《東南大學(xué)信息學(xué)院模電答案作業(yè)題第二章(非線性).ppt》由會(huì)員分享，可在線閱讀，更多相關(guān)《東南大學(xué)信息學(xué)院模電答案作業(yè)題第二章(非線性).ppt（9頁(yè)珍藏版）》請(qǐng)?jiān)谘b配圖網(wǎng)上搜索。

作 業(yè),第二章 (非線性),2-4 試畫(huà)出圖P2-4所示三種變壓器耦合反饋振蕩器的交流通路并注明變壓器的同名端。,,,,,,,2—5 試判斷圖P2—5所示交流通路中，哪些可能產(chǎn)生振蕩哪些不能產(chǎn)生振蕩，若能產(chǎn)生振蕩，則說(shuō)明屬于哪種振蕩電路。,(a)：不能振蕩； (b)：可能振蕩—電感三點(diǎn)式； (c)：不能振蕩(若考慮寄生電容則可能振蕩)； (d)：可能振蕩—電容三點(diǎn)式,2—6 試畫(huà)出圖P2—6所示各振蕩器的交流通路，并判斷哪些電路可能產(chǎn)生振蕩，哪些電路不能產(chǎn)生振蕩。圖中CE、CB、C3均為交流旁路電容或隔直流電容。,(a)：不能振蕩； (b)：不能振蕩； (c)：能振蕩(電感三點(diǎn)式)； (d)：能振蕩(電容三點(diǎn)式); (e)：可能振蕩 (正反饋強(qiáng)于負(fù)反饋),2—8 改正圖P2—8各電路中的錯(cuò)誤。（圖中，未標(biāo)符號(hào)的電容均為隔直流或旁路電容），并指出電路類型。,NPN,2—12 圖P2—12為場(chǎng)效應(yīng)管電容三點(diǎn)式振蕩電路，已知JFET的參數(shù)為：IDSS=3.5mA，VGS(off)=-3.5V，電路元件RD=1kΩ，RG的影響可忽略，為滿足起振條件，JFET的靜態(tài)偏置電壓VGSQ的最小值應(yīng)為多大？,解 ：,,2—13 試畫(huà)出圖P2—13所示各振蕩器的交流通路，并指出電路類型。,(a)：并聯(lián)晶體振蕩器； (b)：串聯(lián)晶體振蕩器； (c)：串聯(lián)晶體振蕩器； (d)：串聯(lián)晶體振蕩器； (e)：并聯(lián)晶體振蕩器 (考慮寄生電容),2—15 試判斷圖P2—15所示各RC振蕩電路中，哪些可能振蕩，哪些不能振蕩，為什么？,2—16 試求圖P2—16所示文氏電橋振蕩器的振蕩頻率，并求出維持振蕩所需Rf的最小值。已知C1=C2=0.05μF，R1=5KΩ，R2=10KΩ，若R1=R2=10KΩ，C1=0.01μF，C2=0.1μF則振蕩頻率又為何值？維持振蕩所需Rf的最小值又為何值？,解：,,