813 右軸承座組件工藝及夾具設(shè)計(jì)
813 右軸承座組件工藝及夾具設(shè)計(jì),軸承,組件,工藝,夾具,設(shè)計(jì)
外文翻譯資料1單片集成 MEMS 技術(shù)在過(guò)去的 20 年中,CMOS 技術(shù)已成為集成電路主要制造工藝,制造成本下降的同時(shí),成品率和產(chǎn)量也得到很大提高,COMS 工藝將繼續(xù)以增加集成度和減小特制尺寸向前發(fā)展。當(dāng)今,CMOS 集成工藝不僅被利用在集成電路設(shè)計(jì)上,而且,也被利用在很多微傳感器和微執(zhí)行器上,這樣可以把微傳感器與集成電路集成在一起,構(gòu)成功能強(qiáng)大的智能傳感器。隨著微傳感應(yīng)用范圍的不斷擴(kuò)大,對(duì)傳感器的要求也越來(lái)越高,對(duì)未來(lái)微傳感器的主要要求是:微型化和集成化;低功耗和低成本;高精度和長(zhǎng)壽命;多功能和智能化。硅微機(jī)械和集成電路的一體化集成,可以滿足上述要求。目前,集成傳感器的產(chǎn)品多數(shù)采用混合集成,單片集成的比例很小。而實(shí)現(xiàn)單片集成是實(shí)現(xiàn)傳感器智能化的關(guān)鍵,特別是單片集成 MEMS 傳感器技術(shù)也是當(dāng)今片上系統(tǒng)芯片能否實(shí)現(xiàn)的關(guān)鍵技術(shù)之一??梢?jiàn),對(duì)各種單片集成 MEMS 技術(shù)難點(diǎn)進(jìn)行分析以及給出目前已有的各種單片集成 MEMS 技術(shù)是非常必要的。1.單片集成 MEMS 技術(shù)的優(yōu)勢(shì)和面臨的挑戰(zhàn)實(shí)現(xiàn) MEMS 和 CMOS 共同工作是分別制造 MEMS 傳感器和 CMOS 集成電路,然后,從各自的晶片切開(kāi),固定在一個(gè)共同的襯底上,并且,連線鍵合,這樣就實(shí)現(xiàn)兩者的集成,這就是所謂的混合(hybrid)方法。這種方法不會(huì)產(chǎn)生 MEMS 制造過(guò)程對(duì) CMOS 電路的污染,同時(shí),兩者生產(chǎn)過(guò)程互不干擾。但是,由于信號(hào)經(jīng)過(guò)鍵合點(diǎn)和引線,導(dǎo)致在高頻應(yīng)用時(shí),信號(hào)傳輸質(zhì)量下降,并且,開(kāi)發(fā)兩套生產(chǎn)線增加了產(chǎn)品的成本。為了解決一些性能問(wèn)題,并降低制造成本,提出把 MEMS 部分做在和 CMOS 電路同一塊襯底上,也就是產(chǎn)生了與 CMOS 工藝兼容單片集成 MEMS 技術(shù)或叫 CMOS-MEMS 技術(shù)。這種方法相對(duì)混合方法總的來(lái)說(shuō)有如下優(yōu)勢(shì):第一,性能能得到很大的提高,因?yàn)榧纳娙莺痛當(dāng)_現(xiàn)象可以顯著減??;第二,混合方法需要復(fù)雜的封裝技術(shù)以減小傳感器接口的影響,而單片集成方法需要的封裝技術(shù)相對(duì)簡(jiǎn)單,所以,降低傳感器成本;第三,單片集成傳感器技術(shù)也是陣列傳感器的需要,是克服陣列傳感器與外圍譯碼電路互連瓶頸的一種有效方法;第四,開(kāi)發(fā)單片集成 MEMS 產(chǎn)品比開(kāi)發(fā)混合 MEMS 產(chǎn)品所需的時(shí)間短,而且,開(kāi)發(fā)成本低。單片集成 MEMS 技術(shù)根據(jù) MEMS 器件部分與 CMOS 電路部分加工順序不同可以分為前CMOS(pre-CMOS)、混合 CMOS(intermediate-CMOS)及后 CMOS(post-CMOS)集成方法。