高中化學(xué)魯科版選修三第3章 第2節(jié) 金屬晶體與離子晶體
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歡迎進(jìn)入化學(xué)課堂 第3章 第2節(jié) 課前預(yù)習(xí) 巧設(shè)計(jì) 名師課堂 一點(diǎn)通 創(chuàng)新演練 大沖關(guān) 設(shè)計(jì)1 設(shè)計(jì)2 考點(diǎn)一 考點(diǎn)二 課堂10分鐘練習(xí) 課堂5分鐘歸納 課下30分鐘演練 一 金屬晶體1 概念通過形成的晶體 金屬原子 金屬鍵 2 結(jié)構(gòu)型式 12 8 12 Ca Al Cu Li Na K Mg Zn 3 物理性質(zhì)一般熔沸點(diǎn) 硬度 具有良好的 良好的性等 二 離子晶體1 概念陰 陽離子通過結(jié)合 在空間呈現(xiàn)有規(guī)律的排列所形成的晶體 2 存在在常溫下均可形成離子晶體 較高 較大 延展性 可塑 離子鍵 離子化合物 3 常見AB型離子化合物的晶體類型 NaCl CsCl 6 8 4 Li Na K CsBr CsI BeO BeS 4 晶格能 1 概念 將1mol離子晶體中的陰 陽離子完全而遠(yuǎn)離所吸收的能量 2 意義 衡量離子鍵的強(qiáng)弱 晶格能越大 表示離子鍵 離子晶體越 氣化 越強(qiáng) 穩(wěn)定 陰 陽離子所帶電荷的乘積 陰 陽 離子間的距離 5 離子晶體的特性 1 熔沸點(diǎn) 熔 沸點(diǎn) 而且隨著的增加 的縮短 增大 熔點(diǎn) 2 溶解性 一般于水 難溶于非極性溶劑 3 導(dǎo)電性 時不導(dǎo)電 狀態(tài)或在中能導(dǎo)電 較高 離子電荷 離子間距 晶格能 升高 易溶 固態(tài) 熔融 水溶液 1 判斷正誤 金屬元素的陽離子的最外層電子數(shù)為2個或8個或18個 金屬元素在化合物中一般顯正價(jià) 主族元素中 金屬性越強(qiáng)的元素相應(yīng)的簡單穩(wěn)定離子的氧化性越弱 價(jià)電子數(shù)越多的金屬原子的金屬性越強(qiáng) 離子化合物中一定含有金屬元素 金屬元素的單質(zhì)在常溫下均為金屬晶體 分析 Fe2 最外層為14個電子 Fe3 最外層為13個電子 不正確 金屬元素一般失去電子 在化合物中顯正價(jià) 正確 金屬性越強(qiáng) 易形成穩(wěn)定陽離子 則陽離子難得電子 氧化性弱 正確 價(jià)電子數(shù)Mg Na 但金屬性Na Mg 不正確 NH4Cl等銨鹽是離子化合物 不含金屬元素 不正確 金屬中汞在常溫下是液態(tài) 不是晶體 不正確 答案 2 將下列金屬 密堆積方式 配位數(shù)連接起來 分析 Ca Al屬A1最密堆積 配位數(shù)為12 Na K等屬于A2型密堆積 配位數(shù)為8 Mg Zn等屬于A3型最密堆積 配位數(shù)為12 答案 3 將下列離子晶體與其所屬晶體類型 配位數(shù)連接起來 分析 Li Na K Rb的鹵化物及AgF MgO等屬于NaCl型 配位數(shù)為6 CsBr CsI NH4Cl等屬于CsCl型 配位數(shù)為8 BeO BeS等屬于ZnS型 配位數(shù)為4 答案 4 下列四種晶體中晶格能最高的是 最低的是 熔 沸點(diǎn)最高的是 A NaFB NaClC NaBrD NaI分析 晶格能與陰 陽離子所帶電荷的乘積成正比 與陰 陽離子的核間距離的平方成反比 上述五種離子電荷的乘積均相同 由于離子半徑F Cl Br I 所以晶格能最大的是NaF 最小的是NaI 晶格能越大 熔點(diǎn)越高 答案 