手機電池保護板知識講解.doc
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保護板知識講解 1、 保護板的主要保護功能: 過充電保護功能 過放電保護功能 過電流保護電流 包括過流1 過流2 短路保護 2、 主要器件 IC 它由精確的比較器來獲得保護可靠的保護參數(shù),主要參數(shù): -過充電壓 -過充恢復(fù)電壓 -過放電壓 -過放恢復(fù)電壓 -過流檢測電壓 -短路保護電壓 -耗電 MOSFET 串在主充放電回路中,擔當高速開關(guān),執(zhí)行保護動作。我司所用的都是串在B- P-間。MOSFET包含三個電極:漏極 (D) 源極(S) 柵極(G);當G極為高電平時,D極與S極導(dǎo)通,當G極為低電平時,D極與S極斷開。 主要參數(shù): -內(nèi)阻 -耐電流 -耐電壓 -內(nèi)部是否連通 -封裝 FUSE PTC :二次保護器件。 電流導(dǎo)通流程圖: 正極:B+ FUSE P+ 負極:B- MOS(2、3)腳 MOS(1)腳 MOS(8)腳 MOS(5、6)腳夫 P- -通常狀態(tài): 當電芯電壓在2。5V---4。2V之間,IC的充電控制腳(第1腳)和放電管控制腳(第3腳)同時處于高電平,充電MOS、 放電MOS同時打開,B-與P-連通,保護板有輸出電壓,能正常允放電. -過放狀態(tài):當電池接上手機等負載后,電芯電壓漸漸降低,同時IC同部通過R1電阻實時監(jiān)測電芯電壓,當電芯電壓降到IC的過放保護電壓時,IC放電控制腳(第1腳)輸出電壓為0V,即低電平,放電MOS關(guān)閉,無輸出電壓。 -過充狀態(tài):當電池通過充電器充電時,隨著充電時間的增加,電芯電壓越來越高,當電芯電壓升高到過充保護電壓時,IC將認為電芯處于過充電電壓狀態(tài),IC的充電控制腳(第3腳)輸出為低電平,即0V;此時充電MOS管關(guān)閉,B-與P-處于斷開狀態(tài),充電回路切斷,充電停止。保護板處于過充狀態(tài)并一直保持。等到P+ P-之間接上負載后,因此時雖然充電管處于關(guān)閉狀態(tài),但其內(nèi)部的二極管的正方向與放電回路的方向相同,故放電回路可以放電,當電芯電壓被放低至過充電恢復(fù)電壓以下時,充電管又導(dǎo)通,電芯的B-與保護板的P-又重新接上,電芯又能正常的充放電。 -過流及短路保護:當電池的負載電流超過IC的過流保護值時,IC的放電控制腳(第1腳)輸出低電平,MOS管關(guān)閉。 3、 常見的問題點: -內(nèi)阻大:決定電池內(nèi)阻的器件有 PCB的線阻,MOS管的導(dǎo)通內(nèi)阻, FUSE的內(nèi)阻,電芯內(nèi)阻及鎳片的電阻。 解決方法:首先判斷電芯內(nèi)阻(一般要求小于60mΩ)是否超過標準,其次是測試保護板內(nèi)阻(一般要求小于60mΩ)、FUSE內(nèi)阻(一般要求小于15mΩ),最后檢查鎳片及接觸電阻(一般要求小于15mΩ) -無電壓無內(nèi)阻(不能充放電等):無電壓無內(nèi)阻通常是充電MOSFET關(guān)閉或放電MOSFET關(guān)閉或充放電MOS同時關(guān)閉,導(dǎo)致MOS管關(guān)閉的原因有 IC不能正常工作或MOS管自身損壞或MOS連錫,虛焊。 解決方法:先檢查IC第5腳電壓電否正常(電壓與電芯電壓相同),第6腳與B-是否連好,電芯電壓是否正常,R1電阻是阻值是否正確,R1是否虛焊。其次檢查IC的充電控制腳(3腳)和放電控制腳(5腳)電壓是否正確(在通常的狀態(tài),IC的1、3腳都是高電平,等于電芯電壓)。再次檢查MOS是否短路,虛焊。 無ID(熱敏):ID電阻一端連接保護板的P-端子,一端連接保接保護板的ID端子,若有此類問題時,可首先確認線路是否導(dǎo)通,其次可確認電阻本身是否不良或是否連錫。 短路保護、過流保護不良:可先檢查R2是否虛焊,IC的過流檢測端子(IC的第2腳)是否虛焊,若無以上兩種不良,那么應(yīng)是IC本身損壞。- 1.請仔細閱讀文檔,確保文檔完整性,對于不預(yù)覽、不比對內(nèi)容而直接下載帶來的問題本站不予受理。
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