post-CMOS 方法是在加工完 CMOS 電路的硅片上,通過(guò)一些附加 MEMS 微細(xì)加工技術(shù)以實(shí)現(xiàn)單片集成 MEMS 系統(tǒng),目前,單片集成 MEMS 技術(shù)主要以這種方法為主。post-CMOS 方法主要問(wèn)題是 MEMS 加工工藝溫度會(huì)對(duì)前面的 CMOS 電路性能產(chǎn)生影響,更為嚴(yán)重的是后面高溫MEMS 加工工藝溫度與前面 CMOS 工藝金屬化不兼容。以目前研究最多的多晶硅作為結(jié)構(gòu)層的MEMS 為例,使磷硅玻璃致密化退火溫度為 950℃,而使作為結(jié)構(gòu)層多晶硅的應(yīng)力退火溫度則達(dá)到 1050℃,這將使 CMOS 器件結(jié)深發(fā)生遷移。特別是 800℃時(shí)淺結(jié)器件的結(jié)深遷移就會(huì)影外文翻譯資料2響器件的性能。另一方面,采用常規(guī)鋁金屬化工藝時(shí),當(dāng)溫度達(dá)到 400-450℃時(shí),CMOS 電路可靠性將受到嚴(yán)重的影響。從以上可以看出:如何克服后面高溫 MEMS 微結(jié)構(gòu)加工溫度對(duì)前面的已加工完的 CMOS 電路影響是解決單片集成 MEMS 系統(tǒng)關(guān)鍵所在。目前,國(guó)際上解決這個(gè)問(wèn)題基本是通過(guò) 3 種方式:第一種是以難熔金屬化互連代替鋁金屬化互連,如,伯克利大學(xué)的以鎢代替鋁金屬互連方案,這樣提高容忍后續(xù)加工 MEMS 所需的高溫;第二種方式是通過(guò)尋找低制作溫度且機(jī)械性能優(yōu)良的材料代替多晶硅作為結(jié)構(gòu)層材料;第三種方式是利用CMOS 本身已有結(jié)構(gòu)層作為 MEMS 結(jié)構(gòu)層。pre-CMOS 集成方法是先制造 MEMS 結(jié)構(gòu)后制造 CMOS 電路,這種集成 CMOS 技術(shù)雖然克服post-CMOS 方法中 MEMS 高溫工藝對(duì) CMOS 電路的影響,但由于存在垂直的微結(jié)構(gòu),所以,存在傳感器與電路互連臺(tái)階覆蓋性問(wèn)題,而且,在 CMOS 電路工藝過(guò)程中對(duì)微結(jié)構(gòu)的保護(hù)也是一個(gè)需要考慮的問(wèn)題。甚至已優(yōu)化微調(diào)的 CMOS 工藝流程,例如:柵氧化可能被重?fù)诫s的結(jié)構(gòu)層影響。另外,MEMS 工藝過(guò)程中不能有任何的金屬或其他的材料,如壓電材料聚合物等,使得這種方法只適合一些特殊應(yīng)用。intermediate-CMOS 是在 CMOS 電路生產(chǎn)過(guò)程中插入一些 MEMS 微細(xì)加工工藝來(lái)實(shí)現(xiàn)單片集成 MEMS 的方法。這種方法已很成熟,并已有很多商品化產(chǎn)品,也是研究最早一種單片集成方法,是解決 pre-CMOS 和 post-CMOS 方法存在問(wèn)題有效方法,但是,由于需要對(duì)現(xiàn)有的標(biāo)準(zhǔn) CMOS 或 BiCMOS 工藝進(jìn)行較大的修改,因此,這種方法的使用有一定限制。2.單片集成 MEMS 的主要技術(shù)現(xiàn)狀目前,單片集成 MEMS 技術(shù)主要以 post-CMOS 技術(shù)為主,通過(guò)一系列的與 CMOS 工藝兼容的表面微細(xì)加工和體加工實(shí)現(xiàn)單片集成 MEMS。又可分為 2 種:一種是在 CMOS 結(jié)構(gòu)層上面再淀積一層結(jié)構(gòu)層的微加工;另一種是直接以 CMOS 原有的結(jié)構(gòu)層作為 MEMS 結(jié)構(gòu)層的微加工。