy平面向外的勻強(qiáng)磁場.一個(gè)氕核11H和一個(gè)氘核12H先后從y軸上y=h點(diǎn)以相同的動(dòng)能射出,速度方向沿x軸正方向.已知11H進(jìn)入磁場時(shí),速度方向與x軸正方向的夾角為60°,并從坐標(biāo)原點(diǎn)O處第一次射出磁場.11H的質(zhì)量為m,電荷量為q.不計(jì)重力.求 (1)11H第一次進(jìn)入磁場的位置到原點(diǎn)O的距離;

26、 (2)磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度大?。? (3)12H第一次離開磁場的位置到原點(diǎn)O的距離. 解析:(1)11H在電場中做類平拋運(yùn)動(dòng),在磁場中做圓周運(yùn)動(dòng),運(yùn)動(dòng)軌跡如圖所示. 設(shè)11H在電場中的加速度大小為a1,初速度大小為v1,它在電場中的運(yùn)動(dòng)時(shí)間為t1,第一次進(jìn)入磁場的位置到原點(diǎn)O的距離為s1.由運(yùn)動(dòng)學(xué)公式有 s1=v1t1① h=a1t12② 由題給條件,11H進(jìn)入磁場時(shí)速度的方向與x軸正方向夾角θ1=60°.11H進(jìn)入磁場時(shí)速度的y分量的大小為 a1t1=v1tanθ1③ 聯(lián)立以上各式得 s1=h.④ (2)11H在電場中運(yùn)動(dòng)時(shí),由牛頓第二定律有 qE=ma1⑤ 設(shè)11

27、H進(jìn)入磁場時(shí)速度的大小為v1′,由速度合成法則有 v1′=⑥ 設(shè)磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B,11H在磁場中運(yùn)動(dòng)的圓軌道半徑為R1,由洛倫茲力公式和牛頓第二定律有 qv1′B=⑦ 由幾何關(guān)系得 s1=2R1sinθ1⑧ 聯(lián)立以上各式得 B=.⑨ (3)設(shè)12H在電場中沿x軸正方向射出的速度大小為v2,在電場中的加速度大小為a2,由題給條件得 (2m)v22=mv12⑩ 由牛頓第二定律有 qE=2ma2? 設(shè)12H第一次射入磁場時(shí)的速度大小為v2′,速度的方向與x軸正方向夾角為θ2,入射點(diǎn)到原點(diǎn)的距離為s2,在電場中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間為t2.由運(yùn)動(dòng)學(xué)公式有 s2=v2t2? h=a2t22? v′2=? sinθ2=? 聯(lián)立以上各式得 s2=s1,θ2=θ1,v2′=v1′? 設(shè)12H在磁場中做圓周運(yùn)動(dòng)的半徑為R2,由⑦?式及粒子在勻強(qiáng)磁場中做圓周運(yùn)動(dòng)的半徑公式得 R2==R1? 所以出射點(diǎn)在原點(diǎn)左側(cè).設(shè)12H進(jìn)入磁場的入射點(diǎn)到第一次離開磁場的出射點(diǎn)的距離為s2′,由幾何關(guān)系有 s2′=2R2sinθ2? 聯(lián)立④⑧???式得,12H第一次離開磁場時(shí)的位置到原 點(diǎn)O的距離為 s2′-s2=(-1)h. 答案:(1)h (2)  (3)(-1)h 16

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