ADA 1 導(dǎo)電 導(dǎo)熱性在外加電壓的作用下 自由電子可以定向移動 故有導(dǎo)電性 受熱時通過自由電子的碰撞及其與金屬離子之間的碰撞 傳遞能量 故金屬是熱的良導(dǎo)體 2 延展性金屬通常采用密堆積的型式 在受外力作用時堆積層的金屬原子之間易發(fā)生相對滑動 但滑動過程中金屬鍵卻仍然存在 因此金屬晶體雖形狀變化 但不斷裂 因此金屬具有良好的延展性 3 較高的熔點(diǎn) 硬度大因?yàn)榻饘俅嬖谥饘冁I 金屬熔化或破碎時需破壞金屬鍵 故金屬晶體的熔點(diǎn)較高 硬度大 且據(jù)研究表明 金屬原子的半徑越小價(jià)電子數(shù)越多 金屬鍵越強(qiáng) 金屬晶體的熔點(diǎn)越高 硬度越大 但也有例外 如汞常溫下為液體 熔點(diǎn)很低 38 9 4 金屬光澤金屬晶體可以吸收波長范圍極廣的光 并重新反射出來 故金屬晶體不透明 且有金屬光澤 例1 金屬原子在二維空間里的放置有下圖所示的兩種方式 下列說法中正確的是 A 圖a為非密置層 配位數(shù)為6B 圖b為密置層 配位數(shù)為4C 圖a在三維空間里堆積可得六方最密堆積A3和面心立方最密堆積A1D 圖b在三維空間里堆積僅得簡單立方 解析 金屬原子在二維空間里有兩種排列方式 一種是密置層排列 一種是非密置層排列 密置層排列的空間利用率高 原子的配位數(shù)為6 非密置層的配位數(shù)較密置層小 為4 由此可知 圖a為密置層 圖b為非密置層 密置層在三維空間堆積可得到六方最密堆積A3和面心立方最密堆積A1兩種堆積模型 非密置層在三維空間堆積可得簡單立方和體心立方密堆積A2兩種堆積模型 所以 只有C選項(xiàng)正確 答案 C 1 金屬晶體中原子在二維空間模型 有非密置層和密置層兩種類型 配位數(shù)分別為4和6 2 在三維空間中 除A1 A2 A3三種最密堆積外 還有簡單立方堆積 相鄰非密置原子核在同一直線上堆積 該種堆積的晶胞為 配位數(shù)為6 代表金屬為釙 離子晶體有多種晶體結(jié)構(gòu)類型 組成比為1 1的離子晶體是其中最簡單的一類 AB型離子晶體中最常見的結(jié)構(gòu)類型有氯化鈉型 氯化銫型和硫化鋅型等 1 NaCl型 1 要熟悉常見離子晶體的晶胞結(jié)構(gòu) 如NaCl型 CsCl型 ZnS型等 2 注意各類型晶胞之間的聯(lián)系 如NaCl型 CsCl型是學(xué)生容易理解 也是學(xué)生比較熟悉的 而ZnS型可與NaCl類型比 ZnS晶胞中S2 占據(jù)六面體的8個頂點(diǎn)和6個面心 與NaCl晶胞中Cl 的位置相同 Zn2 占據(jù)八個小立方體中四個互不相鄰的小立方體的中心 再如SiC與ZnS的晶胞也很相似 點(diǎn)擊下圖進(jìn)入課堂10分鐘練習(xí) 1 金屬晶體是金屬原子通過金屬鍵形成的晶體 構(gòu)成微粒是金屬陽離子和自由電子 2 金屬晶體有3種常見結(jié)構(gòu)型式 A1 A2 A3 配位數(shù)分別為12 8 12 3 常見的AB型離子晶體有NaCl型 CsCl型 ZnS型 配位數(shù)分別為6 8 4 4 一般地陰 陽離子半徑越小 所帶電荷數(shù)越多 晶格能越大 離子晶體的熔沸點(diǎn)越高 點(diǎn)擊下圖進(jìn)入課下30分鐘演練 同學(xué)們 來學(xué)校和回家的路上要注意安全 同學(xué)們 來學(xué)校和回家的路上要注意安全- 1.請仔細(xì)閱讀文檔,確保文檔完整性,對于不預(yù)覽、不比對內(nèi)容而直接下載帶來的問題本站不予受理。
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