2.1 淀積新的結(jié)構(gòu)材料作 MEMS 結(jié)構(gòu)的集成技術(shù)2.1.1 多晶硅作為結(jié)構(gòu)層的集成表面微細(xì)加工技術(shù)這種工藝典型代表是伯克利大學(xué)開(kāi)發(fā)模塊集成 CMOS 與 MEMS 工藝(modular integration of CMOS with micro-structures,MICS),這種方法是以多晶硅為微結(jié)構(gòu)層,磷硅玻璃(PSG)作為犧牲層的表面微細(xì)加工技術(shù)。采用難熔金屬鎢的金屬化互連代替鋁金屬化互連以承受后面的生產(chǎn)多晶硅微結(jié)構(gòu)所需要的高溫,但是,在 600℃時(shí),鎢容易與硅形成反應(yīng),伯克利大學(xué)是通過(guò)在接觸孔上放一層 TiN 阻擋層來(lái)解決這一問(wèn)題的。MICS 工藝基本流程是:完成鎢金屬化的 CMOS 工藝后,淀積 300×10-10nm 低溫氧化物(LTO),然后,低壓化學(xué)氣相淀積 200×10-10nm 的氮化硅薄膜保護(hù)已生產(chǎn)的 CMOS 電路,腐蝕完微結(jié)構(gòu)與CMOS 電路的接觸孔后,淀積第 1 層現(xiàn)場(chǎng)摻雜多晶硅(350×10-10)作為 CMOS 電路與微結(jié)構(gòu)的互連線,再在上面淀積 1um 厚的 PSG 作為犧牲層以及淀積厚度為 2um 多晶硅結(jié)構(gòu)層。通過(guò)外文翻譯資料3在第 2 層多晶硅上再淀積一層 0.5um 的 PSG,以及在氮?dú)猸h(huán)境下的 1000℃快速退火 1min 來(lái)降低作為結(jié)構(gòu)層的多晶硅應(yīng)力。最后,刻蝕多晶硅結(jié)構(gòu)圖形以及腐蝕掉其下面的犧牲層(PSG)以釋放微結(jié)構(gòu)。2.1.2 以其他材料作結(jié)構(gòu)層集成表面微細(xì)加工技術(shù)多晶硅鍺不僅有與多晶硅相似的優(yōu)良機(jī)械性能,而且,淀積溫度低與 CMOS 工藝兼容,所以,目前被廣泛研究。伯克利大學(xué)開(kāi)發(fā)的基于硅鍺結(jié)構(gòu)層的工藝與 MICS 工藝基本相似。主要技術(shù)革新:第一,保護(hù)層采用不同的材料,以前 MICS 工藝采用 835℃的 LPCVD 氮化硅,而現(xiàn)在則是采用兩層 LTO 和中間夾一層不定型硅(a-Si)作為 CMOS 電路保護(hù)層,其中,a-Si 分兩步淀積,第一步淀積在 450℃;第二步淀積則在 410℃,這樣溫度是不會(huì)損壞鋁金屬化 CMOS 電路;第二,采用低淀積溫度多晶硅鍺作為結(jié)構(gòu)層材料,其低壓化學(xué)氣相淀積(LPCVD)溫度只有 400℃,采用快速退火溫度也僅為 550℃,時(shí)間為 30s。而 MICS 工藝淀積多晶硅結(jié)構(gòu)溫度則超過(guò) 600℃。從以上兩點(diǎn)可知,由于整個(gè)后續(xù) MEMS 加工溫度不超過(guò)450℃,所以,不會(huì)對(duì)鋁金屬化互連 CMOS 電路產(chǎn)生很大的影響。采用鋁作為結(jié)構(gòu)層材料也會(huì)獲得很大成功,最為成功的是德州儀器開(kāi)發(fā)低溫表面微細(xì)加工技術(shù),并用這種技術(shù)成功生產(chǎn)了數(shù)字微鏡設(shè)備(DMD)。技術(shù)革新主要表現(xiàn)在采用濺射鋁作為結(jié)構(gòu)層材料,并且,采用光致抗蝕劑作為犧牲層,這種低溫后處理使得已生產(chǎn)的下面SRAM 單元不被破壞 。鋯鈦酸鉛(PZT)電材料因具有優(yōu)良的壓電性能、熱釋電性能、鐵電性能和介電性能而被廣泛應(yīng)用在鐵電存儲(chǔ)器中以及作為高介質(zhì)材料。同時(shí),還可以利用鋯鈦酸鉛壓電效應(yīng)制作微傳感器以及微執(zhí)行器。PZT 薄膜工藝與硅集成工藝兼容,如,目前的基于金屬有機(jī)化學(xué)氣相淀積(OCVD)方法制作 PZT 薄膜溫度已降低到 430~75℃,這個(gè)溫度還在降低,因此,采用這種材料作為結(jié)構(gòu)層是很有希望與 CMOS 工藝集成的。2.2 以原 CMOS 結(jié)構(gòu)層作 MEMS 結(jié)構(gòu)的集成技術(shù)2.2.1 犧牲鋁的微加工技術(shù)如果 CMOS 金屬化合物用作犧牲材料,則可能存在和 CMOS 工藝完全兼容的表面微細(xì)加工丁藝,這種方法被稱(chēng)作犧牲鋁蝕刻(sacrificial aluminum etching,SALE)。在許多CMOS 工藝過(guò)程中,都采用了兩層由鋁合金構(gòu)成的金屬層。第 1 層金屬作為犧牲層被清除,可以制造出電介質(zhì)金屬化合物;第 2 層由金屬和鈍化物組成,第 2 層金屬介于兩個(gè)電介質(zhì)之間,適當(dāng)結(jié)構(gòu)化后,便可以作為反射鏡、電極、熱電阻或電熱調(diào)節(jié)器。其基本工藝過(guò)程包括:(1)保護(hù)電氣連接觸點(diǎn)不受到蝕刻;(2)腐蝕犧牲鋁層;(3)涮洗清除徼結(jié)構(gòu)里面的蝕刻劑;(4)烘干微機(jī)構(gòu)。2.2.2 單晶體硅活化蝕刻和金屬化法外文翻譯資料4單體硅活化蝕刻和金屬化法(single crystal reactiveetching and metallization,SCREAM)可用于制造,梁、橋這樣的結(jié)構(gòu),甚至可以用單晶硅制造更復(fù)雜的結(jié)構(gòu)。這種方法始于制造完的 CMOS 電路硅片,首先,淀積一層覆蓋接觸孔的氧化硅,這層氧化物保護(hù) CMOS 電路免受后面工藝影響,并通過(guò)反應(yīng)離子蝕刻(RIE)圖形化這層氧化物遮蔽層;然后,RIE 蝕刻硅溝槽,深度可達(dá)到 10um,氧化硅薄膜淀積下來(lái),覆蓋在側(cè)面和水平面上。通過(guò)反應(yīng)離子蝕刻掉水平面上的氧化物,而使豎直面受到保護(hù),第二次反應(yīng)離子蝕刻硅;最后,各向同性蝕刻硅,釋放出懸浮的微結(jié)構(gòu),同時(shí),蝕刻接觸孔氧化物,并濺射金屬,這層金屬化淀積物使大縱橫比的粱變成電容性元素,用厚的抗蝕劑作掩蔽模圖形化金屬層。由于 SCREAM 的每一步均在低于 300℃的溫度下進(jìn)行的,因此,是與 CMOS 電路兼容的。2.2.3 大縱橫比的 CMOS-MEMS 工藝Gamegle Melloa 大學(xué)開(kāi)發(fā)的與 CMOS 兼容干法蝕刻方法,它應(yīng)用各向同性硅蝕刻產(chǎn)生絕緣薄膜,CMOS 介質(zhì)和金屬化層在這個(gè)工藝中不僅用作金屬互連,而且,還作為微機(jī)械結(jié)構(gòu)尾。基本工藝過(guò)程為:首先,標(biāo)準(zhǔn)的 CMOS 工藝采用三層金屬 0.5upmN 阱工藝實(shí)現(xiàn);其次,金屬層 1 和 2 被用作電活性層,而第 3 層作為微機(jī)械加工的蝕刻掩模。應(yīng)用化合物CHF3/O2 的反應(yīng)離子蝕刻(RIE),使整個(gè)芯片上的鈍化層被清除掉,在第 3 層金屬斷開(kāi)區(qū)域,CMOS 薄膜夾層被一直蝕刻至基底,而上面覆蓋有第 3 層金屬的 CMOS 薄膜夾層則保留完好;最后,采用 SP6/O2 等離子在不蝕刻微結(jié)構(gòu)側(cè)壁情況下各向同性蝕刻硅襯底。狹窄的絕緣層和導(dǎo)電層融為一體制造出梁和橋,例如:梳狀驅(qū)動(dòng)器這樣的微結(jié)構(gòu)。2.2.4 體加工 CMOS-MEMS 工藝主要是通過(guò)蝕刻硅襯底等體加工技術(shù)來(lái)形成所需的 MEMS 結(jié)構(gòu),這種技術(shù)主要以蘇黎世大學(xué)為主??梢詮恼嫖g刻硅襯底,也可以從反面蝕刻硅襯底,利用各向異性腐蝕(100)方向的特性,從硅的正面蝕刻是可以得到未封閉的微結(jié)構(gòu),如,梁和支撐膜等,可選用的蝕刻劑可以是氫氧化四甲基銨水溶液(TMATH)或乙烯二胺溶液(EDP)。通過(guò)從已完成的硅片背部蝕該硅片可以得到封閉的介電薄膜,需要一個(gè)額外的掩模定義膜片的大小,通常采用的燭刻劑是 KOH。采用 XeF2 干法蝕刻的 post-CMOS 工藝也得到很大的發(fā)展。XeP2 是一種各向異性硅蝕刻劑,蝕刻速度很高,它是惰性氣體氙的一種稀有化合物。XeP2 既不蝕刻 IC 絕緣層,也不蝕刻鋁合金金屬化合物,因此,和 CMOS 完全兼容。經(jīng)過(guò)適當(dāng)?shù)膮^(qū)域設(shè)計(jì)、連接和加掩模,在指定部位打開(kāi)絕緣層,使基底硅局部暴露給蝕刻劑。因?yàn)?XeF2 即不蝕刻陶瓷,也不蝕刻塑料,從而適合集成 CMOS 微系統(tǒng)的微加工。使用這種方法可在已完成的 CMOS 芯片上無(wú)掩模蝕刻出微機(jī)構(gòu)。3.發(fā)展趨勢(shì)外文翻譯資料5單片集成 MEMS 技術(shù)已開(kāi)發(fā) 10 多年了,已得到了迅猛發(fā)展,也涌現(xiàn)出各種 MEMS 制造服務(wù)組織和企業(yè),從而可以獲得一些組織或直接由特殊集成電路制造商提供 MEMS 加工。代表微系統(tǒng) IC 技術(shù)發(fā)展方向的組織包括美國(guó)的 MOSIS.Europractice 和歐洲的 TIMACMP;美國(guó)北卡羅納州的 Croons 集成微系統(tǒng)公司除了提供基本的 CMOS 工藝以外,還提供體微加工和表面徽加工、LIGA 工藝以及多用戶微機(jī)電系統(tǒng)工藝等;美國(guó)桑迪亞國(guó)家實(shí)驗(yàn)室開(kāi)發(fā)的超平面多層多晶硅工藝也已商品化;在歐洲從事特殊應(yīng)用集成電路制造技術(shù)研究的包括奧地利微系統(tǒng)公司和瑞士的 EM 微電子公司。還有很多基于傳感器的特殊硅工藝也已經(jīng)被研究出來(lái),如,德國(guó)的羅伯特博施公司和挪威的 SensoNor 公司等。從目前來(lái)看,集成 MEMS 技術(shù)將有如下趨勢(shì):(1)post-CMOS 集成方法仍將是未來(lái)的主要開(kāi)發(fā)技術(shù),并將現(xiàn)有實(shí)驗(yàn)室已開(kāi)發(fā)的各種post-CMOS 單片集成 MEMS 技術(shù)產(chǎn)業(yè)化;(2)在集成 MEMS 系統(tǒng)上集成更多的復(fù)雜的電路包括數(shù)字接口和微控制器,這樣得到功能更強(qiáng)大、價(jià)格便宜的智能系統(tǒng);(3)開(kāi)發(fā)封裝技術(shù)保護(hù) CMOS 芯片免受環(huán)境的影響,不僅需要開(kāi)發(fā)適應(yīng) MEMS 集成系統(tǒng)的封裝,而且,也需要開(kāi)發(fā)能適應(yīng)封裝的單片 MEMS 集成技術(shù)。4.結(jié)束語(yǔ)單片集成 MEMS 是實(shí)現(xiàn)智能傳感器的關(guān)鍵,也是 IC 業(yè)發(fā)展的一個(gè)重要方向。雖然目前各種方法都還存在一些問(wèn)題,但是,隨著對(duì)其不斷的研究與 CMOS 工藝兼容性各種問(wèn)題也會(huì)一一解決。本文對(duì)單片集成 MEMS 技術(shù)對(duì)工藝提出的要求進(jìn)行了討論,并對(duì)目前各種單片集成MEMS 技術(shù)特點(diǎn)、工藝流程進(jìn)行了介紹,同時(shí),還給出未來(lái)單片集成 MEMS 技術(shù)未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)。
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